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NEA光电阴极电子表面逸出几率的计算和应用
1
作者
宗志园
钱芸生
+1 位作者
富容国
常本康
《南京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第6期641-644,669,共5页
该文介绍了计算NEA光电阴极电子表面逸出几率的新方法 ,选用双偶极层表面模型 ,计算了GaAs :Cs -ONEA光电阴极的电子表面逸出几率 ,比较了 2种双偶极层模型的异同点 ,计算结果显示电子表面逸出几率受第一偶极层的影响较大 。
关键词
NEA
电子表面逸出几率
计算
光电阴极
偶极子
双偶极层模型
光
电子
学
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职称材料
题名
NEA光电阴极电子表面逸出几率的计算和应用
1
作者
宗志园
钱芸生
富容国
常本康
机构
南京理工大学电子工程与光电技术学院
出处
《南京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第6期641-644,669,共5页
文摘
该文介绍了计算NEA光电阴极电子表面逸出几率的新方法 ,选用双偶极层表面模型 ,计算了GaAs :Cs -ONEA光电阴极的电子表面逸出几率 ,比较了 2种双偶极层模型的异同点 ,计算结果显示电子表面逸出几率受第一偶极层的影响较大 。
关键词
NEA
电子表面逸出几率
计算
光电阴极
偶极子
双偶极层模型
光
电子
学
Keywords
photocathodes,electrons,probability,dipoles
分类号
O462.3 [理学—电子物理学]
TN201 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
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1
NEA光电阴极电子表面逸出几率的计算和应用
宗志园
钱芸生
富容国
常本康
《南京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
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