期刊文献+
共找到172篇文章
< 1 2 9 >
每页显示 20 50 100
非静水压作用下石膏电学性质的理论研究
1
作者 周梅 吴雷 +1 位作者 罗小松 何宗润 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2025年第6期129-135,共7页
地球内部广泛存在着差应力,这些外在因素的存在影响着矿物的性质,而矿物的电学性质与结构相变息息相关.为了更加了解地球内部结构与动力学过程,采用第一性原理方法,在等效平衡压0~10 GPa范围内计算地球内部浅层矿物石膏在静水压和非静... 地球内部广泛存在着差应力,这些外在因素的存在影响着矿物的性质,而矿物的电学性质与结构相变息息相关.为了更加了解地球内部结构与动力学过程,采用第一性原理方法,在等效平衡压0~10 GPa范围内计算地球内部浅层矿物石膏在静水压和非静水压条件下的电学性质.计算结果表明:静水压和非静水压条件下无水石膏的密度和带隙变化基本一致,但二水石膏的密度和带隙在非静水压为6 GPa附近发生突变,这可能是由于非静水压环境使晶体结构更容易发生畸变,更有利于水分子氢键网络的重新排列和CaSO_(4)层间结构的塌缩,因此非静水压下可能更加有利于二水石膏在高温高压下的脱水反应.这对理解地幔中矿物的脱水和储水产生重大的影响,为理解地幔中矿物的脱氢和储水提供理论依据. 展开更多
关键词 差应力 石膏 电学性质 第一性原理
在线阅读 下载PDF
高迁移率的硼掺杂单晶金刚石微波等离子体化学气相沉积生长及电学性质研究
2
作者 胡愈硕 杨国健 +5 位作者 曹光宇 刘赐恩 张星 龙浩 徐翔宇 张洪良 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第9期1566-1573,共8页
高结晶质量、高迁移率的硼掺杂单晶金刚石薄膜是实现高耐压高功率电子器件的关键。本研究采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,结合两步生长法与低温氧气辅助生长策略,成功制备了高迁移率的硼掺杂单晶金刚石,并实现了其电学性能的... 高结晶质量、高迁移率的硼掺杂单晶金刚石薄膜是实现高耐压高功率电子器件的关键。本研究采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,结合两步生长法与低温氧气辅助生长策略,成功制备了高迁移率的硼掺杂单晶金刚石,并实现了其电学性能的广泛调控。所生长薄膜的X射线衍射峰半峰全宽(FWHM)小于60″,空穴浓度可在10^(14)~10^(17)cm^(-3)调控,最大室温空穴迁移率超过1 400 cm^(2)/(V·s),达到国际先进水平。此外,本文结合输运性质测试和高分辨X射线光电子能谱(XPS)测试研究了所生长掺硼单晶金刚石样品的电子结构,指出了高晶体质量是获得高迁移率的重要原因,研究结果为高迁移率硼掺杂单晶金刚石的生长和器件应用提供了理论参考。 展开更多
关键词 单晶金刚石 外延生长 硼掺杂 MPCVD 电学性质 迁移率 功率器件
在线阅读 下载PDF
浅析农业物料电学性质在加工中的应用
3
作者 李庭 《现代农业装备》 2025年第1期99-102,共4页
该文通过对国内外相关文献的深入分析和总结,概述了农业物料的电学性质,分析了农业物料的电学特性及农产品利用物料的电学特性进行加工处理的具体应用,主要包括农产品的品质检测、种子的处理、加热与杀菌保鲜、干燥与脱水等;探索其在现... 该文通过对国内外相关文献的深入分析和总结,概述了农业物料的电学性质,分析了农业物料的电学特性及农产品利用物料的电学特性进行加工处理的具体应用,主要包括农产品的品质检测、种子的处理、加热与杀菌保鲜、干燥与脱水等;探索其在现代农产品加工过程中的应用前景,并对今后的相关应用研究方向进行了展望。 展开更多
关键词 农业物料 电学性质 产品加工
在线阅读 下载PDF
ITO薄膜的光学和电学性质及其应用 被引量:32
4
