电子 -电子相互作用对电致发光高分子极化特性的影响(英文) 被引量：1

1

作者 傅柔励 郭光宇 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期259-265,共7页

用同时计入电子 -电子相互作用 ,外电场及电子 -晶格相互作用的理论模型研究分析了电致发光高分子的极化特性 ,发现在位电子相互作用和相邻格点间电子的相互作用明显增加高分子中双激子态的反向极化 .

关键词 电子-电子相互作用 极化 电致发光高分子

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脲基嘧啶酮四氢键二茂铁二聚体:电子相互作用的调控(英文)

2

作者 王素敏 赵绒娜 +3 位作者 王奇观 郭浩 李金华 张文慧 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2016年第3期611-616,共6页

以脲基嘧啶酮四重氢键为桥联单元,组装了二茂铁同体二聚体(1?1)。电化学实验显示1?1中两个等同的二茂铁基团的氧化还原电位差值(ΔE)达260 mV,说明1?1中两个二茂铁基团间通过四氢键发生了显著的电子相互作用。在1?1/CHCl_3中逐步加入0.5... 以脲基嘧啶酮四重氢键为桥联单元,组装了二茂铁同体二聚体(1?1)。电化学实验显示1?1中两个等同的二茂铁基团的氧化还原电位差值(ΔE)达260 mV,说明1?1中两个二茂铁基团间通过四氢键发生了显著的电子相互作用。在1?1/CHCl_3中逐步加入0.5、1和2等摩尔的CF_3COOH时,由于脲基嘧啶酮四氢键的逐步解离,二茂铁间的电子相互作用强度逐渐减弱,其ΔE从260 mV逐步减小至150、100和0 mV,此时再加入三乙胺又可以使电子相互作用逐步恢复至初始状态,说明通过加入质子酸、碱可有效调控四氢键体系中发色团间通过氢键的电子相互作用。 展开更多

关键词 脲基嘧啶酮 四氢键 电子相互作用 调控 二茂铁

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纤锌矿InxGa1-xN／GaN量子阱中的界面声子-电子相互作用

3

作者 李伟 张芳 危书义 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期43-47,共5页

在介电连续模型下,运用传递矩阵的方法研究了任意层纤锌矿量子阱中界面光学声子的电声相互作用,得出了任意层纤锌矿量子阱中界面光学声子与电子相互作用的哈密顿。结果表明,在对称单量子阱GaN/InxGa1-xN/GaN中,界面声子-电子相互作用的... 在介电连续模型下,运用传递矩阵的方法研究了任意层纤锌矿量子阱中界面光学声子的电声相互作用,得出了任意层纤锌矿量子阱中界面光学声子与电子相互作用的哈密顿。结果表明,在对称单量子阱GaN/InxGa1-xN/GaN中,界面声子-电子相互作用的耦合强度随组分x的变化差别很大;在对称单量子阱GaN/In0.8Ga0.2N/GaN中,不同的界面声子随着波数的变化对电声相互作用的贡献不同。 展开更多

关键词 GaN/InxGa1-xN/GaN 界面声子-电子相互作用 量子阱

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对近代物理内容的教学尝试──关于光子与电子相互作用的效应

4

作者 黄运开 《交通高教研究》 1996年第1期56-57,78,共3页

对近代物理内容的教学尝试──关于光子与电子相互作用的效应黄运开武汉交通科技大学工科物理教学中如何加强近代物理内容，是当前物理教学改革迫切需要而又困难的课题，其难度在于怎样将那些显得抽象、深邃的近代物理内容“普通化”，... 对近代物理内容的教学尝试──关于光子与电子相互作用的效应黄运开武汉交通科技大学工科物理教学中如何加强近代物理内容，是当前物理教学改革迫切需要而又困难的课题，其难度在于怎样将那些显得抽象、深邃的近代物理内容“普通化”，使之适应低年级学生的知识基础和思维... 展开更多

