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电子能量损失符合谱仪前端电子学和数据获取系统 被引量:2
1
作者 杨涛 宁宇进 +1 位作者 王映雪 虞孝麒 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期211-213,共3页
介绍了用于原子分子实验的能量损失符合谱仪的前端电子学和数据获取系统。考虑到谱仪的高计数率的特点 ,设计了适应高计数率的反堆积放大器和无延迟线恒比定时甄别器。该系统现已用于原子分子实验室 。
关键词 电子能量损失符合谱仪 高计数率 数据获取系统 前端电子 设计
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电子能量损失符合谱仪的一维位置灵敏探测器的读出系统 被引量:2
2
作者 宁宇进 杨涛 +1 位作者 赵波 虞孝麒 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期214-216,共3页
介绍了用于电子能量损失符合谱仪的一维位置灵敏探测器的读出系统。一维位置灵敏探测器可以大大提高谱仪的探测效率。其读出系统包括电荷灵敏前置放大器、主放大器、位置信号采集板和接口电路。使用自己设计的信号源对系统进行了测试 。
关键词 电子能量损失符合谱仪 一维位置灵敏探测器 位置信号 读出系统
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电子能量损失符合谱仪的多路TDC系统
3
作者 张驰 杨涛 虞孝麒 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期765-767,764,共4页
介绍了用于原子分子实验的电子能量损失符合谱仪中的多路TDC系统。按照谱仪的飞行时间质谱仪的需要,设计了一起多停式的多路TDC。该系统已在原子分子实验室的电子能量损失符合谱仪上调试成功。
关键词 电子能量损失符合谱仪 一起多停 TDC 时间记录 数字编码
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用于电子能量损失符合谱仪的时间幅度变换器 被引量:2
4
作者 杨涛 金革 虞孝麒 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期390-392,375,共4页
介绍了一种新的TACNIM插件,它包括两路短时间和两路长时间量程的时间幅度变换器,量程从200ns到10μs。四路变换通道起始信号相同,停止端各自独立。用来测量电子能量损失符合谱仪中的正负离子和电离电子的飞行时间质谱。
关键词 时间幅度变换器 电子能量损失 符合
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高分辨快电子能量损失谱仪的能量损失谱测量和控制获取系统
5
作者 凤任飞 武淑兰 +3 位作者 张芳 徐克尊 邱实 卓惠祥 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第5期261-264,共4页
本文介绍了高分辨快电子能量损失谱仪(EELS)的能量损失谱测量系统。微机通过 RS-232串行通讯口,经过高压光纤和光电耦合器。控制两台浮置于不同高压电位上的扫描高压电源进行同步等值扫描,同时由通道电子倍增器接收到的电子脉冲信号经... 本文介绍了高分辨快电子能量损失谱仪(EELS)的能量损失谱测量系统。微机通过 RS-232串行通讯口,经过高压光纤和光电耦合器。控制两台浮置于不同高压电位上的扫描高压电源进行同步等值扫描,同时由通道电子倍增器接收到的电子脉冲信号经由放大、甄别后被多定标系统记录。从而得到电子能量损失谱。 展开更多
关键词 电子能量损失 通道电子倍增器 计算机 扫描电源 多定标
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一维多道快电子能量损失谱仪的数据获取系统
6
作者 姜维春 朱林繁 +1 位作者 张义军 徐克尊 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第11期1446-1449,1458,共5页
介绍了用于一维多道快电子能量损失谱仪的数据获取系统。利用简单的与门电路,并配合DAQ2010采集卡的门控信号实现精确定时,利用定时卡PCI8554来同步采集卡和微机的动作,利用微机的RS232接口通讯来控制扫描电源,从而实现了谱仪的扫描测... 介绍了用于一维多道快电子能量损失谱仪的数据获取系统。利用简单的与门电路,并配合DAQ2010采集卡的门控信号实现精确定时,利用定时卡PCI8554来同步采集卡和微机的动作,利用微机的RS232接口通讯来控制扫描电源,从而实现了谱仪的扫描测量。利用多线程技术,提高了采集系统的容错能力。该系统目前已经用在电子能量损失谱仪上,效果良好。 展开更多
关键词 电子能量损失 位置灵敏多道 数据获取
