电感电容压控振荡器调谐曲线的时域分析 被引量：3

1

作者 唐长文 何捷 +2 位作者 菅洪彦 张海青 闵昊 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1467-1472,共6页

本文提出了一种基于周期计算技术的压控振荡器频率-电压调谐曲线的分析方法.在传统的谐波平衡近似方法中,通过大信号非线性分析方法可以计算出一个周期内可变电容的有效电容值.然而通过有效电容推导的调谐曲线并不准确,况且如果高阶谐... 本文提出了一种基于周期计算技术的压控振荡器频率-电压调谐曲线的分析方法.在传统的谐波平衡近似方法中,通过大信号非线性分析方法可以计算出一个周期内可变电容的有效电容值.然而通过有效电容推导的调谐曲线并不准确,况且如果高阶谐波分量不可以忽略的话,谐波平衡近似分析方法将会变得很复杂.本文提出的周期计算方法所得到的振荡调谐曲线比传统谐波平衡近似分析方法更加精确.在0.35μm2P4MCMOS工艺上实现的电感电容压控振荡器的实验测试证明了该理论分析的正确性. 展开更多

关键词 MOS管可变电容 电感电容回路 压控振荡器 累积型MOS管 振荡调谐曲线

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数字式电感电容测量仪的设计 被引量：8

2

作者 何富运 罗晓曙 《现代电子技术》 2008年第22期20-21,25,共3页

在测量电感电容值时,传统的测量大都采用交流电桥法和谐振法。然而这些方法通常采用刻度读数,读数不够直观。着眼于对传统测量方式的改进,基于LC振荡电路原理,结合以AT89S51单片机为核心的频率测量电路,设计一种数字式电感电容测量仪,... 在测量电感电容值时,传统的测量大都采用交流电桥法和谐振法。然而这些方法通常采用刻度读数,读数不够直观。着眼于对传统测量方式的改进,基于LC振荡电路原理,结合以AT89S51单片机为核心的频率测量电路,设计一种数字式电感电容测量仪,给出详细的电路原理和程序流程,对测量原理做了较详细的阐述。基于LC振荡电路原理测量LC是本设计的创新之处。 展开更多

关键词 电感电容 LC振荡电路 AT89S51 频率测量电路

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电感电容频率一体化简易测量仪设计 被引量：1

3

作者 瓮嘉民 蒋威 陈孝宗 《电子器件》 CAS 北大核心 2017年第2期511-515,共5页

针对电感、电容、频率测量仪器存在仪器类型繁多和操作复杂的问题,提出了电感电容频率一体化简易测量仪的设计方案,其中小电容、电感和频率测量通过LC振荡器计数测量,电解电容通过RC充放电和比较电路进行测量。电感测量范围:0.1μH～1 H... 针对电感、电容、频率测量仪器存在仪器类型繁多和操作复杂的问题,提出了电感电容频率一体化简易测量仪的设计方案,其中小电容、电感和频率测量通过LC振荡器计数测量,电解电容通过RC充放电和比较电路进行测量。电感测量范围:0.1μH～1 H,精度5%;小非电解电容测量范围:1 pF～2.2μF,精度5%;频率测量范围:50 Hz～400 kHz,绝对误差小于3Hz;电解电容测量范围:0.5μF～12 000μF,精度5%。经实践证明,测量仪工作稳定可靠,能够满足大多数测量场合的需求。 展开更多

关键词 电感电容频率 一体化测量仪 LC振荡器 充放电 比较器

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基于电感电容振荡器的电荷泵锁相环的设计

4

作者 袁莉 周玉梅 张锋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期451-454,473,共5页

设计并实现了一种采用电感电容振荡器的电荷泵锁相环,分析了锁相环中鉴频/鉴相器(PFD)、电荷泵(CP)、环路滤波器(LP)、电感电容压控振荡器(VCO)的电路结构和设计考虑。锁相环芯片采用0.13μm MS&RF CMOS工艺制造。测试结果表明,锁... 设计并实现了一种采用电感电容振荡器的电荷泵锁相环,分析了锁相环中鉴频/鉴相器(PFD)、电荷泵(CP)、环路滤波器(LP)、电感电容压控振荡器(VCO)的电路结构和设计考虑。锁相环芯片采用0.13μm MS&RF CMOS工艺制造。测试结果表明,锁相环锁定的频率为5.6～6.9 GHz。在6.25 GHz时,参考杂散为-51.57 dBc;1 MHz频偏处相位噪声为-98.35 dBc/Hz;10 MHz频偏处相位噪声为-120.3 dBc/Hz;在1.2 V/3.3 V电源电压下,锁相环的功耗为51.6 mW。芯片总面积为1.334 mm2。 展开更多

