本文提出运电容分压原理来解决α-Si:H MOSFET 栅压φ<sub>GS</sub>与表面电势φ<sub>S</sub> 关系的新方法,分析其转移特性和输出特性,唯象地解释了“积累”工作模式的源漏电流饱和现象.根据理论分析,设计并...本文提出运电容分压原理来解决α-Si:H MOSFET 栅压φ<sub>GS</sub>与表面电势φ<sub>S</sub> 关系的新方法,分析其转移特性和输出特性,唯象地解释了“积累”工作模式的源漏电流饱和现象.根据理论分析,设计并制出α-Si:H MOS FET 样品,测试结果表明理论与实验能较好吻合.展开更多
文摘本文提出运电容分压原理来解决α-Si:H MOSFET 栅压φ<sub>GS</sub>与表面电势φ<sub>S</sub> 关系的新方法,分析其转移特性和输出特性,唯象地解释了“积累”工作模式的源漏电流饱和现象.根据理论分析,设计并制出α-Si:H MOS FET 样品,测试结果表明理论与实验能较好吻合.
