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超晶格电子辐照缺陷的亚稳态特性
被引量：
1
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作者
封松林
周洁
卢励吾
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第3期161-164,共4页
用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）系统地研究了ＧａＡｓ（５０Ａ）／ＧａＡｌＡｓ（５０Ａ）超晶格中的电子辐照缺陷，证实其亚稳态特性的存在，对其恢复温度、转变条件进行了研究，指出在体材料中不能观察到电子辐照缺陷亚稳态的原因．
关键词
电子辐照缺陷
超晶格
亚稳态
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职称材料
题名
超晶格电子辐照缺陷的亚稳态特性
被引量：
1
1
作者
封松林
周洁
卢励吾
机构
中国科学院半导体研究所
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第3期161-164,共4页
文摘
用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）系统地研究了ＧａＡｓ（５０Ａ）／ＧａＡｌＡｓ（５０Ａ）超晶格中的电子辐照缺陷，证实其亚稳态特性的存在，对其恢复温度、转变条件进行了研究，指出在体材料中不能观察到电子辐照缺陷亚稳态的原因．
关键词
电子辐照缺陷
超晶格
亚稳态
Keywords
electron irradiation-induced defects, superlattices, metastability, DLTS.
分类号
O471.4 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
超晶格电子辐照缺陷的亚稳态特性
封松林
周洁
卢励吾
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994
1
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