关键词 锁相环 电感电容振荡器 电荷泵 鉴频鉴相器 环路滤波器

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便携式电容电感测试系统设计 被引量：3

5

作者 刘富星 任全会 《郑州铁路职业技术学院学报》 2017年第1期6-9,共4页

为了解决传统的C(电容)、L(电感)测量仪器体积大、精度低的问题,提出了便携式电容电感测试系统,此系统运用电容(电感)-电压转换原理,把被测信号转换成电压信号进行计算和处理,系统的控制核心和数据处理中心是STC89C52单片机。测试结果表... 为了解决传统的C(电容)、L(电感)测量仪器体积大、精度低的问题,提出了便携式电容电感测试系统,此系统运用电容(电感)-电压转换原理,把被测信号转换成电压信号进行计算和处理,系统的控制核心和数据处理中心是STC89C52单片机。测试结果表明,此系统具有结构简单、体积小、精度高的优点,具有很高的应用价值。 展开更多

关键词 单片机 电容电感测量 模数转换

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用电容电感补偿法检测非磁性镀涂层厚度 被引量：1

6

作者 刘彦民 关继腾 《石油大学学报（自然科学版）》 CSCD 1995年第1期102-105,共4页

介绍了在铁磁性基体上镀、涂层厚度的电容电感补偿式检测方法的原理和影响实验结果的因素，新的检测方法具有较好的稳定性和重复性，保持了较高的灵敏度，测量范围大，应用范围广．

关键词 铁磁体 传感器 涂层 厚度 测量 电容电感补偿法

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利用MEMS技术制作MMIC的三维电容电感和滤波器 被引量：3

7

作者 张海涛 齐臣杰 刘理天 《世界电子元器件》 2001年第5期58-60,共3页

随着信息时代的发展,对于无线通信设备中的一些外接的分立元件的微型化、低功耗及可携带性提出了更高的要求.现在通常采用单片微波集成电路(MMIC)技术来制作微波电路器件.

关键词 MEMS技术 微波集成电路 三维电容电感 滤波器

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电阻电容电感分路的约瑟夫森结阵列中的混沌同步

8

作者 马苓 冯玉玲 任晓东 《长春理工大学学报（自然科学版）》 2013年第1期150-153,157,共5页

本文研究由两个串联的电阻电容电感分路的约瑟夫森结和一个耦合电阻组成的阵列,通过数值模拟给出了阵列系统随着直流偏置电流变化的分岔图和最大李雅普诺夫指数,分析了阵列系统进入混沌的方式,阐明了混沌状态和周期状态对应的参数区间... 本文研究由两个串联的电阻电容电感分路的约瑟夫森结和一个耦合电阻组成的阵列,通过数值模拟给出了阵列系统随着直流偏置电流变化的分岔图和最大李雅普诺夫指数,分析了阵列系统进入混沌的方式,阐明了混沌状态和周期状态对应的参数区间。并且利用混沌信号驱动法的理论提出了两个电阻电容电感分路的约瑟夫森结阵列混沌同步的方案,通过适当调节驱动强度使最大条件李雅普诺夫指数为负,完成混沌同步。 展开更多

关键词 混沌同步 电阻电容电感分路的约瑟夫森结阵列 条件李雅普诺夫指数

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微小片式多层陶瓷电容电感切割机

9

《中国科技产业》 2004年第3期79-79,共1页

关键词 陶瓷电容电感切割机 片式电子器件 切割精度 自动定位

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共面负折射指数波导的电容缺陷对传输特性的影响

10

作者 冯宇 吴健 +2 位作者 宋建平 钱兴中 杨华 《电子器件》 CAS 2008年第2期453-456,共4页

在实际负折射指数漏波天线加工中经常出现误差,文章研究了负折射指数漏波天线的电容缺陷对传输特性的影响。利用缺陷负折射指数理论,得出当电容缺陷刚引入时,传输特性变化极其明显,而电容缺陷变大时,传输特性变化将很小,因为间距的变化... 在实际负折射指数漏波天线加工中经常出现误差,文章研究了负折射指数漏波天线的电容缺陷对传输特性的影响。利用缺陷负折射指数理论,得出当电容缺陷刚引入时,传输特性变化极其明显,而电容缺陷变大时,传输特性变化将很小,因为间距的变化破坏了负折射指数漏波天线整体对称性。 展开更多

