电感电容压控振荡器调谐曲线的时域分析 被引量：3

1

作者 唐长文 何捷 +2 位作者 菅洪彦 张海青 闵昊 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1467-1472,共6页

本文提出了一种基于周期计算技术的压控振荡器频率-电压调谐曲线的分析方法.在传统的谐波平衡近似方法中,通过大信号非线性分析方法可以计算出一个周期内可变电容的有效电容值.然而通过有效电容推导的调谐曲线并不准确,况且如果高阶谐... 本文提出了一种基于周期计算技术的压控振荡器频率-电压调谐曲线的分析方法.在传统的谐波平衡近似方法中,通过大信号非线性分析方法可以计算出一个周期内可变电容的有效电容值.然而通过有效电容推导的调谐曲线并不准确,况且如果高阶谐波分量不可以忽略的话,谐波平衡近似分析方法将会变得很复杂.本文提出的周期计算方法所得到的振荡调谐曲线比传统谐波平衡近似分析方法更加精确.在0.35μm2P4MCMOS工艺上实现的电感电容压控振荡器的实验测试证明了该理论分析的正确性. 展开更多

关键词 MOS管可变电容 电感电容回路 压控振荡器 累积型MOS管 振荡调谐曲线

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低相位噪声压控振荡器设计 被引量：1

2

作者 贺勇 曾健平 +1 位作者 文华峰 谢海情 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第11期992-994,共3页

分析了LC压控振荡器（VCO）相位噪声,通过改进电路结构,采用PMOS和NMOS管做负阻管,在尾电流源处加入电感电容滤波,优化电感设计,设计了一种高性能压控振荡器。采用TSMC 0.18μm IP6M CMOS RF工艺,利用Cadence中的Spectre RF工具对电路... 分析了LC压控振荡器（VCO）相位噪声,通过改进电路结构,采用PMOS和NMOS管做负阻管,在尾电流源处加入电感电容滤波,优化电感设计,设计了一种高性能压控振荡器。采用TSMC 0.18μm IP6M CMOS RF工艺,利用Cadence中的Spectre RF工具对电路进行仿真。在电路的偏置电流为6 mA、电源电压VDD=1.8 V时,输入控制电压为0.8-1.8 V,输出频率变化为1.29-1.51 GHz,调谐范围为12.9%,相位噪声为-134.4 dBc/Hz@1MHz,功耗仅为10.8 mW。 展开更多

关键词 压控振荡器 相位噪声 电感电容滤波 互补MOS

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一种带有开关电流源的低相噪压控振荡器 被引量：3

3

作者 吕志强 陈岚 《太赫兹科学与电子信息学报》 2014年第3期466-470,共5页

提出一种带有开关电流源的电感电容压控振荡器(LC VCO)。该技术通过反馈电容将电感电容压控振荡器的输出耦合到电流源,形成了电流源的开关特性,从而减小了电感电容压控振荡器的相位噪声。提出的电感电容压控振荡器采用华虹NEC的0.18μm ... 提出一种带有开关电流源的电感电容压控振荡器(LC VCO)。该技术通过反馈电容将电感电容压控振荡器的输出耦合到电流源,形成了电流源的开关特性,从而减小了电感电容压控振荡器的相位噪声。提出的电感电容压控振荡器采用华虹NEC的0.18μm SiGe BiCMOS工艺,工作频率为5.7 GHz,相位噪声为-113.0 dBc/Hz@1MHz,功耗为2.3 mA。在其他性能相同的情况下,提出的电感电容压控振荡器的振荡频率比典型的电感电容压控振荡器的相位噪声小4.5 dB。 展开更多