关键词 近代物理 教学尝试 低年级学生 物理教学 知识基础 内容 难度 光子 电子相互作用 工科物理

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准一维有机聚合物铁磁体中的电子-电子相互作用

5

作者 赵黎 王忠龙 《三峡大学学报（自然科学版）》 CAS 2004年第2期189-192,共4页

考虑电子-电子相互作用,对具有链间耦合的准一维有机聚合物铁磁体的电子结构和自旋结构进行了研究.结果表明,对于维持系统的铁磁态的稳定性而言,系统内的在位电子-电子Hub-bard排斥相互作用与最近邻格点间的电子-电子Coulomb排斥相互作... 考虑电子-电子相互作用,对具有链间耦合的准一维有机聚合物铁磁体的电子结构和自旋结构进行了研究.结果表明,对于维持系统的铁磁态的稳定性而言,系统内的在位电子-电子Hub-bard排斥相互作用与最近邻格点间的电子-电子Coulomb排斥相互作用所起的作用相反,彼此间存在着竞争;最近邻格点间的电子-电子Coulomb排斥相互作用的加强将导致主链反铁磁性自旋密度波(SDW)之振幅的减小,使得主链反铁磁性SDW的耦合传递作用减弱,进而影响到侧自由基自旋间的铁磁耦合强度,这将削弱系统铁磁态的稳定性. 展开更多

关键词 有机聚合物铁磁体 电子-电子相互作用 电荷密度波 自旋密度波

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根据与栅下界面状态的电子相互作用获得的p-HEMT的可靠性特性值

6

《电子产品可靠性与环境试验》 2004年第3期77-77,共1页

关键词 电子相互作用 p-HEMT 可靠性特性值 热电子退化 应力试验

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电子-声子相互作用对非对称Morse势阱中光整流效应的影响(英文)

7

作者 于凤梅 郭康贤 王克强 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期436-442,共7页

从理论上研究了电子-声子相互作用对Morse势阱中光整流效应的影响。利用微扰论的方法求解在考虑电子-声子相互作用时Morse量子阱的波函数和能级,采用密度矩阵方法和迭代法得到光整流系数,以典型的GaAs/AlGaAs Morse势阱为例进行数值计... 从理论上研究了电子-声子相互作用对Morse势阱中光整流效应的影响。利用微扰论的方法求解在考虑电子-声子相互作用时Morse量子阱的波函数和能级,采用密度矩阵方法和迭代法得到光整流系数,以典型的GaAs/AlGaAs Morse势阱为例进行数值计算。数值结果表明在考虑电子-声子相互作用后,获得的光整流系数比仅考虑电子情况的大15%～30%左右。并且电子-声子相互作用使光整流系数峰值向高能方向偏移。因此要得到比较精确的结果,有必要考虑电子-声子相互作用的影响。 展开更多

关键词 非线性光学 光整流效应 电子-声子相互作用 MORSE势阱

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砷化物三元混晶中电子-声子相互作用的维度和体积效应

8

作者 段晓峰 樊云鹏 侯俊华 《激光杂志》 北大核心 2016年第10期10-13,共4页

通过导出描述三维、二维和一维混晶中电子-声子相互作用的哈密顿量,讨论了砷化物三元混晶中原胞体积效应与电子-声子耦合强度和原胞体积失配率的关系。结果表明:电子-声子耦合越强,原胞失配率越大,体积效应越明显;只有原胞体积失配率较... 通过导出描述三维、二维和一维混晶中电子-声子相互作用的哈密顿量,讨论了砷化物三元混晶中原胞体积效应与电子-声子耦合强度和原胞体积失配率的关系。结果表明:电子-声子耦合越强,原胞失配率越大,体积效应越明显;只有原胞体积失配率较小和电子-声子的耦合强度较弱时,体积效应的影响是可以略去的;由于维度受限增强了电子-声子相互作用强度,二维光学极化子效应的非线性变化比三维的更明显;而一维光学极化子效应的非线性变化比三维和二维情形要弱。 展开更多

关键词 电子-光学声子相互作用 极化子能量 原胞体积效应

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多层耦合约化维度量子体系中的界面光学声子模及其与电子的相互作用(英文)

