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Bi_2O_3掺杂对Nb_2O_5-TiO_2电容-压敏双功能陶瓷的影响被引量：1: 1; 作者胡连峰唐超群 +3 位作者周文斌薛霞黄金球马新国《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期877-879,共3页; 研究了Bi2O3掺杂对Nb2O5-TiO2电容压敏双功能陶瓷材料的烧结温度,相对介电常数,非线性,压敏电压的影响。实验发现,烧结温度为1200℃,Bi2O3掺杂量为0.2%时,非线性系数α高达6.6148;Bi2O3掺杂量为1.0%时,相对介电常数εr高达1.3733×... 展开更多; 关键词 TIO2 Bi2O3掺杂电容-压敏非线性; 在线阅读下载PDF 职称材料

SrTiO_3系电容-压敏复合功能陶瓷的研究进展: 2; 作者徐庆陈文 +1 位作者周静崔万秋《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期38-39,43,共3页; 介绍了SrTiO_3系电容-压敏复合功能陶瓷的制备方法及其复合功能效应的机理,综述了当前有关研究的进展,评述了晶粒特性和晶界特性对复合功能效应的影响。; 关键词电容-压敏复合功能陶瓷半导体陶瓷; 在线阅读下载PDF 职称材料

SrTiO_3片式化压敏-电容双功能元件研究被引量：2: 3; 作者郝俊红曹全喜《压电与声光》 CSCD 北大核心 2005年第3期235-239,共5页; 阐述了SrTiO3片式化压敏-电容双功能元件的制作工艺、陶瓷成分及结构,并讨论了陶瓷成分、结构及烧结工艺对元件压敏、电容性能的影响。; 关键词 SRTIO3 电容-压敏片式元件烧结; 在线阅读下载PDF 职称材料

计算机智能化在SrTiO_3系电容─压敏陶瓷制备中的应用: 4; 作者邹秦张清琦孟中岩《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第4期55-59,共5页; 将计算机的智能系统应用于电容－压敏材料的研制．提出了对ＳｒＴｉＯ３系电容－压敏陶瓷的制备进行智能化设计的思想和实施方案．在大量实验数据的基础上，建立了数据库和智能设计系统．对电容－压敏陶瓷进行了优化设计，通过实践。; 关键词电容-压敏陶瓷数据库计算机钛酸锶电容电容; 在线阅读下载PDF 职称材料

SrTiO_3基多功能陶瓷的晶界结构与晶界能: 5; 作者邹秦孟中岩《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第1期1-6,共6页; 用高分辩透射电子显微镜（ＨＲＥＭ）观察和分析了ＳｒＴｉＯ＿３陶瓷中洁净晶界的结构。提出了晶界处原子排布模型，用弹性位错理论推出了描述晶界能与晶粒间失配角关系的方程，晶界能由晶界核心能和伴有晶界应变场的弹性位错能组成，... 展开更多; 关键词陶瓷位错晶界结构晶界能电容-压敏陶瓷 HREM; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Bi_2O_3掺杂对Nb_2O_5-TiO_2电容-压敏双功能陶瓷的影响被引量：1: 1; 作者胡连峰唐超群周文斌薛霞黄金球马新国; 机构华中科技大学物理系; 出处《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期877-879,共3页; 文摘研究了Bi2O3掺杂对Nb2O5-TiO2电容压敏双功能陶瓷材料的烧结温度,相对介电常数,非线性,压敏电压的影响。实验发现,烧结温度为1200℃,Bi2O3掺杂量为0.2%时,非线性系数α高达6.6148;Bi2O3掺杂量为1.0%时,相对介电常数εr高达1.3733×104。烧结温度在1450℃时,压敏电压最低,Eb=1.979 V.mm-1。; 关键词 TIO2 Bi2O3掺杂电容-压敏非线性; Keywords TiO2 doping of Bi2O3 capacitor-varistor nonlinearity; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学] TN379 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SrTiO_3系电容-压敏复合功能陶瓷的研究进展: 2; 作者徐庆陈文周静崔万秋; 机构武汉工业大学材料学院材料教研室武汉工业大学材料学院; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期38-39,43,共3页; 文摘介绍了SrTiO_3系电容-压敏复合功能陶瓷的制备方法及其复合功能效应的机理,综述了当前有关研究的进展,评述了晶粒特性和晶界特性对复合功能效应的影响。; 关键词电容-压敏复合功能陶瓷半导体陶瓷; Keywords SrTiO_3,capacitor-varistor,multifunctional ceramie; 分类号 TN304.82 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SrTiO_3片式化压敏-电容双功能元件研究被引量：2: 3; 作者郝俊红曹全喜; 机构郑州轻工业学院技术物理系西安电子科技大学技术物理学院; 出处《压电与声光》 CSCD 北大核心 2005年第3期235-239,共5页; 文摘阐述了SrTiO3片式化压敏-电容双功能元件的制作工艺、陶瓷成分及结构,并讨论了陶瓷成分、结构及烧结工艺对元件压敏、电容性能的影响。; 关键词 SRTIO3 电容-压敏片式元件烧结; Keywords SrTiO_3 capacitor- varistor chip component sinter; 分类号 TM283 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名计算机智能化在SrTiO_3系电容─压敏陶瓷制备中的应用: 4; 作者邹秦张清琦孟中岩; 出处《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第4期55-59,共5页; 基金国家教委博士点基金资助项目; 文摘将计算机的智能系统应用于电容－压敏材料的研制．提出了对ＳｒＴｉＯ３系电容－压敏陶瓷的制备进行智能化设计的思想和实施方案．在大量实验数据的基础上，建立了数据库和智能设计系统．对电容－压敏陶瓷进行了优化设计，通过实践。; 关键词电容-压敏陶瓷数据库计算机钛酸锶电容电容; Keywords capacitor varistor ceramics database intelligent system; 分类号 TQ174.756 [化学工程—陶瓷工业] TM534.1 [电气工程—电器]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SrTiO_3基多功能陶瓷的晶界结构与晶界能: 5; 作者邹秦孟中岩; 出处《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第1期1-6,共6页; 文摘用高分辩透射电子显微镜（ＨＲＥＭ）观察和分析了ＳｒＴｉＯ＿３陶瓷中洁净晶界的结构。提出了晶界处原子排布模型，用弹性位错理论推出了描述晶界能与晶粒间失配角关系的方程，晶界能由晶界核心能和伴有晶界应变场的弹性位错能组成，通过对［１１１］和［１１０］倾斜晶界晶界能的摸拟，证实了该模型的可行性。; 关键词陶瓷位错晶界结构晶界能电容-压敏陶瓷 HREM; Keywords ceramics grain boundary dislocation HREM; 分类号 TQ174.75 [化学工程—陶瓷工业]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	Bi_2O_3掺杂对Nb_2O_5-TiO_2电容-压敏双功能陶瓷的影响	胡连峰唐超群周文斌薛霞黄金球马新国	《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心	2006	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	SrTiO_3系电容-压敏复合功能陶瓷的研究进展	徐庆陈文周静崔万秋	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	1997	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	SrTiO_3片式化压敏-电容双功能元件研究	郝俊红曹全喜	《压电与声光》 CSCD 北大核心	2005	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	计算机智能化在SrTiO_3系电容─压敏陶瓷制备中的应用	邹秦张清琦孟中岩	《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1996	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	SrTiO_3基多功能陶瓷的晶界结构与晶界能	邹秦孟中岩	《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1995	0	在线阅读下载PDF 职称材料