关键词 电感电容压控振荡器 开关电流源 振荡频率 相位噪声

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压控振荡器组件的改进设计 被引量：1

4

作者 汶迎春 赵素梅 赵健 《电子科技》 2012年第8期20-22,共3页

介绍了某导航设备频率合成器的原理。针对导航设备压控振荡器组件故障率高的缺点,对其进行了改进设计。设计中压控振荡器组件采用改进型电容三点式振荡电路,并对组件的实现方法进行了阐述。经过生产验证,新压控振荡器组件生产性好、调... 介绍了某导航设备频率合成器的原理。针对导航设备压控振荡器组件故障率高的缺点,对其进行了改进设计。设计中压控振荡器组件采用改进型电容三点式振荡电路,并对组件的实现方法进行了阐述。经过生产验证,新压控振荡器组件生产性好、调试量小、输出频率稳定、抗震性好、工作可靠、满足整机性能指标,完全可以替代原压控振荡器组件。 展开更多

关键词 锁相环路 压控振荡器 改进型电容三点式振荡电路 电感三点式振荡电路

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Ku波段0.18μm CMOS压控振荡器电路设计 被引量：1

5

作者 冯海洋 杜慧敏 +1 位作者 张博 明远先 《电子技术应用》 北大核心 2014年第4期32-34,38,共4页

在TSMC 0.18μm RF CMOS工艺下设计了一个Ku波段电感电容压控振荡器,该电路采用NMOS交叉耦合型,结合滤波技术降低相位噪声,并利用开关电容阵列为其扩频,使电路获得卓越的性能。后仿真结果表明,该电路实现了10 GHz^14 GHz的宽调频,在整... 在TSMC 0.18μm RF CMOS工艺下设计了一个Ku波段电感电容压控振荡器,该电路采用NMOS交叉耦合型,结合滤波技术降低相位噪声,并利用开关电容阵列为其扩频,使电路获得卓越的性能。后仿真结果表明,该电路实现了10 GHz^14 GHz的宽调频,在整个频带内其相位噪声低于-112 dBc/Hz在1 MHz的偏移处;在1.8 V的电压下,核心电路工作电流为5 mA。 展开更多

关键词 电感电容压控振荡器 KU波段 相位噪声

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用于微波通信的2.4 GHz压控振荡器优化设计 被引量：4

6

作者 段文娟 刘博 +3 位作者 王金婵 张金灿 刘敏 孟庆端 《压电与声光》 CAS 北大核心 2020年第4期461-465,476,共6页

该文提出了一种频率为2.4 GHz的低功耗低相位噪声的改进型电容电感型压控振荡器(LC-VCO)。采用有源金属氧化物半导体(MOS)晶体管取代电阻和电容以优化电路结构,有效减小版图面积和功耗,同时抑制无源器件引起电路精度的恶化,提升VCO综合... 该文提出了一种频率为2.4 GHz的低功耗低相位噪声的改进型电容电感型压控振荡器(LC-VCO)。采用有源金属氧化物半导体(MOS)晶体管取代电阻和电容以优化电路结构,有效减小版图面积和功耗,同时抑制无源器件引起电路精度的恶化,提升VCO综合性能。基于TSMC 65 nm/1.8 V CMOS工艺进行电路设计和仿真,结合理论建模和小信号等效电路分析,调试关键MOS器件参数。结果表明,改进后的VCO的调谐范围从2.365~2.506 GHz,调谐带宽为141 MHz,-127.272 dBc/Hz@1 MHz的相位噪声,1.8 V电源电压下功耗低至1.323 mW,综合优值高达-193.84 dBc·Hz-1,优于多数同频段同类型的压控振荡器。 展开更多

关键词 电容电感型压控振荡器(lc-vco) 低功耗 低相位噪声 LS频段 优化设计

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应用于DAB系统Ⅲ波段的LC压控振荡器设计研究 被引量：1

