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HL-1M装置真空室硅化的研究
被引量：
4
1
作者
严东海
王恩耀
+5 位作者
崔成和
梁雁
许正华
张炜
刘建宏
黄永康
《核聚变与等离子体物理》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第4期245-252,共8页
GDC(He +SiH4 )是为HL 1M装置研制的一种常规壁处理技术。在He辉光等离子体条件下 ,通过气相中的电子碰撞离解、电离、离子 分子反应和在壁面上的He+ 诱导脱H2 过程 ,在清洁的真空壁表面沉积一层无定形、半透明、致密的氢化硅 (α Si...
GDC(He +SiH4 )是为HL 1M装置研制的一种常规壁处理技术。在He辉光等离子体条件下 ,通过气相中的电子碰撞离解、电离、离子 分子反应和在壁面上的He+ 诱导脱H2 过程 ,在清洁的真空壁表面沉积一层无定形、半透明、致密的氢化硅 (α Si∶H)薄膜。氢化硅具有良好的H(D)捕获、H2 (D2 )释放 ,能显著地降低再循环系数 ,有效地控制杂质水平 ,大大拓宽了HL 1M装置的运行范围 ,为HL 1M装置的LHCD、ICRH、ECRH、NBI、PI和MBI实验提供了良好的真空壁条件。
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关键词
硅化
再循环
真空壁条件
HL-1M装置
电子碰撞离解
真空室
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职称材料
题名
HL-1M装置真空室硅化的研究
被引量：
4
1
作者
严东海
王恩耀
崔成和
梁雁
许正华
张炜
刘建宏
黄永康
机构
核工业西南物理研究院
出处
《核聚变与等离子体物理》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第4期245-252,共8页
文摘
GDC(He +SiH4 )是为HL 1M装置研制的一种常规壁处理技术。在He辉光等离子体条件下 ,通过气相中的电子碰撞离解、电离、离子 分子反应和在壁面上的He+ 诱导脱H2 过程 ,在清洁的真空壁表面沉积一层无定形、半透明、致密的氢化硅 (α Si∶H)薄膜。氢化硅具有良好的H(D)捕获、H2 (D2 )释放 ,能显著地降低再循环系数 ,有效地控制杂质水平 ,大大拓宽了HL 1M装置的运行范围 ,为HL 1M装置的LHCD、ICRH、ECRH、NBI、PI和MBI实验提供了良好的真空壁条件。
关键词
硅化
再循环
真空壁条件
HL-1M装置
电子碰撞离解
真空室
Keywords
Siliconization
Recycle
Vacuum wall conditions
分类号
TL631.24 [核科学技术—核技术及应用]
TL628 [核科学技术—核技术及应用]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
HL-1M装置真空室硅化的研究
严东海
王恩耀
崔成和
梁雁
许正华
张炜
刘建宏
黄永康
《核聚变与等离子体物理》
CAS
CSCD
北大核心
2001
4
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