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题名6H-SiC高场输运特性的多粒子蒙特卡罗研究
被引量：3
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作者
王平
周津慧
杨银堂
屈汉章
杨燕
付俊兴
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机构
西安电子科技大学微电子所
西安邮电学院信息与控制系
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出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期322-325,共4页
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基金
教育部重点资助项目 (0 2 0 74)
国防科技预研基金资助(批准号 :514 0 80 10 60 1DZ10 3 2 )项目
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文摘
采用非抛物性能带模型 ,对 6H SiC高场电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗 (EnsembleMonteCarlo)研究 研究表明 :温度为 2 96K时 ,电子横向漂移速度在电场为 2 .0×1 0 4V/cm处偏离线性区 ,5.0×1 0 5V/cm处达到饱和 由EMC方法得到的电子横向饱和漂移速度为 1 .95×1 0 7cm/s,纵向为6.0×1 0 6cm/s,各向异性较为显著 当电场小于 1 .0×1 0 6V/cm时 ,碰撞电离效应对高场电子漂移速度影响较小 另一方面 ,高场下电子平均能量的各向异性非常明显 电场大于 2 .0× 1 0 5V/cm时 ,极化光学声子散射对电子横向能量驰豫时间影响较大 当电场一定时 ,c轴方向的电子碰撞电离率随着温度的上升而增大 对非稳态高场输运特性的分析表明 :阶跃电场强度为 1 .0×1 0 6V/cm时 ,电子横向瞬态速度峰值接近 3.0×1 0 7cm/s。
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关键词
6H-SIC
多粒子蒙特卡罗研究
各向异性
漂移速度
平均能量
电子碰撞电离率
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Keywords
H-SiC
Ensemble Monte Carlo study
Anisotropy
Dr ift velocity
Mean energy
Electron impact ionization rates
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分类号
TN304.2
[电子电信—物理电子学]
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