9

作者 张立 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期243-250,共8页

采用传递矩阵方法,在介电连续近似下,推导并给出了n层耦台约化维度量子体系(包括耦合量子阱CQW, 耦合量子阱线CQWW和耦合量子点CQD)中的界面光学声子模与相应的电子-声子相互作用哈密顿的统一表达式。对由二层AlGaAs/GaAs构成的CQW,CQWW... 采用传递矩阵方法,在介电连续近似下,推导并给出了n层耦台约化维度量子体系(包括耦合量子阱CQW, 耦合量子阱线CQWW和耦合量子点CQD)中的界面光学声子模与相应的电子-声子相互作用哈密顿的统一表达式。对由二层AlGaAs/GaAs构成的CQW,CQWW与CQD进行了数值计算,并对界面光学声子频率对体系的波矢与量子数的信赖关系进行了分析,特别是对波矢与量子数趋于0与无穷大两个极端情况从数学与物理上进行了合理的解释与说明。 展开更多

关键词 光电子学 耦合约化维度量子系统 传递矩阵方法 电子-声子相互作用 凝聚态

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双核钌配合物中金属间相互作用的电化学研究 被引量：1

10

作者 李红 巢晖 +1 位作者 计亮年 蒋雄 《电化学》 CAS CSCD 2001年第2期167-172,共6页

应用循环伏安、循环交流伏安和微分电容测定等电化学方法研究了由 2 ,2一联吡啶(bpy)和桥联配体 1,4_二 [2_咪唑并 [4 ,5_f]邻菲咯啉 ]苯 (DIPB)或 1,4_二 [2_脱氢咪唑并 [4,5_f]邻菲咯啉 ]苯 (DIPB_2H)所形成的对称双核钌配合物 (Ru2 :... 应用循环伏安、循环交流伏安和微分电容测定等电化学方法研究了由 2 ,2一联吡啶(bpy)和桥联配体 1,4_二 [2_咪唑并 [4 ,5_f]邻菲咯啉 ]苯 (DIPB)或 1,4_二 [2_脱氢咪唑并 [4,5_f]邻菲咯啉 ]苯 (DIPB_2H)所形成的对称双核钌配合物 (Ru2 :(bpy) 2 Ru(DIPB)Ru(bpy) 2 (ClO4 ) 4 和Ru2_2H :(bpy) 2 Ru(DIPB_2H)Ru(bpy) 2 (ClO4 ) 2 )在铂电极上的电化学性质以及金属间的相互作用 .研究结果表明 ,在 0 .1mol/L高氯酸四丁基铵 (TBAP)的乙腈溶液中 ,中心离子在循环伏安图上均呈现 1对可逆的 2电子氧化还原波 ,电位也几乎不变 ,其所对应的配位阳离子的扩散系数分别为 3.50×10 - 6 cm2 /s和 3.94× 10 - 6 cm2 /s.循环交流伏安和微分电容测定研究发现 ,桥联配体去质子化后 。 展开更多

关键词 双核钌(Ⅱ)配合物 去质子化 电化学性质 电子相互作用 金属间相互作用 铂电极

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球形量子点中电子-声学声子相互作用

11

作者 李浩 侯俊华 《激光杂志》 北大核心 2015年第7期16-18,共3页

通过计算球量子点中的声学极化子基态能量,讨论了球量子点中声学极化子由自由态向自陷态转变的相关情况。结果表明:量子点半径越小,其内部声学极化子越容易自陷;随着量子点半径的增大,其内部电子-声子耦合逐渐减弱,当半径增加到0.15时,... 通过计算球量子点中的声学极化子基态能量,讨论了球量子点中声学极化子由自由态向自陷态转变的相关情况。结果表明:量子点半径越小,其内部声学极化子越容易自陷;随着量子点半径的增大,其内部电子-声子耦合逐渐减弱,当半径增加到0.15时,量子点结构对电子-声子相互作用的影响减弱为零。 展开更多

关键词 量子点 电子-声学声子相互作用

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多核配合物中金属间相互作用的电化学研究取代三联吡啶配合物的合成、结构及电化学性质 被引量：5

12

作者 尹业高 张恭启 黄永德 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第9期1369-1374,共6页