作者 马勇 孔春阳 《重庆大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期114-117,共4页
介绍了氧化铟锡 (ITO)薄膜的光学和电学性质及应用。优化的ITO薄膜有立方铁锰矿结构。掺杂的Sn替代In2 O3 晶格上的In原子 ,每个Sn原子可以看作给导带提供一个自由电子。ITO薄膜载流子浓度为~ 10 2 0 cm-3 ,电阻率为~ 10 -4Ωcm ,是... 介绍了氧化铟锡 (ITO)薄膜的光学和电学性质及应用。优化的ITO薄膜有立方铁锰矿结构。掺杂的Sn替代In2 O3 晶格上的In原子 ,每个Sn原子可以看作给导带提供一个自由电子。ITO薄膜载流子浓度为~ 10 2 0 cm-3 ,电阻率为~ 10 -4Ωcm ,是高度简并半导体 ,其能带为抛物线型结构。由于Burstein -Moss效应 ,光学能隙加宽。除了紫外带间吸收和远红外的声子吸收 ,Drude理论与ITO的介电常数实际值符合得很好 ,说明自由电子对ITO薄膜的光学性质有决定性作用。 展开更多
关键词 ITO薄膜 结构 能带 电学性质 氧化铟锡薄膜 光学性质
在线阅读 下载PDF
多浓度下泥质砂岩电学性质实验研究 被引量:7
5
作者 邓少贵 谢关宝 +1 位作者 范宜仁 李峰 《石油地球物理勘探》 EI CSCD 北大核心 2003年第5期543-546,共4页
依据多浓度岩石电性实验 ,研究不同浓度下泥质砂岩的束缚水相对体积及其导电特性 ,可以揭示束缚水饱和度和地层水浓度的变化所引起的泥质砂岩导电特性的变化。研究表明 ,不同浓度下的泥质砂岩有不同的束缚水饱和度 ,而且随饱和溶液浓度... 依据多浓度岩石电性实验 ,研究不同浓度下泥质砂岩的束缚水相对体积及其导电特性 ,可以揭示束缚水饱和度和地层水浓度的变化所引起的泥质砂岩导电特性的变化。研究表明 ,不同浓度下的泥质砂岩有不同的束缚水饱和度 ,而且随饱和溶液浓度的增大而减小。束缚水条件下岩石的电阻率受地层水电阻率、束缚水饱和度、泥质附加导电性影响 ,在地层水浓度较低情况下 ,由于较高的束缚水含量和泥质附加导电性 ,岩石的电阻率也可能呈现低电阻率特征。 展开更多
关键词 油气层 泥质砂岩 电学性质 实验研究 束缚水饱和度 地层水浓度 阳离子交换容量 电导率 测井解释
在线阅读 下载PDF
大尺寸掺硼宝石级金刚石单晶的高温高压合成及电学性质研究 被引量:6
6
作者 肖宏宇 马红安 +2 位作者 李勇 赵明 贾晓鹏 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期87-89,共3页
在5.4GPa、1200~1400℃条件下,进行掺硼金刚石单晶的合成研究。成功合成出了重0.2g,径向尺寸达6.0mm的优质掺硼金刚石单晶。考察了合成体系中硼添加量对晶体透光度的影响。利用伏安特性和霍尔测试,得到了掺硼金刚石单晶常温电阻率、霍... 在5.4GPa、1200~1400℃条件下,进行掺硼金刚石单晶的合成研究。成功合成出了重0.2g,径向尺寸达6.0mm的优质掺硼金刚石单晶。考察了合成体系中硼添加量对晶体透光度的影响。利用伏安特性和霍尔测试,得到了掺硼金刚石单晶常温电阻率、霍尔系数及霍尔迁移率和合成体系中硼添加量的关系。研究发现,随着合成体系中硼添加量的增加,晶体的电阻率和霍尔迁移率都呈下降趋势;霍尔系数随硼添加量的增加先下降后上升。随着硼添加量的增加:晶体常温电阻率下降,表明硼杂质已进入到金刚石晶体中。霍尔迁移率的下降,可能是晶体缺陷增多对载流子散射所致。霍尔系数先减小后增大,这可能与进入金刚石的硼元素量增大及晶体缺陷增多有关。 展开更多
关键词 高温高压 金刚石 电学性质
在线阅读 下载PDF
V_2O_5薄膜的电学性质及其应用 被引量:7
7
作者 童茂松 戴国瑞 +2 位作者 高鼎三 Galina Zakharova Olga Pozdniakova 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第10期36-38,10,共4页
