本文研究自组装单层保护金纳米团簇（C12 Au MPC）在常温下二氯甲烷溶液中的量子化电容充电效应．示差脉冲伏安曲线显示金核平均直径为2．0nm的C12 Au MPC在-0．6～0．6V电位区间内有9个明显的量子化电容充电峰，其双电层电容总的变化...本文研究自组装单层保护金纳米团簇（C12 Au MPC）在常温下二氯甲烷溶液中的量子化电容充电效应．示差脉冲伏安曲线显示金核平均直径为2．0nm的C12 Au MPC在-0．6～0．6V电位区间内有9个明显的量子化电容充电峰，其双电层电容总的变化趋势为在零电荷电位附近最小，随着电位正移或负移电容变大．而且随着该金核尺寸的增大，MPC双电层电容值也变大．展开更多
通过计算Al Ga N/Ga N HEMT二维电子气中的电势、载流子以及调制掺杂载流子寿命,得到Al Ga N/Ga N HEMT电容和充电时间,研究了Al Ga N掺杂层浓度和厚度对器件的时间响应,并分析了Al Ga N/Ga N HEMT器件的高频特性。结果表明,栅电容随着A...通过计算Al Ga N/Ga N HEMT二维电子气中的电势、载流子以及调制掺杂载流子寿命,得到Al Ga N/Ga N HEMT电容和充电时间,研究了Al Ga N掺杂层浓度和厚度对器件的时间响应,并分析了Al Ga N/Ga N HEMT器件的高频特性。结果表明,栅电容随着Al Ga N掺杂层浓度和厚度的增加逐渐减小。随着Al Ga N层掺杂浓度的增大,电容充电时间先减后增,当掺杂浓度达到1.24×1019cm-3时,电容充电时间达到极小值,在Al Ga N掺杂层厚度等于7 nm时电容充电时间最短。展开更多
文摘本文研究自组装单层保护金纳米团簇（C12 Au MPC）在常温下二氯甲烷溶液中的量子化电容充电效应．示差脉冲伏安曲线显示金核平均直径为2．0nm的C12 Au MPC在-0．6～0．6V电位区间内有9个明显的量子化电容充电峰，其双电层电容总的变化趋势为在零电荷电位附近最小，随着电位正移或负移电容变大．而且随着该金核尺寸的增大，MPC双电层电容值也变大．
文摘通过计算Al Ga N/Ga N HEMT二维电子气中的电势、载流子以及调制掺杂载流子寿命,得到Al Ga N/Ga N HEMT电容和充电时间,研究了Al Ga N掺杂层浓度和厚度对器件的时间响应,并分析了Al Ga N/Ga N HEMT器件的高频特性。结果表明,栅电容随着Al Ga N掺杂层浓度和厚度的增加逐渐减小。随着Al Ga N层掺杂浓度的增大,电容充电时间先减后增,当掺杂浓度达到1.24×1019cm-3时,电容充电时间达到极小值,在Al Ga N掺杂层厚度等于7 nm时电容充电时间最短。