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并行电子能量损失谱仪中多重四极透镜系统物方视场的模拟
7
作者 王志伟 袁俊 《电子显微学报》 CAS CSCD 2006年第1期4-8,共5页
通过对三重四极透镜成像系统的渐晕模拟,研究了并行电子能量损失谱仪中物方视场、漂移管径以及与电荷耦合探测器(CCD)幅面尺寸的对应关系,并由它们间的相互关系确定了与CCD幅面二维探测器尺寸相匹配的漂移管径。
关键词 并行电子能量损失 三重四极透镜 高斯光学 物方视场 渐晕
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电子能量损失谱及其在复合材料界面研究中的应用 被引量:2
8
作者 梅志 顾明元 吴人洁 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 1996年第3期7-10,共4页
在介绍电子能量损失谱基本原理的基础上,简述了电子能量损失谱高能损失区在复合材料界面研究中的应用,最后,对电子能量损失谱和X射线能谱分析进行了比较。
关键词 电子能量 损失 复合材料 界面
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第三代电子动量谱仪的多参数符合测量系统研制 被引量:1
9
作者 庞文宁 赖的是 +2 位作者 尚仁成 邓景康 陈学俊 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期161-165,173,共6页
本文介绍一个新研制的用于第3代电子动量谱仪的多参数符合测量系统。该系统以6个慢符合道的电荷脉冲信号(它含有位置信息)和一个快符合道中的符合时间信号作为7个参数。采用7个数据获取通道并行获取数据,经计算机系统处理,可同... 本文介绍一个新研制的用于第3代电子动量谱仪的多参数符合测量系统。该系统以6个慢符合道的电荷脉冲信号(它含有位置信息)和一个快符合道中的符合时间信号作为7个参数。采用7个数据获取通道并行获取数据,经计算机系统处理,可同时得到(e,2e)反应相关的符合多道时间谱、电离能谱和电子动量谱。 展开更多
关键词 第三代 电子动量 符合测量系统 EMS
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钢铁材料晶界结合和冲击断裂特征的电子能量损失谱研究 被引量:1
10
作者 章晓中 杨卫国 +3 位作者 袁俊 张丽娜 齐俊杰 马钺 《电子显微学报》 CAS CSCD 2007年第4期356-362,共7页
本文采用电子能量损失谱(EELS)研究了不同商用钢铁材料的晶界,计算了晶界处和晶粒内铁原子的3d电子占据态密度,并将其和晶界性质以及材料的宏观断裂性能相联系。结果表明,当样品晶界处铁的3d电子占据态密度高于晶粒内时,晶界结合强度低... 本文采用电子能量损失谱(EELS)研究了不同商用钢铁材料的晶界,计算了晶界处和晶粒内铁原子的3d电子占据态密度,并将其和晶界性质以及材料的宏观断裂性能相联系。结果表明,当样品晶界处铁的3d电子占据态密度高于晶粒内时,晶界结合强度低于晶内,晶界表现出脆性,材料的冲击断裂方式主要为脆性的沿晶断裂;反之,如果样品晶界处铁的3d电子占据态密度低于晶粒内时,晶界结合强度高于晶内,晶界表现出韧性,材料的冲击断裂方式主要为脆性的穿晶断裂。还发现元素在晶界的偏析对晶界结合强度影响很大。 展开更多
关键词 电子能量损失 钢铁材料 电子结构 晶界 断裂模式
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电子能量损失谱低能谱区的分析和应用 被引量:3
11
作者 王永瑞 邹骐 +1 位作者 卢党吾 胡赓祥 《电子显微学报》 CAS CSCD 1993年第3期262-267,共6页
本文讨论电子能量损失谱低能谱区的分析及其在研究固体材料电子结构方面的应用。作为实例,给出了Bi_2Sr_2CaCu_2O_8高温超导体的体等离子色散试验结果和YBa_2Cu_3O_(7-x)高温超导体的电子能量损失谱低能谱区的计算机拟合分析试验结果。
关键词 电子能量损失 低能 固体材料 电子结构
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新型功能化合物的晶体结构和电子能量损失谱研究 被引量:1
12
作者 杨槐馨 马超 +3 位作者 石友国 肖睿娟 田焕芳 李建奇 《电子显微学报》 CAS CSCD 2007年第6期528-535,共8页