关键词 漏波负折射天线 缺陷电感和电容 负折射指数 传输属性

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陡化前沿Marx发生器的设计与初步实验 被引量：18

11

作者 高景明 刘永贵 +2 位作者 刘金亮 杨建华 龙霞锋 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期167-170,共4页

设计了10级同轴结构的陡化前沿Marx发生器，实现了电容储能型脉冲功率调制系统的小型化。该系统采用3nF低电感电容器作为储能电容，采用固体电阻作为充电电阻，通过各级短间隙气体火花开关迅速放电及级间紫外光耦合在50Ω负载上建立了... 设计了10级同轴结构的陡化前沿Marx发生器，实现了电容储能型脉冲功率调制系统的小型化。该系统采用3nF低电感电容器作为储能电容，采用固体电阻作为充电电阻，通过各级短间隙气体火花开关迅速放电及级间紫外光耦合在50Ω负载上建立了陡化前沿的输出电压波形。在考虑开关电极分散电容、等效传输线效应及回路电感等因素基础上，利用自击穿火花开关模型建立了等效放电电路模型，并利用PSpice电路模拟软件进行了数值模拟。根据数值模拟结果设计加工了10级陡化前沿的Marx发生器实验装置。在较低充电电压下（7kV与11kV），得到了初步实验结果，输出电压波形大致为方波，相对于传统Marx发生器输出前沿缓慢的三角波有较大改善，半高宽为40～50HS，前沿时间为十几ns，幅值约为41kV和57．5kV，实验结果与模拟结果基本一致。 展开更多

关键词 脉冲功率技术 MARX发生器 陡化前沿 低电感电容器 自击穿气体火花开关

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宽带低相噪CMOS LC VCO的设计 被引量：2

12

作者 王云峰 叶青 +1 位作者 满家汉 叶甜春 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期511-514,共4页

设计了一款宽带CMOSLCVCO,在分析VCO相位噪声来源的基础上,对VCO进行了结构优化和噪声滤除,并采用了开关电容阵列以增加带宽。电路采用0.18μmCMOS射频工艺进行流片验证,芯片面积为0.4mm×1mm。测试结果显示:芯片的工作频率为3.34～... 设计了一款宽带CMOSLCVCO,在分析VCO相位噪声来源的基础上,对VCO进行了结构优化和噪声滤除,并采用了开关电容阵列以增加带宽。电路采用0.18μmCMOS射频工艺进行流片验证,芯片面积为0.4mm×1mm。测试结果显示:芯片的工作频率为3.34～4.17GHz,中心频率为4.02GHz时输出功率是-9.11dBm,相位噪声为-120dBc/Hz@1MHz,在1.8V工作电压下的功耗为10mW。 展开更多

关键词 电感电容压控振荡器 宽带 噪声滤除 开关电容阵列

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3.7GHz宽带CMOS LC VCO的设计 被引量：1

13

作者 王云峰 叶青 +3 位作者 满家汉 吴永俊 陈勇 叶甜春 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第12期1126-1129,共4页

设计了一款3.7 GHz宽带CMOS电感电容压控振荡器。采用了电容开关的技术以补偿工艺、温度和电源电压的变化,并对片上电感和射频开关进行优化设计以得到最大的Q值。电路采用和舰0.18μm CMOS混合信号制造工艺,芯片面积为0.4 mm×1 mm... 设计了一款3.7 GHz宽带CMOS电感电容压控振荡器。采用了电容开关的技术以补偿工艺、温度和电源电压的变化,并对片上电感和射频开关进行优化设计以得到最大的Q值。电路采用和舰0.18μm CMOS混合信号制造工艺,芯片面积为0.4 mm×1 mm。测试结果显示,芯片的工作频率为3.4~4 GHz,根据输出频谱得到的相位噪声为-100 dBc/Hz@1 MHz,在1.8 V工作电压下的功耗为10 mW。测试结果表明,该VCO有较大的工作频率范围和较低的相位噪声性能,可以用于锁相环和频率合成器。 展开更多