综述了V_2O_5薄膜材料的结构、电学性质及其在电学中的应用。
关键词 电致变色 敏感特性 氧化钒薄膜 结构 电学性质
在线阅读 下载PDF
SiO_2对SnO_2·CoO·Nb_2O_5压敏电阻非线性电学性质的影响 被引量:5
8
作者 陈洪存 王矜奉 +3 位作者 王勇军 李长鹏 张沛霖 钟维烈 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2000年第6期379-381,共3页
对 Si O2 掺杂的 Sn O2 · Co O· Nb2 O5 压敏电阻非线性电学性质进行了研究 ,并对其微观结构进行了电镜扫描 ,且对其晶界势垒高度进行了测量。实验表明 x(Si O2 ) =0 .3%掺杂的 Sn O2 · Co O· Nb2 O5 压敏电阻的非... 对 Si O2 掺杂的 Sn O2 · Co O· Nb2 O5 压敏电阻非线性电学性质进行了研究 ,并对其微观结构进行了电镜扫描 ,且对其晶界势垒高度进行了测量。实验表明 x(Si O2 ) =0 .3%掺杂的 Sn O2 · Co O· Nb2 O5 压敏电阻的非线性系数 α高达 30 ,并且具有最高的击穿电场 (375 V/ mm)。采用 Gupta- Carlson缺陷模型对晶界肖特基势垒高度随Si O2 的添加而变大的现象进行了理论解释。 展开更多
关键词 压敏电阻 二氧化硅 非线性电学性质
在线阅读 下载PDF
(Ba_(0.5)Sr_(0.5))TiO_3铁电薄膜的制备工艺及电学性质研究 被引量:5
9
作者 赵敏 张荣君 +1 位作者 顾豪爽 徐纪平 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期71-74,共4页
采用溶胶 凝胶方法制备出纯立方钙钛矿相、介电性能和漏电流特性良好的 (Ba0 .5Sr0 .5)TiO3 铁电薄膜 .研究发现 ,随着烧结温度的升高 ,(Ba0 .5Sr0 .5)TiO3 薄膜纯度和结晶度增高 ,介电常数提高 ,漏电流密度降低 .在 75 0℃进行保温 1... 采用溶胶 凝胶方法制备出纯立方钙钛矿相、介电性能和漏电流特性良好的 (Ba0 .5Sr0 .5)TiO3 铁电薄膜 .研究发现 ,随着烧结温度的升高 ,(Ba0 .5Sr0 .5)TiO3 薄膜纯度和结晶度增高 ,介电常数提高 ,漏电流密度降低 .在 75 0℃进行保温 1h热处理的薄膜性能较好且稳定 :在室温下测得薄膜介电常数为 2 5 0 ,介电损耗为 0 .0 30 ,漏电流密度为 6 .9× 10 -8A/cm2 .较高的介电常数、较低的漏电流密度可能源于良好的纯度和结晶度 .进一步研究表明 ,薄膜导电遵从空间电荷限制电流机制 . 展开更多
关键词 (Ba0.5Sr0.5)TiO3 铁电薄膜 制备工艺 电学性质 溶胶-凝胶法 介电性能 漏电流密度 钛酸锶钡
在线阅读 下载PDF
铅过量PLZT铁电薄膜的制备及其电学性质研究 被引量:6
10
作者 侯识华 宋世庚 +1 位作者 马远新 郑毓峰 《材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期43-47,共5页
采用Sol Gel法 ,在Pt TiO2 Si基片上制备了具有不同铅过量 (0— 2 0mol% )的PLZT铁电薄膜。分析了薄膜的晶相结构 ,研究了铅过量对PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能的影响。结果表明 ,各薄膜均具有钙钛矿型结构 ,且各薄膜均呈 (110 )... 采用Sol Gel法 ,在Pt TiO2 Si基片上制备了具有不同铅过量 (0— 2 0mol% )的PLZT铁电薄膜。分析了薄膜的晶相结构 ,研究了铅过量对PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能的影响。结果表明 ,各薄膜均具有钙钛矿型结构 ,且各薄膜均呈 (110 )择优取向。PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能随铅过量的变化而改变。铅过量为 10mol%的薄膜具有最佳的的介电性能和铁电性能。 展开更多
