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纳电子学与神经形态芯片的新进展 被引量:3
1
作者 赵正平 《微纳电子技术》 北大核心 2018年第1期1-5,共5页
综述了纳电子学和神经形态芯片进入新世纪后所处发展阶段以及近两年的最新进展。在纳电子领域,综述并分析了当今集成电路的发展现状,包括鳍式场效应晶体管(Fin FET)的发展、10 nm节点的技术突破、7 nm和5 nm节点的前瞻性技术研究以及... 综述了纳电子学和神经形态芯片进入新世纪后所处发展阶段以及近两年的最新进展。在纳电子领域,综述并分析了当今集成电路的发展现状,包括鳍式场效应晶体管(Fin FET)的发展、10 nm节点的技术突破、7 nm和5 nm节点的前瞻性技术研究以及三类后互补金属氧化物半导体(CMOS)器件(自旋电子器件、隧穿FET和碳纳米管栅的二维半导体Mo S2晶体管)的探索性研究,指出摩尔定律将沿着加强栅对沟道电子的控制(三栅和环栅)、更换高迁移率材料和采用新机理等技术路线继续前行。在神经形态芯片领域,综述并分析了神经形态芯片的发展历程、"真北"类脑芯片的技术创新和应用、当今嵌入式神经处理器的四个发展特点和采用新器件提高能量效率的探索。采用纳电子技术的神经形态芯片的发展将成为未来智能时代发展的基础。 展开更多
关键词 电子 鳍式场效应晶体管(FinFET) 10 nm互补金属氧化物半导体(CMOS) 纳米线晶体管 自旋电子 碳纳米管栅 神经形态芯片 类脑芯片 神经形态处理器 忆阻器
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InGaAs纳电子学的进展 被引量:1
2
作者 赵正平 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第4期209-219,226,共12页
InGaAs HEMT器件和纳米加工技术的结合推动了InGaAs纳电子学的发展,在太赫兹和后CMOS逻辑电路两大领域产生重要影响。综述了InGaAs纳电子学近10年在两大领域的发展路径和最新进展。在太赫兹领域,InGaAs纳电子学以InGaAs HEMT发展为主,... InGaAs HEMT器件和纳米加工技术的结合推动了InGaAs纳电子学的发展,在太赫兹和后CMOS逻辑电路两大领域产生重要影响。综述了InGaAs纳电子学近10年在两大领域的发展路径和最新进展。在太赫兹领域,InGaAs纳电子学以InGaAs HEMT发展为主,沿着提高沟道In组分、缩小T型栅长、减少势垒层厚度和寄生电阻的技术路线发展。InGaAs太赫兹单片集成电路(TMIC)的工作频率达到1 THz,成为目前工作频率最高的晶体管。在后CMOS逻辑电路领域,InGaAs纳电子学以InGaAs MOSFET发展为主,沿着提高复合量子阱沟道中的In组分、缩小平面器件结构中的栅长、缩小立体器件结构中的鳍宽、减少埋栅结构中复合高k介质栅厚度、减少寄生电阻和在大尺寸Si晶圆上与Ge MOSFET共集成的技术路线发展。鳍宽为30 nm的InGaAs FinFET的亚阈值斜率(SS)为82 mV/dec,漏感生势垒降低(DIBL)为10 mV/V,最大跨导(g_(m,max))为1.8 mS/μm,导通电流(I_(ON))为0.41 mA/μm,关断电流(I_(OFF))为0.1μA/μm,其性能优于同尺寸的Si FinFET,具有成为后CMOS的7 nm节点后替代NMOSFET器件的潜力。 展开更多
关键词 电子 INGAAS INAS InP高电子迁移率晶体管(HEMT) GaAs变构高电子迁移率晶体管(MHEMT) InGaAs金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 太赫兹 互补金属氧化物半导体(CMOS)
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低功耗全集成微电子神经桥接电路的设计
3
作者 沈晓燕 王志功 谢书珊 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期105-109,共5页
神经传导束中断是脊髓损伤后功能障碍的主要原因。微电子神经桥是利用微电子芯片或模块旁路受损神经传导束,重建因神经通路中断而丧失的功能。设计了一种基于0.5μm CMOS工艺的低功耗、全集成微电子神经桥电路,版图面积为1.21 mm×1... 神经传导束中断是脊髓损伤后功能障碍的主要原因。微电子神经桥是利用微电子芯片或模块旁路受损神经传导束,重建因神经通路中断而丧失的功能。设计了一种基于0.5μm CMOS工艺的低功耗、全集成微电子神经桥电路,版图面积为1.21 mm×1.18 mm。详细介绍了微电子神经桥核心单元电路低功耗两级运算放大器和输入/输出轨至轨运算放大器的设计。仿真结果表明,微电子神经桥接系统的通频带完全覆盖神经信号的频谱范围,增益可调至足够大,适用于神经信号探测和功能电激励。系统在±2.5 V供电情况下,功耗仅为3.4 mW,低功耗和系统全集成使得微电子神经桥向最终实现体内植入迈进了一步。 展开更多
