建立了差分互补型电感电容压控振荡器(LC-VCO)的等效分析模型。采用有效截止频率fT,eff来表征MOS管的充放电能力,结合振荡器起振后共模输出电压下降的现象,提出了优化1/f3相位噪声的方法。采用该方法并结合跨导效率gm/ID设计方法,实现了...建立了差分互补型电感电容压控振荡器(LC-VCO)的等效分析模型。采用有效截止频率fT,eff来表征MOS管的充放电能力,结合振荡器起振后共模输出电压下降的现象,提出了优化1/f3相位噪声的方法。采用该方法并结合跨导效率gm/ID设计方法,实现了LC-VCO 1/f3相位噪声的优化,并在0.18μm CMOS工艺上获得验证。结果表明,该优化方法可以使频偏在1 k Hz以内的相位噪声改善2~3 d B,可用于开环LC-VCO作为本振的低功耗无线收发机及高性能晶体振荡器的电路设计中。展开更多
基于TSMC 65nm CMOS工艺,设计了一种低相噪宽调谐范围的电压控制振荡器(VCO)。VCO的负电阻部分创新性地使用由NMOS和PMOS晶体管组成的电流复用拓扑结构,谐振开关结构用于实现宽调谐范围和高频振荡时保持较为稳定的压控增益(Kvco)。电路...基于TSMC 65nm CMOS工艺,设计了一种低相噪宽调谐范围的电压控制振荡器(VCO)。VCO的负电阻部分创新性地使用由NMOS和PMOS晶体管组成的电流复用拓扑结构,谐振开关结构用于实现宽调谐范围和高频振荡时保持较为稳定的压控增益(Kvco)。电路的尾电流部分采用POMS电流镜结构用于减小晶体管闪烁噪声对VCO相位噪声的影响。在1.2 V电源电压下,压控振荡器的功耗为4.5 m W,1.72 GHz频率处相位噪声达到-112 d Bc/Hz@100 k Hz。该LC VCO的宽调谐范围和良好的相位噪声性能较好地用于各种PLL电路中。展开更多
文摘建立了差分互补型电感电容压控振荡器(LC-VCO)的等效分析模型。采用有效截止频率fT,eff来表征MOS管的充放电能力,结合振荡器起振后共模输出电压下降的现象,提出了优化1/f3相位噪声的方法。采用该方法并结合跨导效率gm/ID设计方法,实现了LC-VCO 1/f3相位噪声的优化,并在0.18μm CMOS工艺上获得验证。结果表明,该优化方法可以使频偏在1 k Hz以内的相位噪声改善2~3 d B,可用于开环LC-VCO作为本振的低功耗无线收发机及高性能晶体振荡器的电路设计中。
文摘基于TSMC 65nm CMOS工艺,设计了一种低相噪宽调谐范围的电压控制振荡器(VCO)。VCO的负电阻部分创新性地使用由NMOS和PMOS晶体管组成的电流复用拓扑结构,谐振开关结构用于实现宽调谐范围和高频振荡时保持较为稳定的压控增益(Kvco)。电路的尾电流部分采用POMS电流镜结构用于减小晶体管闪烁噪声对VCO相位噪声的影响。在1.2 V电源电压下,压控振荡器的功耗为4.5 m W,1.72 GHz频率处相位噪声达到-112 d Bc/Hz@100 k Hz。该LC VCO的宽调谐范围和良好的相位噪声性能较好地用于各种PLL电路中。
