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题名CMOS图像传感器电子辐照实验的研究
被引量：8
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作者
周彦平
谢小龙
刘洋
靳浩
于思源
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机构
哈尔滨工业大学航天学院
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出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2016年第5期95-99,共5页
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基金
青年科学基金项目(111404082)
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文摘
研究了电子辐射剂量对CMOS图像传感器性能的影响,性能参数为平均暗电流输出和光强响应度。搭建了电子辐射场和光强响应度的测量系统,在器件处于工作状态和非工作状态下分别对其辐射,辐射剂量为:5×103 rad、1×104 rad、7×104 rad、1×105 rad、5×105 rad。对于暗电流,当辐射总剂量超过7×104rad^1×105rad之间的某一个阈值时,暗电流随着辐射剂量的增长基本呈线性增加;光强响应方面,当器件处于非工作状态接受辐射时,辐射剂量对光强响应影响不大;当器件处于工作状态接受辐射时,辐射剂量超过7×104 rad,光强响应曲线会下移,斜率减小,灵敏度降低。理论分析后,得到了暗电流随电子辐射剂量的变化模型。研究表明:长期工作于空间环境下的CMOS图像传感器,容易受到辐射总剂量效应的影响,需采取一定的防辐射措施。
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关键词
CMOS图像传感器
辐射效应
电子辐射实验
平均暗电流输出
光强响应度
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Keywords
CMOS image sensor
radiation effect
electron radiation experiment
average dark current
light intensity response
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分类号
TN929.13
[电子电信—通信与信息系统]
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