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TiO2电容-压敏陶瓷制备工艺研究进展
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作者 孟凡明 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A02期570-572,共3页
TiO2电容-压敏陶瓷非线性伏安特性和介电性能优良,具有吸收高频噪声和过电压保护的功能。综述了TiO2电容-压敏陶瓷的粉体制备、成型、烧结工艺、烧成制度以及烧结气氛等工艺过程的研究现状,并对其进行了展望。
关键词 TiO2电容-压敏陶瓷 压敏电压 非线性系数 介电常数 工艺
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计算机智能化在SrTiO_3系电容─压敏陶瓷制备中的应用
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作者 邹秦 张清琦 孟中岩 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第4期55-59,共5页
将计算机的智能系统应用于电容-压敏材料的研制.提出了对SrTiO3系电容-压敏陶瓷的制备进行智能化设计的思想和实施方案.在大量实验数据的基础上,建立了数据库和智能设计系统.对电容-压敏陶瓷进行了优化设计,通过实践。
关键词 电容-压敏陶瓷 数据库 计算机 钛酸锶电容 电容
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SrTiO_3基多功能陶瓷的晶界结构与晶界能
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作者 邹秦 孟中岩 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第1期1-6,共6页
用高分辩透射电子显微镜(HREM)观察和分析了SrTiO_3陶瓷中洁净晶界的结构。提出了晶界处原子排布模型,用弹性位错理论推出了描述晶界能与晶粒间失配角关系的方程,晶界能由晶界核心能和伴有晶界应变场的弹性位错能组成,... 用高分辩透射电子显微镜(HREM)观察和分析了SrTiO_3陶瓷中洁净晶界的结构。提出了晶界处原子排布模型,用弹性位错理论推出了描述晶界能与晶粒间失配角关系的方程,晶界能由晶界核心能和伴有晶界应变场的弹性位错能组成,通过对[111]和[110]倾斜晶界晶界能的摸拟,证实了该模型的可行性。 展开更多
关键词 陶瓷 位错 晶界结构 晶界能 电容-压敏陶瓷 HREM
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