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极化效应对氮化镓型LED性能影响分析
1
作者
张建亚
黄勇林
赵宇坤
《光通信研究》
北大核心
2013年第4期46-48,60,共4页
对氮化镓(InGaN/GaN)型MQW(多量子阱)结构的蓝宝石衬底LED(发光二极管)受自发和压电极化效应的影响进行了研究。为了分析LED的输出特性,利用MATLAB软件对传统水平结构的InGaN/GaN型MQW蓝光LED芯片进行了模拟。研究表明,LED各个界面极化...
对氮化镓(InGaN/GaN)型MQW(多量子阱)结构的蓝宝石衬底LED(发光二极管)受自发和压电极化效应的影响进行了研究。为了分析LED的输出特性,利用MATLAB软件对传统水平结构的InGaN/GaN型MQW蓝光LED芯片进行了模拟。研究表明,LED各个界面极化电荷同比例增加能稍微改善LED的电学特性,但却显著降低了LED的光输出功率和内量子效率,这主要是由于界面电荷改变了能带结构,阻碍了空穴的扩散与漂移,降低了辐射复合系数。可以通过改变位错密度来降低极化电荷对LED的影响,改善LED的性能。
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关键词
极化电荷
LED性能
能带结构
电子空穴浓度
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职称材料
题名
极化效应对氮化镓型LED性能影响分析
1
作者
张建亚
黄勇林
赵宇坤
机构
南京邮电大学光电工程学院
西安交通大学电子与信息工程学院
出处
《光通信研究》
北大核心
2013年第4期46-48,60,共4页
文摘
对氮化镓(InGaN/GaN)型MQW(多量子阱)结构的蓝宝石衬底LED(发光二极管)受自发和压电极化效应的影响进行了研究。为了分析LED的输出特性,利用MATLAB软件对传统水平结构的InGaN/GaN型MQW蓝光LED芯片进行了模拟。研究表明,LED各个界面极化电荷同比例增加能稍微改善LED的电学特性,但却显著降低了LED的光输出功率和内量子效率,这主要是由于界面电荷改变了能带结构,阻碍了空穴的扩散与漂移,降低了辐射复合系数。可以通过改变位错密度来降低极化电荷对LED的影响,改善LED的性能。
关键词
极化电荷
LED性能
能带结构
电子空穴浓度
Keywords
polarization charge
LED performance
energy band structure
electron and hole concentrations
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
极化效应对氮化镓型LED性能影响分析
张建亚
黄勇林
赵宇坤
《光通信研究》
北大核心
2013
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