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题名基于Si-SOI键合工艺的CMUT二维面阵研制
被引量：1
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作者
王月
何常德
张文栋
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机构
中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室
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出处
《压电与声光》
CAS
北大核心
2021年第4期528-532,共5页
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基金
国家重点研发计划基金资助项目(2018YFF01010500)
国家重点研发计划基金资助项目(2016YFC0105000)
+2 种基金
国家重大科研仪器研制基金资助项目(61927807)
国家电网公司科技基金资助项目(SGSXSZOOFCWT2000147)
山西省“1331工程”重点学科建设计划基金资助项目。
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文摘
该文设计、制作并测试了一种用于实时三维超声成像的电容式微机械超声换能器(CMUT)二维面阵。根据二维面阵指向性分析,设计了中心频率1 MHz、阵元间距0.7λ(λ为波长)的16×16阵元CMUT二维面阵,并利用硅-绝缘体上硅(Si-SOI)键合工艺完成了CMUT二维面阵的加工。通过对CMUT二维面阵进行电容-电压(C-V)测试,发现静态电容测试值与设计值基本一致,测量了CMUT二维面阵中64个阵元的电容,测量的平均电容为26.3 pF,其标准差为4.27 pF,验证了所制造的器件具有良好的均匀性。在水中测试了CMUT二维面阵的超声发射和接收功能,得到测试距离与实际距离偏差不到1%,实验表明,不同距离下CMUT的发射和接收能力良好。
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关键词
电容式微机械超声换能器(CMUT)
二维面阵
硅-绝缘体上硅(Si-SOI)键合
电容-电压(C-V)测试
收发特性
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Keywords
CMUT
2D array
Si-SOI bonding
C-V test
transceiver characteristic
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分类号
TN305
[电子电信—物理电子学]
TB552
[理学—声学]
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题名对低温下制得的CdS薄膜电学性质的研究
被引量：2
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作者
陈婷婷
王瑞林
姜春萍
赵北君
朱世富
王育伟
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机构
四川大学材料科学与工程学院材料科学系新能源研究室
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出处
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第6期746-748,共3页
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基金
科技部"八六三"基金资助项目(2006AA05Z102)
教育部新世纪优秀人才基金资助项目(NECT-04-0878)
+1 种基金
教育部博士点基金资助项目(20060610023)
教育部留学基金委资助项目(JH20041291627591)
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文摘
采用化学水浴沉积法研究在低温条件下以及硫尿浓度不同的溶液中生长出的硫化镉薄膜的电学性质。采用X-射线衍射(XRD)仪确定退火后的样品是六方相,在(002)、(112)和(004)方向优势生长;使用紫外-可见分光光度计发现各样品的光学性质符合硫化镉作为窗口材料的要求;利用原子力显微镜发现各样品的晶粒形状、均匀性和致密性差异较大;利用化学工作站进行样品的电容-电压测试发现,各样品的掺杂浓度差异很大,其中有的样品掺杂浓度为1.2×1017cm-3,这样的掺杂浓度适合制造光电器件。
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关键词
CDS薄膜
化学水浴沉积法(CBD)
电容-电压测试
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Keywords
CdS thin films
chemical bath deposition （CBD）
capacitance-voltage measurement
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分类号
TN304.25
[电子电信—物理电子学]
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