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电子隧穿耦合双量子阱的结构设计及光学特性控制
1
作者
贾继奎
薛冬
+1 位作者
樊为
吴金辉
《吉林大学学报（理学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期117-120,共4页
结合实际半导体工艺设计一个导带中有3个子带能级的非对称双量子阱结构,并利用束缚电子的有效质量薛定鄂方程计算了各子带能级的能量位置.其中,两个紧邻的激发态子带能级由于电子隧穿效应而相互关联.当一个中红外波段探测光将基态能级...
结合实际半导体工艺设计一个导带中有3个子带能级的非对称双量子阱结构,并利用束缚电子的有效质量薛定鄂方程计算了各子带能级的能量位置.其中,两个紧邻的激发态子带能级由于电子隧穿效应而相互关联.当一个中红外波段探测光将基态能级同时耦合到两个激发态能级时,可观测到一个中间夹很窄透明窗口的双峰结构吸收谱线.在该量子阱结构上施加直流电场可改变两个探测跃迁上的电偶极矩比值,进而有效控制两个吸收峰的相对高度和透明窗口内的色散曲线.
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关键词
双量子阱结构
电子隧穿效应
量子关联
透明窗口
双峰吸收谱线
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职称材料
LED芯片封装缺陷检测方法研究
被引量：
5
2
作者
蔡有海
文玉梅
+2 位作者
李平
余大海
伍会娟
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第7期1040-1044,共5页
引脚式LED芯片封装工艺中封装缺陷不可避免。基于p-n结的光生伏特效应和电子隧穿效应,分析了一种封装缺陷对LED支架回路光电流的影响。利用电磁感应定律对LED支架回路光电流进行非接触检测,得到LED芯片功能状态及芯片电极与引线支架间...
引脚式LED芯片封装工艺中封装缺陷不可避免。基于p-n结的光生伏特效应和电子隧穿效应,分析了一种封装缺陷对LED支架回路光电流的影响。利用电磁感应定律对LED支架回路光电流进行非接触检测,得到LED芯片功能状态及芯片电极与引线支架间的电气连接情况,并对检测精度的影响因素进行分析。实验表明,该方法具有高检测信噪比,能够实现对封装过程LED芯片功能状态及封装缺陷的检测。计算结果与实验结果较好吻合。
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关键词
LED芯片
封装缺陷检测
p-n结光生伏特
效应
电子隧穿效应
非金属膜层
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职称材料
题名
电子隧穿耦合双量子阱的结构设计及光学特性控制
1
作者
贾继奎
薛冬
樊为
吴金辉
机构
枣庄学院物理与电子工程系
吉林大学物理学院
出处
《吉林大学学报（理学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期117-120,共4页
基金
山东省优秀中青年科学家科研奖励基金(批准号:2008BS01021)
吉林省杰出青年科学研究计划项目(批准号:20070121)
文摘
结合实际半导体工艺设计一个导带中有3个子带能级的非对称双量子阱结构,并利用束缚电子的有效质量薛定鄂方程计算了各子带能级的能量位置.其中,两个紧邻的激发态子带能级由于电子隧穿效应而相互关联.当一个中红外波段探测光将基态能级同时耦合到两个激发态能级时,可观测到一个中间夹很窄透明窗口的双峰结构吸收谱线.在该量子阱结构上施加直流电场可改变两个探测跃迁上的电偶极矩比值,进而有效控制两个吸收峰的相对高度和透明窗口内的色散曲线.
关键词
双量子阱结构
电子隧穿效应
量子关联
透明窗口
双峰吸收谱线
Keywords
double quantum well structure
electronic tunneling effect
quantum correlation
transparency window
double-peak absorption spectrum
分类号
O431.2 [机械工程—光学工程]
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职称材料
题名
LED芯片封装缺陷检测方法研究
被引量：
5
2
作者
蔡有海
文玉梅
李平
余大海
伍会娟
机构
重庆大学光电工程学院光电技术及系统教育部重点实验室
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第7期1040-1044,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(60676031)
重庆市科技攻关重大项目资助
文摘
引脚式LED芯片封装工艺中封装缺陷不可避免。基于p-n结的光生伏特效应和电子隧穿效应,分析了一种封装缺陷对LED支架回路光电流的影响。利用电磁感应定律对LED支架回路光电流进行非接触检测,得到LED芯片功能状态及芯片电极与引线支架间的电气连接情况,并对检测精度的影响因素进行分析。实验表明,该方法具有高检测信噪比,能够实现对封装过程LED芯片功能状态及封装缺陷的检测。计算结果与实验结果较好吻合。
关键词
LED芯片
封装缺陷检测
p-n结光生伏特
效应
电子隧穿效应
非金属膜层
Keywords
LED chips
packaging fault detection
photovoltaic effect of p-n junction
electron tunneling effect
nonmetal films
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电子隧穿耦合双量子阱的结构设计及光学特性控制
贾继奎
薛冬
樊为
吴金辉
《吉林大学学报（理学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2011
0
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职称材料
2
LED芯片封装缺陷检测方法研究
蔡有海
文玉梅
李平
余大海
伍会娟
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2009
5
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