7

作者 玄甲辉 《现代信息科技》 2019年第14期36-38,共3页

在通信领域中,频率合成器扮演着越来越重要的角色,它可以为不同标准的无线收发机提供可编程低噪声的稳定本振信号,其性能可决定整个无线收发系统的性能,而在频率合成器中,又以VCO的设计为重中之重。本文即是对应用于数字音频广播接收机... 在通信领域中,频率合成器扮演着越来越重要的角色,它可以为不同标准的无线收发机提供可编程低噪声的稳定本振信号,其性能可决定整个无线收发系统的性能,而在频率合成器中,又以VCO的设计为重中之重。本文即是对应用于数字音频广播接收机系统Ⅲ波段的电感电容压控振荡器设计的研究。本文设计了一种应用于Ⅲ波段的正交差分输出压控振荡器。电路后仿真结果显示,核心电路电流为5.2mA,在调谐电压范围为0.3~1.5V条件下,输出振荡频率范围可达到323.2~514.2MHz,完全覆盖Ⅲ波段所需要的频率范围;同时,最差条件下的相位噪声为-121dBc/Hz@1MHz,满足设计指标。 展开更多

关键词 数字音频广播 电感电容压控振荡器 频率合成器 电路设计

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切换式调谐CMOS压控振荡器

8

作者 吴? 周帅林 《电子器件》 CAS 2003年第3期269-272,共4页

在现有的CMOSRF工艺条件下,利用"切换式调谐"设计思想完成了宽带调谐的压控振荡器(VCO)的电路设计和版图设计,用CandenceSpectreRF软件进行了模拟。结果表明,该VCO在保证其它性能指标的同时,实现了宽的频率覆盖。

关键词 射频 压控振荡器 平面螺旋电感 开关电容 调谐范围

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低功耗宽带CMOS LC-VCO设计 被引量：2

9

作者 肖时茂 马成炎 叶甜春 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期85-89,共5页

基于电容调谐无尾电流源互补-Gm VCO，提出了一种新的宽带VCO功耗优化的方法。通过改变四个累积型可变电容（AMOS）的偏置电压实现对电容调谐曲线补偿，使频率调谐曲线在整个控制电压范围内接近线性化，从而实现宽的频率调谐范围。采用... 基于电容调谐无尾电流源互补-Gm VCO，提出了一种新的宽带VCO功耗优化的方法。通过改变四个累积型可变电容（AMOS）的偏置电压实现对电容调谐曲线补偿，使频率调谐曲线在整个控制电压范围内接近线性化，从而实现宽的频率调谐范围。采用标准0．18／μm 1P6MRFCMOS工艺设计了一款3～3．6GHz频率范围LC-VCO。测试结果表明，整个VCO包含输出缓冲在内，面积为0．45mm^2，工作在1．5V电源下，电流为1．8mA，输出相位噪声在200kHz偏移处为-93dBc／Hz。 展开更多

关键词 电感电容压控振荡器 功耗优化 调谐曲线补偿

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一种带有升压电路的0.5V 3GHz低功耗LC VCO设计

10

作者 周海峰 韩雁 +2 位作者 董树荣 韩晓霞 王春晖 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期90-93,共4页

采用标准的0.13μm CMOS工艺实现了0.5V电源电压,3GHz LC压控振荡器。为了适应低电压工作,并实现低相位噪声,该压控振荡器采用了NMOS差分对的电压偏置振荡器结构,去除尾电流,以尾电感代替,采用感性压控端,增加升压电路结构使变容管的一... 采用标准的0.13μm CMOS工艺实现了0.5V电源电压,3GHz LC压控振荡器。为了适应低电压工作,并实现低相位噪声,该压控振荡器采用了NMOS差分对的电压偏置振荡器结构,去除尾电流,以尾电感代替,采用感性压控端,增加升压电路结构使变容管的一端升压,这样控制电压变化范围得到扩展。测试结果显示,当电源电压为0.5V,振荡频率为3.126GHz时,在相位噪声为-113.83dBc/Hz@1MHz,调谐范围为12%,核心电路功耗仅1.765mW,该振荡器的归一化品质因数可达-186.2dB,芯片面积为0.96mm×0.9mm。 展开更多

关键词 低压 低功耗 低相位噪声 电感电容压控振荡器

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一种LC-VCO1/f^3相位噪声优化方法

11

作者 霍允杰 王海永 陈岚 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第11期825-828,855,共5页