关键词 SOL-GEL法 PLZT 铁电薄膜 铅过量 电学性质 锆钛酸铅镧薄膜 介电性能 铁电性能 制备
在线阅读 下载PDF
InAlO_3(ZnO)_(15)超晶格纳米串的合成及其电学性质 被引量:5
11
作者 陈婷婷 王广宁 +2 位作者 黄东亮 郎颖 张锷 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期110-114,共5页
通过化学气相沉积方法成功合成了InAlO3(ZnO)15超晶格纳米串。扫描电镜观察到InAlO3(ZnO)15纳米片沿生长方向均匀排列,直径约为80~150 nm,长度约为7~20μm。X射线衍射结果表明样品具有InAlO3(ZnO)15超晶格纳米结构。高分辨透射电子显... 通过化学气相沉积方法成功合成了InAlO3(ZnO)15超晶格纳米串。扫描电镜观察到InAlO3(ZnO)15纳米片沿生长方向均匀排列,直径约为80~150 nm,长度约为7~20μm。X射线衍射结果表明样品具有InAlO3(ZnO)15超晶格纳米结构。高分辨透射电子显微镜显示相邻两个In-O层中间共16层In(Al)O(ZnO)m+block,并研究了其生长机制。在0.6~3 V电压范围内,I-V特性曲线出现非线性性质。 展开更多
关键词 InAlO3(ZnO)15 化学气相沉积法 电学性质
在线阅读 下载PDF
晶体结构对化合物电学性质的影响 被引量:3
12
作者 孟健 车平 +5 位作者 冯静 王静平 吕敏峰 刘见芬 武志坚 曹学强 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期873-880,共8页
化合物的导电性包括电子(空穴)导电及离子导电两大部分.新材料的发展已将化合物的电学性质提到了急需研究的位置.随着对化合物电学性质研究的不断深入,发现了许多新现象,新性质和新材料,如氧化物高温超导体,稀土半导体,稀土巨磁阻材料等... 化合物的导电性包括电子(空穴)导电及离子导电两大部分.新材料的发展已将化合物的电学性质提到了急需研究的位置.随着对化合物电学性质研究的不断深入,发现了许多新现象,新性质和新材料,如氧化物高温超导体,稀土半导体,稀土巨磁阻材料等.这些都是电子(空穴)导电的实际应用.而由于新能源探索需适应保护环境的需要,传统的氧离子和质子导体成了人们的首选研究对象,以开发它们在燃料电池、氧分离膜,催化等方面的实际应用.由于不等价置换,价态变化及氧离子具有大的双电荷与阳离子基体的强相互作用及高迁移率,使得大多数的研究工作集中于化合物的结构畸变分析及精化,试图发现新的结构相或者新的电学材料. 展开更多
关键词 晶体结构 稀土化合物 电学性质 半导体
在线阅读 下载PDF
磁控溅射制备铬薄膜的结构和光电学性质(英文) 被引量:3
13
作者 林建平 林丽梅 +2 位作者 关贵清 吴扬微 赖发春 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期922-926,共5页
用直流磁控溅射技术在石英基片上制备不同厚度(5nm~114nm之间)的铬膜.使用X射线衍射仪和分光光度计分别检测薄膜的结构和光学性质,利用德鲁特模型和薄膜的透射、反射光谱计算铬膜的厚度和光学常量,并采用Van der Pauw方法测量薄膜电学... 用直流磁控溅射技术在石英基片上制备不同厚度(5nm~114nm之间)的铬膜.使用X射线衍射仪和分光光度计分别检测薄膜的结构和光学性质,利用德鲁特模型和薄膜的透射、反射光谱计算铬膜的厚度和光学常量,并采用Van der Pauw方法测量薄膜电学性质.结果表明:制备的铬薄膜为体心立方的多晶态,随着膜厚的增加,薄膜的结晶性能提高,晶粒尺寸增大;在可见光区域,当膜厚小于32nm时,随着膜厚的增加,折射率快速减小,消光系数快速增大,当膜厚大于32nm时,折射率和消光系数均缓慢减小并逐渐趋于稳定;薄膜电阻率随膜厚的增加为一次指数衰减. 展开更多