关键词 电感电容压控振荡器 宽带 片上电感 射频开关 锁相环

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CMOS LC VCO中交叉耦合MOS管的结构和特点 被引量：2

14

作者 宁彦卿 王志华 陈弘毅 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期21-25,共5页

在近年来的文献报道中,CMOS LC VCO中交叉耦合MOS管的电路结构变化多端。在不同的设计中,MOS管的类型、数目和连接方式有很多不同的结构。从其基本结构出发总结这些结构,就不同结构MOS管电路对振荡器性能做了简要分析。着重介绍了近年... 在近年来的文献报道中,CMOS LC VCO中交叉耦合MOS管的电路结构变化多端。在不同的设计中,MOS管的类型、数目和连接方式有很多不同的结构。从其基本结构出发总结这些结构,就不同结构MOS管电路对振荡器性能做了简要分析。着重介绍了近年来在理论认识,低电压、低相位噪声和宽频率覆盖设计方面所做的努力。 展开更多

关键词 互补金属氧化物半导体 电感电容压控振荡器 交叉耦合 低电压 宽频带

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低相位噪声压控振荡器设计 被引量：1

15

作者 贺勇 曾健平 +1 位作者 文华峰 谢海情 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第11期992-994,共3页

分析了LC压控振荡器（VCO）相位噪声,通过改进电路结构,采用PMOS和NMOS管做负阻管,在尾电流源处加入电感电容滤波,优化电感设计,设计了一种高性能压控振荡器。采用TSMC 0.18μm IP6M CMOS RF工艺,利用Cadence中的Spectre RF工具对电路... 分析了LC压控振荡器（VCO）相位噪声,通过改进电路结构,采用PMOS和NMOS管做负阻管,在尾电流源处加入电感电容滤波,优化电感设计,设计了一种高性能压控振荡器。采用TSMC 0.18μm IP6M CMOS RF工艺,利用Cadence中的Spectre RF工具对电路进行仿真。在电路的偏置电流为6 mA、电源电压VDD=1.8 V时,输入控制电压为0.8-1.8 V,输出频率变化为1.29-1.51 GHz,调谐范围为12.9%,相位噪声为-134.4 dBc/Hz@1MHz,功耗仅为10.8 mW。 展开更多

关键词 压控振荡器 相位噪声 电感电容滤波 互补MOS

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一种用于GPS波段的低相噪VCO设计 被引量：2

16

作者 许亚兰 江金光 刘俐 《电子技术应用》 北大核心 2012年第2期47-49,共3页

设计了一种工作频率为1.8 GHz的低相噪频率可调的LC压控振荡器电路。该压控振荡器采用AMOS管作为变容二极管,提高了频率的调谐范围。为了降低电路的相位噪声,设计中采用了PMOS顶部偏置电路代替底部的NMOS偏置电路,并在电路中串联了一个... 设计了一种工作频率为1.8 GHz的低相噪频率可调的LC压控振荡器电路。该压控振荡器采用AMOS管作为变容二极管,提高了频率的调谐范围。为了降低电路的相位噪声,设计中采用了PMOS顶部偏置电路代替底部的NMOS偏置电路,并在电路中串联了一个大电容以滤除电路中的高频噪声。仿真测试结果表明,该电路在1 MHz频偏时其相位噪声为-116.5 dBc/Hz。 展开更多

关键词 GPS 相位噪声 电感电容压控振荡器 互补金属氧化物半导体

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低功耗宽带CMOS LC-VCO设计 被引量：2

17

作者 肖时茂 马成炎 叶甜春 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期85-89,共5页

基于电容调谐无尾电流源互补-Gm VCO，提出了一种新的宽带VCO功耗优化的方法。通过改变四个累积型可变电容（AMOS）的偏置电压实现对电容调谐曲线补偿，使频率调谐曲线在整个控制电压范围内接近线性化，从而实现宽的频率调谐范围。采用... 基于电容调谐无尾电流源互补-Gm VCO，提出了一种新的宽带VCO功耗优化的方法。通过改变四个累积型可变电容（AMOS）的偏置电压实现对电容调谐曲线补偿，使频率调谐曲线在整个控制电压范围内接近线性化，从而实现宽的频率调谐范围。采用标准0．18／μm 1P6MRFCMOS工艺设计了一款3～3．6GHz频率范围LC-VCO。测试结果表明，整个VCO包含输出缓冲在内，面积为0．45mm^2，工作在1．5V电源下，电流为1．8mA，输出相位噪声在200kHz偏移处为-93dBc／Hz。 展开更多

