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智能电网用高功率密度1500A/3300V绝缘栅双极晶体管模块被引量：20: 1; 作者刘国友黄建伟 +2 位作者覃荣震罗海辉朱利恒《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2016年第10期2784-2792,共9页; 基于双扩散金属氧化物半导体(diffused metal-oxide semiconductor,DMOS)元胞设计技术,针对智能电网的需求,引入"电子注入增强"以及台面栅技术,优化了3 300 V绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)芯片... 展开更多; 关键词绝缘栅双极晶体管智能电网电子注入增强台面栅 IGBT模块短路安全工作区; 在线阅读下载PDF 职称材料

标准氟离子注入实现增强型GaN基功率器件被引量：3: 2; 作者李淑萍张志利 +3 位作者付凯于国浩蔡勇张宝顺《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第11期827-832,875,共7页; 介绍了一种直接利用离子注入机对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的栅下进行氟(F)离子注入的方法,成功实现了增强型HEMT器件,阈值电压从耗尽型器件的-2.6 V移动到增强型器件的+1.9 V。研究了注入剂量对器件性能的影响,研究发现... 展开更多; 关键词氮化镓增强型高电子迁移率晶体管(HEMT) 离子注入能量吸收层; 在线阅读下载PDF 职称材料

压接式IEGT寄生电感对其内部并联支路均流特性的影响研究: 3; 作者代思洋赵耀 +3 位作者王志强刘征李杰森李国锋《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2021年第22期7793-7805,共13页; 压接式注入增强门极晶体管(press pack injection enhanced gate transistors,PP-IEGT)通过并联多个芯片增加其额定容量,然而芯片所在空间位置的差异会导致封装内寄生电感的分布不均,引发并联芯片间的电流分布不一致及热分布不均和芯片... 展开更多; 关键词多芯片压接式注入增强门极晶体管寄生电感电流均衡性瞬态电磁分析; 在线阅读下载PDF 职称材料

势垒层注入氢离子的AlGaN/GaN LDD-HEMT设计与仿真: 4; 作者杨鹏杨琦刘帅《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第12期905-911,共7页; 普通结构AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件受漏极高压影响,器件沟道内的电场线在栅电极附近不断汇聚,最终导致AlGaN/GaN HEMT器件提前击穿。为了提高AlGaN/GaN HEMT器件的耐电压能力和沟道电场均匀性,先建立漏极离子轻掺杂(LDD)... 展开更多; 关键词 AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件漏极离子轻掺杂(LDD)技术增强型HEMT 击穿电压氢离子注入; 在线阅读下载PDF 职称材料

高压大容量静止同步补偿器功率开关器件选用分析被引量：15: 5; 作者欧阳旭东彭程 +3 位作者胡广振张海涛姜齐荣李旷《电力系统自动化》 EI CSCD 北大核心 2013年第2期113-118,共6页; 在电力电子装置中,大功率开关器件很大程度上决定设备的技术经济指标。以南方电网35kV/±200Mvar链式静止同步补偿器(STATCOM)工程应用为背景,介绍了电子注入增强门极晶体管(IEGT)的基本结构、工作原理和性能特性分析,并与绝缘栅双... 展开更多; 关键词高压大功率器件电子注入增强门极晶体管(iegt) 集成门极换向晶闸管(IGCT) 静止同步补偿器(STATCOM); 在线阅读下载PDF 职称材料