建立了差分互补型电感电容压控振荡器(LC-VCO)的等效分析模型。采用有效截止频率fT,eff来表征MOS管的充放电能力,结合振荡器起振后共模输出电压下降的现象,提出了优化1/f3相位噪声的方法。采用该方法并结合跨导效率gm/ID设计方法,实现了... 建立了差分互补型电感电容压控振荡器(LC-VCO)的等效分析模型。采用有效截止频率fT,eff来表征MOS管的充放电能力,结合振荡器起振后共模输出电压下降的现象,提出了优化1/f3相位噪声的方法。采用该方法并结合跨导效率gm/ID设计方法,实现了LC-VCO 1/f3相位噪声的优化,并在0.18μm CMOS工艺上获得验证。结果表明,该优化方法可以使频偏在1 k Hz以内的相位噪声改善2~3 d B,可用于开环LC-VCO作为本振的低功耗无线收发机及高性能晶体振荡器的电路设计中。 展开更多

关键词 相位噪声 低功耗 电感电容压控振荡器(lc-vco) 跨导效率 有效截止频率

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宽带低相噪CMOS LC VCO的设计 被引量：2

12

作者 王云峰 叶青 +1 位作者 满家汉 叶甜春 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期511-514,共4页

设计了一款宽带CMOSLCVCO,在分析VCO相位噪声来源的基础上,对VCO进行了结构优化和噪声滤除,并采用了开关电容阵列以增加带宽。电路采用0.18μmCMOS射频工艺进行流片验证,芯片面积为0.4mm×1mm。测试结果显示:芯片的工作频率为3.34～... 设计了一款宽带CMOSLCVCO,在分析VCO相位噪声来源的基础上,对VCO进行了结构优化和噪声滤除,并采用了开关电容阵列以增加带宽。电路采用0.18μmCMOS射频工艺进行流片验证,芯片面积为0.4mm×1mm。测试结果显示:芯片的工作频率为3.34～4.17GHz,中心频率为4.02GHz时输出功率是-9.11dBm,相位噪声为-120dBc/Hz@1MHz,在1.8V工作电压下的功耗为10mW。 展开更多

关键词 电感电容压控振荡器 宽带 噪声滤除 开关电容阵列

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3.7GHz宽带CMOS LC VCO的设计 被引量：1

13

作者 王云峰 叶青 +3 位作者 满家汉 吴永俊 陈勇 叶甜春 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第12期1126-1129,共4页

设计了一款3.7 GHz宽带CMOS电感电容压控振荡器。采用了电容开关的技术以补偿工艺、温度和电源电压的变化,并对片上电感和射频开关进行优化设计以得到最大的Q值。电路采用和舰0.18μm CMOS混合信号制造工艺,芯片面积为0.4 mm×1 mm... 设计了一款3.7 GHz宽带CMOS电感电容压控振荡器。采用了电容开关的技术以补偿工艺、温度和电源电压的变化,并对片上电感和射频开关进行优化设计以得到最大的Q值。电路采用和舰0.18μm CMOS混合信号制造工艺,芯片面积为0.4 mm×1 mm。测试结果显示,芯片的工作频率为3.4~4 GHz,根据输出频谱得到的相位噪声为-100 dBc/Hz@1 MHz,在1.8 V工作电压下的功耗为10 mW。测试结果表明,该VCO有较大的工作频率范围和较低的相位噪声性能,可以用于锁相环和频率合成器。 展开更多

关键词 电感电容压控振荡器 宽带 片上电感 射频开关 锁相环

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CMOS LC VCO中交叉耦合MOS管的结构和特点 被引量：2

14

作者 宁彦卿 王志华 陈弘毅 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期21-25,共5页

在近年来的文献报道中,CMOS LC VCO中交叉耦合MOS管的电路结构变化多端。在不同的设计中,MOS管的类型、数目和连接方式有很多不同的结构。从其基本结构出发总结这些结构,就不同结构MOS管电路对振荡器性能做了简要分析。着重介绍了近年... 在近年来的文献报道中,CMOS LC VCO中交叉耦合MOS管的电路结构变化多端。在不同的设计中,MOS管的类型、数目和连接方式有很多不同的结构。从其基本结构出发总结这些结构,就不同结构MOS管电路对振荡器性能做了简要分析。着重介绍了近年来在理论认识,低电压、低相位噪声和宽频率覆盖设计方面所做的努力。 展开更多