关键词 磁控溅射 铬薄膜 结构 光学性质 电学性质
在线阅读 下载PDF
低温下多孔硅电学性质研究 被引量:3
14
作者 郭芳侠 李永放 +1 位作者 马丽珍 钞曦旭 《陕西师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2000年第4期42-44,共3页
在低温下 ( 1 0~ 30 0K)对多孔硅 (Al/多孔硅 /单晶硅结构 )的I U特性进行了测量 ,得到了I U特性随温度的变化曲线 .结果表明 ,低温下多孔硅的电阻率远大于单晶硅 ,当温度变化时 ,电阻率的变化不是单调的 .其原因一是电流的主要输运机... 在低温下 ( 1 0~ 30 0K)对多孔硅 (Al/多孔硅 /单晶硅结构 )的I U特性进行了测量 ,得到了I U特性随温度的变化曲线 .结果表明 ,低温下多孔硅的电阻率远大于单晶硅 ,当温度变化时 ,电阻率的变化不是单调的 .其原因一是电流的主要输运机制随温度的降低发生变化 ;二是多孔硅中的缺陷态俘获载流子的能力随温度降低而变弱 . 展开更多
关键词 低温 多孔硅 I-U特性 电学性质
在线阅读 下载PDF
表面活性剂HLB值与渣油乳化体系分散性及电学性质的关系研究 被引量:4
15
作者 张磊 阙国和 邓文安 《燃料化学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期189-193,共5页
为了研究表面活性剂亲水亲油平衡值(HLB值)与渣油乳化体系分散性和电学性质的关系,采用粒径和粒径分布相结合的方法来评价乳化体系的分散性,利用电导率值的变化来反应体系电学性质的差异,以表面活性剂B和A复合成实验用渣油乳化分散剂来... 为了研究表面活性剂亲水亲油平衡值(HLB值)与渣油乳化体系分散性和电学性质的关系,采用粒径和粒径分布相结合的方法来评价乳化体系的分散性,利用电导率值的变化来反应体系电学性质的差异,以表面活性剂B和A复合成实验用渣油乳化分散剂来分散渣油加氢裂化水溶性盐,考察了表面活性剂HLB值对渣油包盐水体系的分散性和电学性质的影响。结果表明,随表面活性剂HLB值从小到大的变化,不同水溶性盐在同种油中的分散性和电学性质不同,同种盐在不同油中的变化也存在着差异。乳化体系的分散性及电学性质随着HLB值的增加呈非线性变化。 展开更多
关键词 渣油 表面活性剂 分散性能 HLB 电学性质
在线阅读 下载PDF
Ag/Si_3N_4纳米复合材料的电学性质研究 被引量:2
16
作者 朱以华 朱宏杰 +3 位作者 胡黎明 韩今依 车继龙 潘孝仁 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期348-352,共5页
利用干压方法制得了0~70vol%Ag弥散的Ag/Si3N4纳米复合材料.借助于SEM、EDS和复阻抗谱等方法研究了Ag/Si3N4复合材料的结构和反常电学性质.结果表明,纳米Ag粒子以μm尺寸的团聚体形式存在于纳米... 利用干压方法制得了0~70vol%Ag弥散的Ag/Si3N4纳米复合材料.借助于SEM、EDS和复阻抗谱等方法研究了Ag/Si3N4复合材料的结构和反常电学性质.结果表明,纳米Ag粒子以μm尺寸的团聚体形式存在于纳米Si3N4基体中.随着Ag含量增加,Ag/Si3N4纳米复合材料的介电常数和电导率均增大.有关这种反常电学性质和掺入Ag粒子的作用在本文中作了详细讨论. 展开更多
关键词 纳米复合材料 介电性质 氮化硅 电学性质
在线阅读 下载PDF
Ce掺杂的WO_3薄膜的电学性质 被引量:2
17
作者 董亮 王豫 +2 位作者 李德柱 李统业 严仲明 《西南交通大学学报》 EI CSCD 北大核心 2009年第6期963-967,共5页
