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题名稀土掺杂对钛酸钡陶瓷介电性能的影响规律
被引量：10
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作者
唐斌
张树人
周晓华
尧彬
李波
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机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2007年第1期65-67,共3页
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文摘
在BaTiO3(BT)-Nb2O5-ZnO系统中引入硼硅酸盐助烧剂,加入不同稀土氧化物(Y,Nd,Gd,Ho,Yb,Er,Pr,Dy,La,Ce)对BT进行介电性能研究,以期获得中烧X7R陶瓷材料。研究发现,不同稀土氧化物对BT陶瓷电容量温度变化曲线低温峰(约40℃)和高温峰(约127℃)的影响可分为3类。其改性机理可用掺杂后晶粒壳与晶粒芯体积分数的变化来解释。对比上述三种典型的稀土掺杂后BT陶瓷的电镜扫描(SEM)照片得出,不同稀土掺杂BT的室温介电常数与掺杂后BT陶瓷的晶粒生长情况密切相关。
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关键词
X7R
钛酸钡
稀土掺杂
介电性能
电容量温度变化率
介温特性
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Keywords
X7R
barium titanate
rare earth doping
dielectric properties
variation of capacitance with temperature
dielectric temperature characteristics
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分类号
TM534
[电气工程—电器]
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