本文深入研究了六方层状结构钴氧化物中的层间阳离子排列,电荷/轨道序和金属超导体NbB2中的电子能量损失谱,阐述了现代透射电子显微镜(TEM)技术和电子能量损失谱在功能化合物研究领域的应用。基于MxCoO2(M=Na,Sr或Ca)化合物的TEM结构分... 本文深入研究了六方层状结构钴氧化物中的层间阳离子排列,电荷/轨道序和金属超导体NbB2中的电子能量损失谱,阐述了现代透射电子显微镜(TEM)技术和电子能量损失谱在功能化合物研究领域的应用。基于MxCoO2(M=Na,Sr或Ca)化合物的TEM结构分析,总结给出了反映这种层状结构化合物中阳离子含量和结构特性关联的相图。以Na0.5CoO2材料作为研究主体,系统分析了材料结构随温度的变化,并对Na离子有序和结构相变进行了深入探讨。在100K到20K温度区间观测到了两个超结构相,其基本特性可以用电荷/轨道有序模型很好地解释。NbB2是典型的层状超导体,电子能量损失谱表现出很强的各向异性。结合第一性原理计算对其电子结构和电子能量损失谱的特性进行了仔细分析,获得了费米能级附近B的2p轨道未占据态信息。在这些实验和理论结果的基础上,系统分析了六方层状钴氧化物中结构相变和物理性能的关联,并对NbB2和MgB2超导材料电子结构区别进行了讨论。 展开更多
关键词 功能氧化物 原位透射电子显微学 电子能量损失 多重序 电子结构
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电子能量损失谱研究钛硅分子筛中钛的存在状态 被引量:1
13
作者 郑爱国 向彦娟 +3 位作者 朱斌 张进 林民 徐广通 《石油学报(石油加工)》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期991-994,共4页
利用透射电子显微技术(TEM)、X射线能谱技术(EDX)以及电子能量损失谱技术(EELS)对Ti原子是否进入到TS-1钛硅分子筛骨架进行了研究。结果表明,TS-1钛硅分子筛中存在的微量TiO2粒子的EELS信号中O-K边与Ti-L2边的能量差为70eV左右;而钛硅... 利用透射电子显微技术(TEM)、X射线能谱技术(EDX)以及电子能量损失谱技术(EELS)对Ti原子是否进入到TS-1钛硅分子筛骨架进行了研究。结果表明,TS-1钛硅分子筛中存在的微量TiO2粒子的EELS信号中O-K边与Ti-L2边的能量差为70eV左右;而钛硅分子筛(TS)粒子的EELS信号中O-K边与Ti-L2边的能量差为79eV左右。对比TiO2、TS粒子的EELS,发现TS粒子的Ti-L2、Ti-L3边与TiO2粒子的Ti-L2、Ti-L3边的能量差为1eV,这种能量差异可以作为Ti原子进入TS-1钛硅分子筛骨架的一种证明。 展开更多
关键词 钛硅分子筛(TS-1) 电子能量损失(EELS) 透射电子显微技术(TEM) X射线能技术(EDX)
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铀的电子能量损失谱密度泛函理论计算及实验研究 被引量:2
14
作者 张永彬 蒙大桥 +1 位作者 陆雷 朱正和 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期685-689,711,共6页
采用密度泛函理论计算及实验获取了铀的电子能量损失谱(Electronenergylossspec-troscopy,简称EELS)。计算的谱峰位置与实验一致。结合计算得到铀的能带及态密度对计算谱及实验谱特征峰进行分析,结果表明:由于铀的5f电子形成窄带对等离... 采用密度泛函理论计算及实验获取了铀的电子能量损失谱(Electronenergylossspec-troscopy,简称EELS)。计算的谱峰位置与实验一致。结合计算得到铀的能带及态密度对计算谱及实验谱特征峰进行分析,结果表明:由于铀的5f电子形成窄带对等离子体振荡贡献较小,6p电子的共振跃迁致使等离子振荡频率降低;实验谱中13.3eV能量损失峰为体等离子体振荡峰,20.3eV能量损失峰为6p能带到费米能级跃迁能量损失峰,27.6eV能量损失峰为两次体等离子振荡吸收峰。 展开更多
关键词 电子能量损失(EELS) 密度泛函 等离子体振荡(BP)
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电子能量损失谱对碳化硅颗粒增强铝基复合材料界面特征的研究
15
作者 梅志 顾明元 +1 位作者 蒋为吉 吴人洁 《电子显微学报》 CAS CSCD 1997年第2期120-123,共4页
本文利用电子能量损失谱研究了氧化态和原始态碳化硅颗粒增强铝基复合材料的界面特征,讨论了它对复合材料弯曲强度的影响。结果发现,氧化处理后碳化硅与铝基体界面上有一SiO2非晶层,该非晶层内由于铝的扩散作用而形成铝的浓度梯... 本文利用电子能量损失谱研究了氧化态和原始态碳化硅颗粒增强铝基复合材料的界面特征,讨论了它对复合材料弯曲强度的影响。结果发现,氧化处理后碳化硅与铝基体界面上有一SiO2非晶层,该非晶层内由于铝的扩散作用而形成铝的浓度梯度。原始态碳化硅与铝的界面上则无此非晶层。由于此非晶层的作用。 展开更多
关键词 电子能量损失 碳化硅 界面特征 复合材料
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掺杂(Fe、Nb)SrTiO_3晶界组成的电子能量损失谱(EELS)分析
16