报道了２个取代三联吡啶配体（４′－苯基－２，２′∶６′，２″－三联吡啶（Ｌ１）和４′－二茂铁基－２，２′∶６′，２″－三联吡啶（Ｌ２））的Ｃｏ（Ⅱ）配合物（［Ｃｏ（Ⅱ）（Ｌ１）２］（ＣｌＯ４）２·４ＣＨ３ＣＮ（１... 报道了２个取代三联吡啶配体（４′－苯基－２，２′∶６′，２″－三联吡啶（Ｌ１）和４′－二茂铁基－２，２′∶６′，２″－三联吡啶（Ｌ２））的Ｃｏ（Ⅱ）配合物（［Ｃｏ（Ⅱ）（Ｌ１）２］（ＣｌＯ４）２·４ＣＨ３ＣＮ（１）和［Ｃｏ（Ⅱ）（Ｌ２）２］（ＣｌＯ４）２Ｈ２Ｏ（２））的合成及配体Ｌ２和配合物１和配合物２的晶体结构．电化学研究表明：在配合物２中，由于Ｃｏ２＋的作用，二茂铁基的氧化电位较配体Ｌ２中的二茂铁基的氧化电位有０．１４Ｖ的正移动．同时发现，在配合物１中，Ｃｏ２＋的氧化还原电位较２中Ｃｏ２＋的氧化还原电位有０．０６Ｖ的正移动．说明在配合物２的二茂铁中的Ｆｅ（Ⅱ）与Ｃｏ（Ⅱ）之间存在着由分子片断传递的电子相互作用． 展开更多

关键词 二茂铁 三联吡啶 电子相互作用 晶体 钴配合物

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α相碲烯的准粒子能带和光学性质:多体相互作用和激子效应

13

作者 朱宏超 罗朝波 彭向阳 《湘潭大学学报（自然科学版）》 CAS 2020年第4期1-7,共7页

该文用第一性原理方法对α相碲烯的电子能带和光学性质进行了研究.通过GW方法考虑了多体效应对能带的影响,通过求解Bethe-Salpeter方程(BSE),考虑了电子空穴相互作用对光谱的影响.基于密度泛函的计算发现α相碲烯是具有间接带隙的半导体... 该文用第一性原理方法对α相碲烯的电子能带和光学性质进行了研究.通过GW方法考虑了多体效应对能带的影响,通过求解Bethe-Salpeter方程(BSE),考虑了电子空穴相互作用对光谱的影响.基于密度泛函的计算发现α相碲烯是具有间接带隙的半导体.考虑自旋轨道耦合后,它的带隙明显减小,且由间接带隙转化为准直接带隙.采用GW方法后,发现带隙值显著增大,这说明在碲烯中存在强的多体相互作用.在GW计算的基础上,求解了BSE方程,发现在不同k点网格密度情况下,光吸收谱中的激子峰的能量都明显比能带的直接带隙小,说明碲烯中有明显的激子效应.用BSE计算光谱时,我们还发现k网格点需要足够接近直接带隙最小处的k点才能得到正确的光谱. 展开更多

关键词 碲烯 自旋轨道耦合 多体效应 电子空穴相互作用

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磁场对二维量子点两电子系统自旋极化态能级的影响

14

作者 乌云其木格 辛伟 额尔敦朝鲁 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期1-5,共5页

采用少体物理方法,研究了磁场对二维量子点两电子系统自旋极化态能级的影响。以GaAs半导体量子点为例,对体系基态能级E0、第一激发态自旋单态能级E1(A)和自旋三重态能级E1(S)随量子点有效半径l0和磁场B的变化进行了数值计算。结果表明,E... 采用少体物理方法,研究了磁场对二维量子点两电子系统自旋极化态能级的影响。以GaAs半导体量子点为例,对体系基态能级E0、第一激发态自旋单态能级E1(A)和自旋三重态能级E1(S)随量子点有效半径l0和磁场B的变化进行了数值计算。结果表明,E0随B的增加而增大,随l0的增加而减小;在磁场中第一激发态自旋单态能级E1(A)分裂为E1+1(A)、E1-1(A)两条,第一激发态自旋三重态能级E1(S)分裂为EMS1+1(S)、EMS1-1(S)(MS=1,0,-1)两组,每组中有三条"精细结构";各能级(组)均随l0的增加而减小,而它们随B的变化情况差异较大,能级E1+1(A)和EMS1+1(S)随B的增加而显著增大,而能级E1-1(A)和EMS1-1(S)随B的变化相对缓慢;各能级(组)的分裂度均与磁场B的一次方成正比。 展开更多