关键词 互补金属氧化物半导体 电感电容压控振荡器 交叉耦合 低电压 宽频带

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一种用于GPS波段的低相噪VCO设计 被引量：2

15

作者 许亚兰 江金光 刘俐 《电子技术应用》 北大核心 2012年第2期47-49,共3页

设计了一种工作频率为1.8 GHz的低相噪频率可调的LC压控振荡器电路。该压控振荡器采用AMOS管作为变容二极管,提高了频率的调谐范围。为了降低电路的相位噪声,设计中采用了PMOS顶部偏置电路代替底部的NMOS偏置电路,并在电路中串联了一个... 设计了一种工作频率为1.8 GHz的低相噪频率可调的LC压控振荡器电路。该压控振荡器采用AMOS管作为变容二极管,提高了频率的调谐范围。为了降低电路的相位噪声,设计中采用了PMOS顶部偏置电路代替底部的NMOS偏置电路,并在电路中串联了一个大电容以滤除电路中的高频噪声。仿真测试结果表明,该电路在1 MHz频偏时其相位噪声为-116.5 dBc/Hz。 展开更多

关键词 GPS 相位噪声 电感电容压控振荡器 互补金属氧化物半导体

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自调谐VCO频段选择技术比较与设计 被引量：2

16

作者 黄水龙 王志华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第10期54-57,72,共5页

系统分析了自凋谐的必要性和各种具有频段选择功能的LC VCO(电感电容压控振荡器)的特点, 设计了一种可以应用于自调谐的LC VCO结构。该压控振荡器用5层金属O.25 μm的标准CMOS工艺制造完成,测试结果表明,该压控振荡器在电源电压为2.7V... 系统分析了自凋谐的必要性和各种具有频段选择功能的LC VCO(电感电容压控振荡器)的特点, 设计了一种可以应用于自调谐的LC VCO结构。该压控振荡器用5层金属O.25 μm的标准CMOS工艺制造完成,测试结果表明,该压控振荡器在电源电压为2.7V时的功耗约为14mW,它具有约180MHz的调谐范围,在振荡中心频率为1.52GHz时的单边带相位噪声为-110dBc/Hz@1MHz。 展开更多

关键词 电感电容压控振荡器 自调谐 变容管

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应用于WSN的0.5V 4.8GHz CMOS LC VCO设计 被引量：1

17

作者 李智群 赵晟 《解放军理工大学学报（自然科学版）》 EI 北大核心 2012年第6期611-614,共4页

为设计一个可应用于无线传感网的0.5V4.8GHz CMOS LC压控振荡器,采用传统差分负阻结构的电感电容VCO核心电路,添加开关电容阵列增大VCO的调谐范围,利用升压电路和反相器的组合提高控制信号产生电路的性能,通过调节负阻管的宽长比等方法... 为设计一个可应用于无线传感网的0.5V4.8GHz CMOS LC压控振荡器,采用传统差分负阻结构的电感电容VCO核心电路,添加开关电容阵列增大VCO的调谐范围,利用升压电路和反相器的组合提高控制信号产生电路的性能,通过调节负阻管的宽长比等方法来优化VCO的相位噪声性能,保证VCO能在0.5V的低供电电压下稳定工作,相位噪声达到-119.3dBc/Hz@1MHz,VCO的频率调谐范围为4.3～5.3GHz,相位噪声小于-115dBc/Hz@1 MHz,最低可达-121.2dBc/Hz@1 MHz,核心电路电流约为2.6mA,满足无线传感网的应用要求。 展开更多

