期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
BiFeO_3薄膜中的电学输运性质(英文)
被引量：
4
1
作者
孙璟兰
李亚巍
+4 位作者
李天信
林铁
陈静
孟祥建
褚君浩
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第6期401-404,共4页
报道了铁酸铋薄膜样品在80K^300K温度范围直流电学输运性质的研究结果.利用同一前驱体不同老化时间,用化学溶液沉积法在钛酸锶衬底上制备出两种样品.在低阻样品中,低场下电流随电压变化遵从欧姆定律,电阻不随温度变化;而在中等强度外场...
报道了铁酸铋薄膜样品在80K^300K温度范围直流电学输运性质的研究结果.利用同一前驱体不同老化时间,用化学溶液沉积法在钛酸锶衬底上制备出两种样品.在低阻样品中,低场下电流随电压变化遵从欧姆定律,电阻不随温度变化;而在中等强度外场下显示出肖特基二极管性质.在高阻样品中,低场下电流密度沿晶界分布,输运中的势垒能级为0.57eV;高场下电流的传输则遵从Frenkel-Poole模型,相关势垒能级0.12eV.低阻和高阻两种样品在85K温度下可测最大剩余极化分别为2.6μC/cm2和28.8μC/cm2.
展开更多
关键词
铁电铁磁薄膜
电学输运
铁酸铋薄膜
在线阅读
下载PDF
职称材料
原位Si掺杂c-BN薄膜的制备及电学性质研究
2
作者
应杰
范亚明
+1 位作者
谭海仁
施辉伟
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2010年第7期409-414,共6页
采用双离子束辅助沉积技术制备了原位Si掺杂的c-BN薄膜。系统研究了辅源轰击束流大小、辅源气体组分比以及衬底温度对制备薄膜的影响。结果表明,在掺入Si杂质后,要保持高立方相含量,必须增强辅源离子的轰击强度;随着辅源混合气体中Ar含...
采用双离子束辅助沉积技术制备了原位Si掺杂的c-BN薄膜。系统研究了辅源轰击束流大小、辅源气体组分比以及衬底温度对制备薄膜的影响。结果表明,在掺入Si杂质后,要保持高立方相含量,必须增强辅源离子的轰击强度;随着辅源混合气体中Ar含量的增加,立方相含量也逐步增加;中等衬底生长温度既可以保持薄膜中高立方相含量以及较好的晶体质量,又不会导致薄膜中应力过大。电学测试则显现掺杂薄膜具有明显的半导体特性和非晶态半导体的电学输运性质。
展开更多
关键词
立方氮化硼薄膜
掺杂
硅
立方相含量
电学输运
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
BiFeO_3薄膜中的电学输运性质(英文)
被引量：
4
1
作者
孙璟兰
李亚巍
李天信
林铁
陈静
孟祥建
褚君浩
机构
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第6期401-404,共4页
基金
the National Natural Science Foundation of China(60371040)and The Foundation of Science and Technology Commis-sion of Shanghai Municipality(03JC14076)
文摘
报道了铁酸铋薄膜样品在80K^300K温度范围直流电学输运性质的研究结果.利用同一前驱体不同老化时间,用化学溶液沉积法在钛酸锶衬底上制备出两种样品.在低阻样品中,低场下电流随电压变化遵从欧姆定律,电阻不随温度变化;而在中等强度外场下显示出肖特基二极管性质.在高阻样品中,低场下电流密度沿晶界分布,输运中的势垒能级为0.57eV;高场下电流的传输则遵从Frenkel-Poole模型,相关势垒能级0.12eV.低阻和高阻两种样品在85K温度下可测最大剩余极化分别为2.6μC/cm2和28.8μC/cm2.
关键词
铁电铁磁薄膜
电学输运
铁酸铋薄膜
Keywords
biferroic film
electrical transportation
bismuth ferrate film
分类号
O482.4 [理学—固体物理]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
原位Si掺杂c-BN薄膜的制备及电学性质研究
2
作者
应杰
范亚明
谭海仁
施辉伟
机构
中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2010年第7期409-414,共6页
文摘
采用双离子束辅助沉积技术制备了原位Si掺杂的c-BN薄膜。系统研究了辅源轰击束流大小、辅源气体组分比以及衬底温度对制备薄膜的影响。结果表明,在掺入Si杂质后,要保持高立方相含量,必须增强辅源离子的轰击强度;随着辅源混合气体中Ar含量的增加,立方相含量也逐步增加;中等衬底生长温度既可以保持薄膜中高立方相含量以及较好的晶体质量,又不会导致薄膜中应力过大。电学测试则显现掺杂薄膜具有明显的半导体特性和非晶态半导体的电学输运性质。
关键词
立方氮化硼薄膜
掺杂
硅
立方相含量
电学输运
Keywords
cubic boron nitride films
doping
silicon
cubic content
electrical transport
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
O472 [理学—半导体物理]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
BiFeO_3薄膜中的电学输运性质(英文)
孙璟兰
李亚巍
李天信
林铁
陈静
孟祥建
褚君浩
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
原位Si掺杂c-BN薄膜的制备及电学性质研究
应杰
范亚明
谭海仁
施辉伟
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2010
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