关键词 神经功能重建 电子神经桥 神经信号探测 低功耗 互补金属氧化物半导体
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EBCMOS混合型光电探测器研究 被引量:10
4
作者 徐鹏霄 唐光华 +4 位作者 唐家业 杨杰 陈鑫龙 钟伟俊 赵文锦 《光电子技术》 CAS 2016年第4期232-236,252,共6页
介绍了EBCMOS探测器的工作原理、器件结构与发展历史。详细阐述了EBS增益机理,实现了600倍的EBS增益,并将EBCMOS与几种常见探测器特性进行了深入的对比研究。EBCMOS探测器将真空器件与半导体器件有机结合,融合了真空光电探测器增益高、... 介绍了EBCMOS探测器的工作原理、器件结构与发展历史。详细阐述了EBS增益机理,实现了600倍的EBS增益,并将EBCMOS与几种常见探测器特性进行了深入的对比研究。EBCMOS探测器将真空器件与半导体器件有机结合,融合了真空光电探测器增益高、响应速度快、光谱灵活和半导体器件空间分辨率高、数字化输出、功耗低和成本低等优点。目前已在生物检测、微光夜视、激光雷达等诸多领域取得了广泛的应用。 展开更多
关键词 电子轰击互补金属氧化物 混合型光电探测器 光电阴极 电子轰击半导体(EBS)增益 激光雷达
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BiCMOS器件应用前景及其发展趋势 被引量:8
5
作者 王振宇 成立 +1 位作者 高平 史宜巧 《电讯技术》 北大核心 2003年第4期9-14,共6页
为拓宽混合微电子技术研发思路和加大其工程应用力度,综述了BiCMOS器件的发展概况、基本结构、技术特点和应用领域以及目前达到的技术水平,并简述了BiCMOS技术的典型工艺和已获得的研究成果,讨论了BiCMOS电路未来的发展趋势和市场前景。
关键词 BiCMOS器件 发展趋势 混合微电子技术 双极互补金属氧化物半导体器件 混合微电子技术 工艺结构
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GaAs pHEMT与Si CMOS异质集成的研究 被引量:6
6
作者 吴立枢 赵岩 +2 位作者 沈宏昌 张有涛 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期377-381,共5页
基于圆片级外延层转移技术,将完成GaAs pHEMT有源器件加工的外延层从原有衬底上完整地剥离下来并转移到完成工艺加工的Si CMOS圆片上,基于开发的异类器件互联以及异类器件单片集成电路设计等一系列关键技术,进行了GaAs pHEMT与Si CMOS... 基于圆片级外延层转移技术,将完成GaAs pHEMT有源器件加工的外延层从原有衬底上完整地剥离下来并转移到完成工艺加工的Si CMOS圆片上,基于开发的异类器件互联以及异类器件单片集成电路设计等一系列关键技术,进行了GaAs pHEMT与Si CMOS异质集成单片电路的工艺加工。研制的GaAs pHEMT与Si CMOS异质集成单片数字控制开关电路与传统的GaAs pHEMT单片电路相比,芯片面积减小15%。 展开更多
关键词 转移 键合 GaAs赝配高电子迁移率晶体管 Si互补金属氧化物半导体 异质互联
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图像传感器技术的专利状况分析——图像传感器技术的宏观定量分析 被引量:1
7
作者 杨隆鑫 左恬源 侯冠华 《电视技术》 北大核心 2012年第S2期78-80,85,共4页
图像传感器是一种将光学图像转换成电子信号的器件,它被广泛地应用于摄像机、数码相机、照相手机等设备中。图像传感器主要分为感光耦合元件和互补式金属氧化物半导体有源像素传感器两种。基于图像传感器技术领域的专利文献,对该领域专... 图像传感器是一种将光学图像转换成电子信号的器件,它被广泛地应用于摄像机、数码相机、照相手机等设备中。图像传感器主要分为感光耦合元件和互补式金属氧化物半导体有源像素传感器两种。基于图像传感器技术领域的专利文献,对该领域专利总体变化情况进行统计和分析,研究当前技术发展状况,分析在中国市场具有知识产权竞争优势的申请人,从专利布局现状揭示产业发展风险与机遇。 展开更多
关键词 图像传感器 固态成像器件 CCD CMOS 电子耦合器件 互补金属氧化物半导体
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Application of CMOS charge-sensitive preamplifier in triple-GEM detector
8
