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MPCVD合成P型金刚石薄膜的电导—温度机理
被引量：
1
1
作者
贾宇明
杨邦朝
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第1期46-47,共2页
研究了温度对 P型金刚石薄膜电导性能的影响。采用微波等离子体化学气相沉积 ( MPCVD)的方法在 Si3N4 基片上制作了掺硼金刚石薄膜。测量了不同掺硼浓度的电导温度特性关系 ,提出了一种简化的能带模型 ,解释了电导机理。基于能带模型计...
研究了温度对 P型金刚石薄膜电导性能的影响。采用微波等离子体化学气相沉积 ( MPCVD)的方法在 Si3N4 基片上制作了掺硼金刚石薄膜。测量了不同掺硼浓度的电导温度特性关系 ,提出了一种简化的能带模型 ,解释了电导机理。基于能带模型计算出的电导—温度关系结果与试验结果相符合。
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关键词
P型
金刚石
薄膜
MPCVD
电导-温度机理
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职称材料
题名
MPCVD合成P型金刚石薄膜的电导—温度机理
被引量：
1
1
作者
贾宇明
杨邦朝
机构
电子科技大学信息材料工程学院
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第1期46-47,共2页
基金
国家自然科学基金
文摘
研究了温度对 P型金刚石薄膜电导性能的影响。采用微波等离子体化学气相沉积 ( MPCVD)的方法在 Si3N4 基片上制作了掺硼金刚石薄膜。测量了不同掺硼浓度的电导温度特性关系 ,提出了一种简化的能带模型 ,解释了电导机理。基于能带模型计算出的电导—温度关系结果与试验结果相符合。
关键词
P型
金刚石
薄膜
MPCVD
电导-温度机理
Keywords
P type diamond film,MPCVD,conductivity temperature mechanism.energy band model
分类号
TN304.18 [电子电信—物理电子学]
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
MPCVD合成P型金刚石薄膜的电导—温度机理
贾宇明
杨邦朝
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998
1
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