关键词 量子点 少体物理 电子-电子相互作用 自旋极化态

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生物醌分子伏安响应的多电子转移辨析

15

作者 周浩 龙亿涛 《电化学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期533-537,共5页

电化学反应中,一个基元电子转移反应仅对应一个电子交换,实际上多电子转移反应也涉及对应数目的单电子转移步骤,分离、辨析每个电子基元反应的氧化还原峰电位十分重要.本文以辅酶Q0(Co Q0)、亚甲基桥连双辅酶Q0(Bis-Co Q0)为模型,采用... 电化学反应中,一个基元电子转移反应仅对应一个电子交换,实际上多电子转移反应也涉及对应数目的单电子转移步骤,分离、辨析每个电子基元反应的氧化还原峰电位十分重要.本文以辅酶Q0(Co Q0)、亚甲基桥连双辅酶Q0(Bis-Co Q0)为模型,采用循环伏安和方波伏安技术研究其电化学特性,提出了一种应用于多电子转移体系、分析单个电子转移电位的方法.实验表明,Co Q0经历两步单电子还原反应.Bis-Co Q0中两个醌单元发生强电子相互作用,电极过程为4电子多步转移.对于表观上的4电子"三步"转移反应,拟用Lorentzian-Gaussian分峰拟合Co Q0和Bis-Co Q0体系方波伏安响应曲线,分别获取每个电子转移步骤的电位,进一步证明Bis-Co Q0经历四分步单电子转移反应,为热力学研究提供更多信息. 展开更多

关键词 辅酶Q0 电子相互作用 方波伏安法 多电子转移 分峰 单电子响应辨析

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单原子催化剂电子结构调控实现高效多相催化 被引量：1

16

作者 罗耀武 王定胜 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2023年第9期3-21,共19页

过去十年见证了单原子催化领域的快速发展,其最高的原子利用效率和充分暴露的活性位点使得单原子催化剂对众多反应的催化活性具有显著提升。在单原子催化领域的早期发展阶段,研究者只是关注单原子催化剂催化活性与催化选择性的提高,而... 过去十年见证了单原子催化领域的快速发展,其最高的原子利用效率和充分暴露的活性位点使得单原子催化剂对众多反应的催化活性具有显著提升。在单原子催化领域的早期发展阶段,研究者只是关注单原子催化剂催化活性与催化选择性的提高,而其内在的反应机理以及活性位点同催化性能之间的构效关系往往被忽视。关于单原子催化剂中金属-基底相互作用的深入探讨能够帮助我们理解催化机理,并进一步指导多相催化剂的理性设计。值得注意的是,由于单原子催化剂均一的活性位点及其几何构型,我们可以通过理论计算以及一些原位的表征技术,来揭示其中的金属-基底相互作用,继而进一步促进单原子催化领域的发展以及多相催化剂的理性设计。这篇综述总结了金属-基底相互作用的基本概念,其作用,以及其在一些重要多相催化中的应用,最后提出了金属-基底相互作用在单原子催化领域所面临的挑战与机遇。 展开更多

关键词 单原子催化剂 金属-基底电子相互作用 电子结构 多相催化 构效关系

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稳恒磁场中极性晶体膜内电子-表面声子强耦合磁极化子的有效质量 被引量：9