在磁控溅射仪上用直流Ce和W共同磁控溅射方法,在载玻片上沉积Ce掺杂的WO3薄膜,以研究溅射功率对该薄膜电学性质的影响.薄膜在550℃的空气中退火1 h,用X射线衍射和扫描电子显微镜分析薄膜的显微结构.结果表明:Ce掺杂后薄膜呈岛状结构生长... 在磁控溅射仪上用直流Ce和W共同磁控溅射方法,在载玻片上沉积Ce掺杂的WO3薄膜,以研究溅射功率对该薄膜电学性质的影响.薄膜在550℃的空气中退火1 h,用X射线衍射和扫描电子显微镜分析薄膜的显微结构.结果表明:Ce掺杂后薄膜呈岛状结构生长,有利于薄膜沿b轴方向生长;当Ce和W的溅射功率分别为40 W和160 W时,薄膜的非线性系数最大,达到7.92. 展开更多
关键词 CE掺杂 WO3薄膜 磁控溅射 显微结构 电学性质
在线阅读 下载PDF
直流反应磁控溅射沉积CuInS_2薄膜的结构与电学性质 被引量:2
18
作者 颜畅 刘芳洋 +3 位作者 赖延清 李轶 李劼 刘业翔 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期1287-1292,共6页
采用直流反应磁控溅射技术在玻璃基底上制备了太阳电池用CuInS2薄膜.以X射线能量色散谱仪、扫描电镜、X射线衍射仪、冷热探针和霍尔效应测试系统对薄膜进行了表征.结果表明,薄膜成分可通过调整Cu靶和In靶的功率比PCu/PIn来进行调控;而... 采用直流反应磁控溅射技术在玻璃基底上制备了太阳电池用CuInS2薄膜.以X射线能量色散谱仪、扫描电镜、X射线衍射仪、冷热探针和霍尔效应测试系统对薄膜进行了表征.结果表明,薄膜成分可通过调整Cu靶和In靶的功率比PCu/PIn来进行调控;而薄膜形貌则取决于靶功率比和薄膜的成分.随着PCu/PIn的增大,薄膜物相由富铟相向CuInS2转变.对于CuInS2薄膜,提高铜铟原子比[Cu]/[In]可改善薄膜的结晶质量.但当薄膜富铜时,过高的[Cu]/[In]又会导致薄膜结晶质量的下降.当CuInS2薄膜为富铜与略微贫铜时,其导电类型为P型;且载流子浓度随[Cu]/[In]增加而增大,并远高于其它贫铜薄膜.CuInS2薄膜的载流子迁移率明显高于富铟相薄膜;且随着[Cu]/[In]的提高,CuInS2薄膜的载流子迁移率呈上升趋势,而电阻率则迅速下降. 展开更多
关键词 反应磁控溅射 铜铟硫 太阳能电池 电学性质 薄膜
在线阅读 下载PDF
共轭聚合物的电学性质及其应用 被引量:3
19
作者 谢德民 谢忠巍 王荣顺 《功能材料》 EI CAS CSCD 1995年第2期120-124,共5页
共轭聚合物的显著特点是随着掺杂或去掺杂发生金属-地缘体的可逆转变。木文评述和介绍了共轭聚合物结构和这些独特的电学性质及其讨论了多种的可能应用,如作为导电体、电子元件、电磁屏蔽、电容器、二次电池及传感压等。
关键词 共轭聚合物 电学性质 应用
在线阅读 下载PDF
离子束反应溅射ZnO薄膜的晶体结构及光学、电学性质研究 被引量:4
20
作者 刘建 李晓慧 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期430-433,共4页
采用离子束反应溅射法在玻璃基片上沉积了一系列ZnO薄膜样品。通过对薄膜样品XRD谱的分析 ,发现基片温度和溅射氧分压是同时影响ZnO薄膜沿c轴择优取向生长的重要因素。在基片温度 35 0℃ ,氧分压 1 3的溅射条件下 ,得到了完全沿c轴取向... 采用离子束反应溅射法在玻璃基片上沉积了一系列ZnO薄膜样品。通过对薄膜样品XRD谱的分析 ,发现基片温度和溅射氧分压是同时影响ZnO薄膜沿c轴择优取向生长的重要因素。在基片温度 35 0℃ ,氧分压 1 3的溅射条件下 ,得到了完全沿c轴取向生长的只有 (0 0 2 )晶面的ZnO薄膜。薄膜的吸收光谱测量结果表明 ,基片温度和氧分压对ZnO薄膜的光学禁带宽度有重要影响。不同氧分压、不同基片温度制备的薄膜电阻率相差很大。 展开更多
关键词 基片温度 ZNO薄膜 光学 离子束 电学性质 晶体结构 禁带宽度 反应溅射 薄膜电阻 C轴取向
在线阅读 下载PDF
上一页 1 2 9 下一页 到第
使用帮助 返回顶部