关键词 电感电容压控振荡器 功耗优化 调谐曲线补偿

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一种带有开关电流源的低相噪压控振荡器 被引量：3

18

作者 吕志强 陈岚 《太赫兹科学与电子信息学报》 2014年第3期466-470,共5页

提出一种带有开关电流源的电感电容压控振荡器(LC VCO)。该技术通过反馈电容将电感电容压控振荡器的输出耦合到电流源,形成了电流源的开关特性,从而减小了电感电容压控振荡器的相位噪声。提出的电感电容压控振荡器采用华虹NEC的0.18μm ... 提出一种带有开关电流源的电感电容压控振荡器(LC VCO)。该技术通过反馈电容将电感电容压控振荡器的输出耦合到电流源,形成了电流源的开关特性,从而减小了电感电容压控振荡器的相位噪声。提出的电感电容压控振荡器采用华虹NEC的0.18μm SiGe BiCMOS工艺,工作频率为5.7 GHz,相位噪声为-113.0 dBc/Hz@1MHz,功耗为2.3 mA。在其他性能相同的情况下,提出的电感电容压控振荡器的振荡频率比典型的电感电容压控振荡器的相位噪声小4.5 dB。 展开更多

关键词 电感电容压控振荡器 开关电流源 振荡频率 相位噪声

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自调谐VCO频段选择技术比较与设计 被引量：2

19

作者 黄水龙 王志华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第10期54-57,72,共5页

系统分析了自凋谐的必要性和各种具有频段选择功能的LC VCO(电感电容压控振荡器)的特点, 设计了一种可以应用于自调谐的LC VCO结构。该压控振荡器用5层金属O.25 μm的标准CMOS工艺制造完成,测试结果表明,该压控振荡器在电源电压为2.7V... 系统分析了自凋谐的必要性和各种具有频段选择功能的LC VCO(电感电容压控振荡器)的特点, 设计了一种可以应用于自调谐的LC VCO结构。该压控振荡器用5层金属O.25 μm的标准CMOS工艺制造完成,测试结果表明,该压控振荡器在电源电压为2.7V时的功耗约为14mW,它具有约180MHz的调谐范围,在振荡中心频率为1.52GHz时的单边带相位噪声为-110dBc/Hz@1MHz。 展开更多

关键词 电感电容压控振荡器 自调谐 变容管

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应用于WSN的0.5V 4.8GHz CMOS LC VCO设计 被引量：1

20

作者 李智群 赵晟 《解放军理工大学学报（自然科学版）》 EI 北大核心 2012年第6期611-614,共4页

为设计一个可应用于无线传感网的0.5V4.8GHz CMOS LC压控振荡器,采用传统差分负阻结构的电感电容VCO核心电路,添加开关电容阵列增大VCO的调谐范围,利用升压电路和反相器的组合提高控制信号产生电路的性能,通过调节负阻管的宽长比等方法... 为设计一个可应用于无线传感网的0.5V4.8GHz CMOS LC压控振荡器,采用传统差分负阻结构的电感电容VCO核心电路,添加开关电容阵列增大VCO的调谐范围,利用升压电路和反相器的组合提高控制信号产生电路的性能,通过调节负阻管的宽长比等方法来优化VCO的相位噪声性能,保证VCO能在0.5V的低供电电压下稳定工作,相位噪声达到-119.3dBc/Hz@1MHz,VCO的频率调谐范围为4.3～5.3GHz,相位噪声小于-115dBc/Hz@1 MHz,最低可达-121.2dBc/Hz@1 MHz,核心电路电流约为2.6mA,满足无线传感网的应用要求。 展开更多

关键词 CMOS工艺 电感电容压控振荡器 相位噪声 开关电容阵列 升压电路

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