关键词 CMOS工艺 电感电容压控振荡器 相位噪声 开关电容阵列 升压电路

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超宽带无线收发机中的正交LC VCO设计

18

作者 王勇 黄风义 +2 位作者 程嘉 唐旭升 汪小军 《电子器件》 CAS 2009年第4期749-752,共4页

基于SMIC0.18μm CMOS工艺设计了一种可应用于MB-OFDM UWB无线收发机的宽带正交压控振荡器（QV-CO,Quadrature VCO）。在研究VCO的相位噪声理论的基础上,采用了优化噪声的电路结构。此外,鉴于片上螺旋电感在VCO设计中的重要性,采用了一... 基于SMIC0.18μm CMOS工艺设计了一种可应用于MB-OFDM UWB无线收发机的宽带正交压控振荡器（QV-CO,Quadrature VCO）。在研究VCO的相位噪声理论的基础上,采用了优化噪声的电路结构。此外,鉴于片上螺旋电感在VCO设计中的重要性,采用了一种快速选取工艺库螺旋电感的方法。仿真结果显示,QVCO的频率调谐范围为3.4-4.5GHz,在1MHz频率偏移处,相位噪声小于-119.6dBc/Hz。在1.8V电源电压下,电路总功耗为27mW。 展开更多

关键词 CMOS MB-OFDM UWB 正交 电感电容压控振荡器(LC VCO) 相位噪声

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单片CMOS UHF RFID阅读器中低噪声LC VCO的设计

19

作者 何伟 徐萍 +5 位作者 张润曦 张勇 李彬 陈子晏 马和良 赖宗声 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期234-239,共6页

设计了一种应用于单片CMOS超高频射频识别阅读器中的低功耗、低相位噪声LC VCO。根据超高频射频识别阅读器的系统架构和协议要求,对本振相位噪声要求做出详细讨论;采用LC滤波器和低压差调压器分别对尾电流源噪声和电源噪声进行抑制,提高... 设计了一种应用于单片CMOS超高频射频识别阅读器中的低功耗、低相位噪声LC VCO。根据超高频射频识别阅读器的系统架构和协议要求,对本振相位噪声要求做出详细讨论;采用LC滤波器和低压差调压器分别对尾电流源噪声和电源噪声进行抑制,提高了VCO相位噪声性能。电路采用IBM 0.18μm RF CMOS工艺实现,电源电压3.3 V时,偏置电流为4.5 mA,中心频率为1.8 GHz,在频偏1 MHz处,相位噪声为-136.25 dBc/Hz,调谐范围为30%。 展开更多

关键词 互补金属氧化物半导体 电感电容压控振荡器 相位噪声 超高频射频识别

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一种UHF频段小数分频频率综合器设计与实现 被引量：1

20

作者 韦祚东 林敏 陈卓俊 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第7期505-510,共6页

基于130 nm CMOS工艺设计了一款特高频(UHF)频段的锁相环型小数分频频率综合器。电感电容式压控振荡器(LC VCO)片外调谐电感总值为2 n H时,其输出频率范围为1.06~1.24 GHz,调节调谐电感拓宽了频率输出范围,并利用开关电容阵列减小了压... 基于130 nm CMOS工艺设计了一款特高频(UHF)频段的锁相环型小数分频频率综合器。电感电容式压控振荡器(LC VCO)片外调谐电感总值为2 n H时,其输出频率范围为1.06~1.24 GHz,调节调谐电感拓宽了频率输出范围,并利用开关电容阵列减小了压控振荡器的增益。使用电荷泵补偿电流优化了频率综合器的线性度与带内相位噪声。此外对电荷泵进行适当改进,确保了环路的稳定。测试结果表明,通过调节电荷泵补偿电流,频率综合器的带内相位噪声可优化3 dB以上,中心频率为1.12 GHz时,在1 k Hz频偏处的带内相位噪声和1 MHz频偏处的带外相位噪声分别为-92.3和-120.9 dBc/Hz。最小频率分辨率为3 Hz,功耗为19.2 mW。 展开更多

关键词 锁相环 电感电容压控振荡器(LC VCO) 相位噪声 电荷泵 电容阵列

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