17

作者 额尔敦朝鲁 肖景林 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期37-40,共4页

采用 Tokuda改进的线性组合算符、L agrange乘子和变分法 ,讨论了磁场中极性晶体膜内电子 -表面光学(SO)声子强耦合和电子 -体纵光学 (L O)声子弱耦合磁极化子的有效质量 ,得出了磁极化子的有效质量随膜厚和磁场变化的规律 ,对 KC1极性... 采用 Tokuda改进的线性组合算符、L agrange乘子和变分法 ,讨论了磁场中极性晶体膜内电子 -表面光学(SO)声子强耦合和电子 -体纵光学 (L O)声子弱耦合磁极化子的有效质量 ,得出了磁极化子的有效质量随膜厚和磁场变化的规律 ,对 KC1极性晶体膜进行了数值计算 ,结果表明磁极化子的有效质量随膜厚的增加而先减小后增加 ,最后趋于一个稳定值 。 展开更多

关键词 极性晶体膜 磁极化子 有效质量 电子-声子相互作用 外磁场 强耦合

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GaN HFET中的局域电子气和瞬态电流谱 被引量：2

18

作者 薛舫时 孔月婵 +1 位作者 李忠辉 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期409-419,共11页

比较了GaN体材料和GaN HFET中陷阱的不同行为,发现后一种陷阱不能简单地用陷阱中心俘获带内电子模型来解释,由此建立起描述沟道电流的新局域电子气模型。运用这一局域电子气新概念解释了实验中观察到的各类瞬态电流谱,说明目前瞬态电流... 比较了GaN体材料和GaN HFET中陷阱的不同行为,发现后一种陷阱不能简单地用陷阱中心俘获带内电子模型来解释,由此建立起描述沟道电流的新局域电子气模型。运用这一局域电子气新概念解释了实验中观察到的各类瞬态电流谱,说明目前瞬态电流研究把高密度局域电子气误认为"陷阱"而引入的各种误解。提出了通过能带剪裁来解决GaN HFET电流崩塌和可靠性难题的新途径。 展开更多

关键词 GAN HFET的陷阱 瞬态电流谱 外沟道中的能带畸变 局域电子气 陷阱与局域电子气的相互作用 电流

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GaN HFET中的陷阱和局域电子气 被引量：8

19

作者 薛舫时 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期207-216,共10页

研究了GaN HFET中陷阱的各种行为,发现许多特性不能简单地用陷阱中心俘获带内电子模型来解释。从内、外沟道陷阱密度的巨大差异推出外沟道高密度陷阱不是由陷阱中心俘获带内电子产生的。通过自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程发现栅-漏... 研究了GaN HFET中陷阱的各种行为,发现许多特性不能简单地用陷阱中心俘获带内电子模型来解释。从内、外沟道陷阱密度的巨大差异推出外沟道高密度陷阱不是由陷阱中心俘获带内电子产生的。通过自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程发现栅-漏间隙中的强场峰在其两侧产生巨大能带畸变,使部分二维电子气不能通过强场峰而形成局域电子气。运用这一局域电子气新概念解释了目前实验中观察到的各类陷阱实验,说明目前陷阱研究把高密度局域电子气误认为"陷阱"而引入的各种误解。提出了从局域电子气研究来解决GaN HFET电流崩塌和可靠性难题的新途径。 展开更多

关键词 氮化镓异质结场效应管的陷阱 外沟道中的能带畸变 局域电子气 陷阱与局域电子气的相互作用 电流崩塌 可

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高斯激光场中穿进轨道电子横向动量的阈值

20

作者 张绍银 艾树涛 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期945-950,共6页

采用数值模拟计算的方法,分析了强激光场中电子的动力学特性,发现穿进轨道电子的入射动量存在一定的阈值.通过研究穿进轨道电子的动力学特征,探讨了电子入射动量的阈值条件,发现与阈值相关的两个因素:激光强度和光束腰宽,推导了阈值的... 采用数值模拟计算的方法,分析了强激光场中电子的动力学特性,发现穿进轨道电子的入射动量存在一定的阈值.通过研究穿进轨道电子的动力学特征,探讨了电子入射动量的阈值条件,发现与阈值相关的两个因素:激光强度和光束腰宽,推导了阈值的定标关系,结果显示:定标式与数值计算结果基本相符合. 展开更多

关键词 激光与电子的相互作用 激光场衍射效应 数值模拟 动量阈值

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