作者 方平安 顾辉 宋元伟 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 2002年第1期48-50,共3页
采用高空间分辨率扫描透射电镜(STEM)对掺杂(Fe3+、Nb5+)SrTiO3晶界进行了观察,并利用采集的电子能量损失谱(EELS)对晶界组成进行了分析.结果表明,掺杂Fe的SrTiO3陶瓷晶界存在1nm左右的非晶膜,同晶体内部相比晶界缺Sr;三叉晶界为钛基玻... 采用高空间分辨率扫描透射电镜(STEM)对掺杂(Fe3+、Nb5+)SrTiO3晶界进行了观察,并利用采集的电子能量损失谱(EELS)对晶界组成进行了分析.结果表明,掺杂Fe的SrTiO3陶瓷晶界存在1nm左右的非晶膜,同晶体内部相比晶界缺Sr;三叉晶界为钛基玻璃相,Ti、O及Fe含量明显高于晶界.掺Nb的SrTiO3陶瓷晶界同晶粒相比同样缺Sr,三叉晶界主要以SiO2非晶相为主.Fe3+、Nb5+对Ti4+的替位及在晶界的偏析引起SrTiO3晶格畸变是导致晶界组成变化的主要原因. 展开更多
关键词 EELS SRTIO3 晶界 掺杂 偏析 陶瓷 钛酸锶 电子能量损失
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Na_xCoO_2·yH_2O体系的高分辨电子能量损失谱和电子结构研究
17
作者 肖睿娟 杨槐馨 +2 位作者 陈江华 马超 李建奇 《电子显微学报》 CAS CSCD 2007年第3期171-178,共8页
本文通过高分辨电子能量损失谱(EELS)的实验分析与密度泛函计算相结合的方法,研究了NaxCoO2.yH2O系统的电子结构特性和电子关联效应。实验结果表明,金属性Na0.3CoO2材料和电荷有序绝缘体Na0.5CoO2的O-K吸收边存在明显的结构差别,在Na0.5... 本文通过高分辨电子能量损失谱(EELS)的实验分析与密度泛函计算相结合的方法,研究了NaxCoO2.yH2O系统的电子结构特性和电子关联效应。实验结果表明,金属性Na0.3CoO2材料和电荷有序绝缘体Na0.5CoO2的O-K吸收边存在明显的结构差别,在Na0.5CoO2的EELS中第一个峰发生明显分裂,密度泛函计算证实这种分裂现象和电子关联效应直接相关。通过理论模拟谱线与实验谱线的比较确定了其电子关联强度为U=3.0 eV。在Na0.3CoO2.yH2O(y=0,0.6,1.3)超导体系中,实验发现其能损谱的低能部分随着水含量的增加发生系统的变化,损失峰向低能量方向逐步移动。电子结构计算表明水分子的插入可以引起费米面附近能态原子轨道杂化情况的改变,从而导致EELS的变化。 展开更多
关键词 电子能量损失 密度泛函理论 NaxCoO2.yH2O 电子结构 强关联体系
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Sr_(0.35)CoO_2的电子能量损失谱和关联效应的研究
18
作者 肖睿娟 杨槐馨 +3 位作者 张怀若 石友国 田焕芳 李建奇 《电子显微学报》 CAS CSCD 2005年第4期372-372,共1页
关键词 电子能量损失 关联效应 离子交换反应 电子结构 超导化合物 物理特性 NA^+ 阳离子 平面波
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钴硅化合物的理论电子能量损失谱
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作者 邢辉 姚强 +1 位作者 孙坚 刘少光 《电子显微学报》 CAS CSCD 2006年第6期468-471,共4页
本文采用扩展平面波加局域轨道方法和广义梯度近似对钴硅系中Co2Si,CoSi和CoSi2三种不同硅化物的电子结构以及电子能量损失近边结构(ELNES)进行了理论计算。结果表明计算得到的硅化物中Co的ELNES很好反映了Co在费米能级以上d的未占据态... 本文采用扩展平面波加局域轨道方法和广义梯度近似对钴硅系中Co2Si,CoSi和CoSi2三种不同硅化物的电子结构以及电子能量损失近边结构(ELNES)进行了理论计算。结果表明计算得到的硅化物中Co的ELNES很好反映了Co在费米能级以上d的未占据态密度分布,其中Co2Si和CoSi2具有金属性质;而CoSi呈现出半金属性质。计算还表明电子能量损失谱仪应具有足够高的能量分辨率(0.2 eV),电子能量损失近边结构才能正确反映出钴硅化合物的电子结构特征。 展开更多
关键词 钴硅化合物 电子能量损失 第一性原理
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掺杂机制的电子能量损失谱(EELS)研究
20
作者 张敬民 章新政 +1 位作者 尤力平 俞大鹏 《电子显微学报》 CAS CSCD 2006年第B08期8-8,共1页
关键词 电子能量损失 掺杂机制 宽禁带半导体 P型掺杂 原子位置 杂质原子 元素掺杂 过渡金属
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