作者 LAI Yong-Fang DENG Zhi +3 位作者 LI Yu-Lan LIU Yi-Nong LI Yuan-Jing LI Jin 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE CAS CSCD 2006年第5期289-292,共4页
Among the various micro-pattern gas detectors (MPGD) that are available, the gas electron multiplier (GEM) detector is an attractive gas detector that has been used in particle physics experiments. However, the GEM de... Among the various micro-pattern gas detectors (MPGD) that are available, the gas electron multiplier (GEM) detector is an attractive gas detector that has been used in particle physics experiments. However, the GEM detector usually needs thousands of preamplifier units for its large number of micro-pattern readout strips or pads, which leads to considerable difficulties and complexities for front end electronics (FEE). Nowadays, by making use of complementary metal-oxide semiconductor (CMOS)-based application specific integrated circuit (ASIC), it is fea- sible to integrate hundreds of preamplifier units and other signal process circuits in a small-sized chip, which can be bound to the readout strips or pads of a micro-pattern particle detector (MPPD). Therefore, CMOS ASIC may provide an ideal solution to the readout problem of MPPD. In this article, a triple GEM detector is constructed and one of its readout strips is connected to a CMOS charge-sensitive preamplifier chip. The chip was exposed to an 55Fe source of 5.9 keV X-ray, and the amplitude spectrum of the chip was tested, and it was found that the energy resolution was approximately 27%, which indicates that the chip can be used in triple GEM detectors. 展开更多
关键词 气体电子倍增管探测器 互补金属氧化物半导体 专用集成电路 CMOS电路 电荷灵敏前置放大器 能量分辨率
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安森美五款超小型低压降线性稳压器出炉
9
《中国集成电路》 2011年第7期10-11,共2页
安森美半导体(ONSemiconductor)近日推出五款超小封装的低压降(LDO)线性稳压器,强化用于智能手机及其他便携电子应用的现有产品阵容。这些新器件基于互补金属氧化物半导体(CMOS)技术,均能提供150毫安的输出电流。
关键词 低压降线性稳压器 安森美半导体 互补金属氧化物半导体 超小型 出炉 电子应用 智能手机 输出电流
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LC709201F等:电池监测器
10
《世界电子元器件》 2014年第5期23-23,共1页
安森美半导体推出新系列的互补金属氧化物半导体(CMOS)“电池电量监测器”集成电路(IC),为智能手机、平板电脑及数码相机等多种便携电子产品中常用的单节锂离子(Li+)电池提供精确的剩余电量等级监测。
关键词 电池电量 监测器 互补金属氧化物半导体 安森美半导体 集成电路 智能手机 剩余电量 电子产品
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