大容量全控型压接式IGBT和IGCT器件对比分析:原理、结构、特性和应用被引量：27: 6; 作者周文鹏曾嵘 +5 位作者赵彪陈政宇刘佳鹏白睿航吴锦鹏余占清《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2022年第8期2940-2956,共17页; 全控型压接式器件是大容量电力电子装备实现功率转换的核心,主要包括以集成门极换流晶闸管(integratedgate commutatedthyristor,IGCT)为代表的晶闸管类器件和以绝缘栅型双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)、注入增强... 展开更多; 关键词压接式器件绝缘栅型双极晶体管注入增强栅极晶体管集成门极换流晶闸管直流电网大容量电力电子; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名智能电网用高功率密度1500A/3300V绝缘栅双极晶体管模块被引量：20: 1; 作者刘国友黄建伟覃荣震罗海辉朱利恒; 机构新型功率半导体器件国家重点实验室(株洲南车时代电气股份有限公司); 出处《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2016年第10期2784-2792,共9页; 文摘基于双扩散金属氧化物半导体(diffused metal-oxide semiconductor,DMOS)元胞设计技术,针对智能电网的需求,引入"电子注入增强"以及台面栅技术,优化了3 300 V绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)芯片的整体性能。基于该芯片制造出的1 500 A/3 300 V高功率密度IGBT模块,相对于优化前其额定电流从1 200 A上升到了1 500 A(上升了25%),同时导通压降从2.8 V下降到了2.4 V(下降了14%),最高工作结温从125℃提升到150℃。反偏安全工作区(reverse biased safe operation area,RBSOA)与短路安全工作区(short-circuit safe operation area,SCSOA)测试显示,该模块能在集电极电压为2 000 V的情况下关断3 000 A的电流,并且在栅电压为15 V、集电极电压为2 000 V的短路条件下的安全工作时间超过10?s。测试结果显示,该模块导通压降及开关损耗性能与同类型国际主流产品相当。; 关键词绝缘栅双极晶体管智能电网电子注入增强台面栅 IGBT模块短路安全工作区; Keywords insulated gate bipolar transistor（IGBT） smart grid electron injection enhanced terrace gate IGBT module short circuit safe operation area; 分类号 TN322 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名标准氟离子注入实现增强型GaN基功率器件被引量：3: 2; 作者李淑萍张志利付凯于国浩蔡勇张宝顺; 机构苏州工业园区服务外包职业学院纳米科技学院中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所; 出处《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第11期827-832,875,共7页; 基金国家自然科学基金青年科学基金资助项目(11404372) 江苏省重点研究与发展计划资助项目(BE2016084); 文摘介绍了一种直接利用离子注入机对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的栅下进行氟(F)离子注入的方法,成功实现了增强型HEMT器件,阈值电压从耗尽型器件的-2.6 V移动到增强型器件的+1.9 V。研究了注入剂量对器件性能的影响,研究发现随着注入剂量的不断增加,阈值电压不断地正向移动,但由于存在高能F离子的注入损伤,器件的正向栅极漏电随着注入剂量的增加而不断上升,阈值电压正向移动也趋于饱和。因此,提出采用在AlGaN/GaN异质结表面沉积栅介质充当能量吸收层,降低离子注入过程中的损伤,成功实现了阈值电压为+3.3 V,饱和电流密度约为200 mA/mm,同时具有一个较高的开关比109的增强型金属-绝缘层-半导体HEMT(MIS-HEMT)器件。; 关键词氮化镓增强型高电子迁移率晶体管(HEMT) 离子注入能量吸收层; Keywords GaN enhancement-mode high electron mobility transistor （HEMT） ion implantation energy-absorbing layer; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名压接式IEGT寄生电感对其内部并联支路均流特性的影响研究: 3; 作者代思洋赵耀王志强刘征李杰森李国锋; 机构大连理工大学电气工程学院; 出处《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2021年第22期7793-7805,共13页; 基金辽宁省兴辽英才计划项目(XLYC1907081)。; 文摘压接式注入增强门极晶体管(press pack injection enhanced gate transistors,PP-IEGT)通过并联多个芯片增加其额定容量,然而芯片所在空间位置的差异会导致封装内寄生电感的分布不均,引发并联芯片间的电流分布不一致及热分布不均和芯片热失效。为准确分析PP-IEGT封装内寄生电感对并联芯片电流均衡性的影响,文中首先利用串联谐振曲线,提取单芯片子模组、凸台和驱动回路等组件的寄生电感,利用S参数法对测量的电感值进行验证。搭建双脉冲测试平台,结合实验数据和有限元仿真,研究寄生电感对并联芯片电流均衡性和电磁特性的影响。结果表明,寄生电感是影响电流分布的重要因素,驱动回路的寄生参数与距离栅极信号入口的长度成正比。随着PP-IEGT额定容量的增大,并联支路数量的增多,芯片间电参数不均问题更加严重;改变凸台的栅极豁角结构有助于提高电磁参数分布的均衡性。; 关键词多芯片压接式注入增强门极晶体管寄生电感电流均衡性瞬态电磁分析; Keywords multi-chip press pack injection enhanced gate transistors(PP-iegt) parasitic inductance current sharing transient electromagnetic analysis; 分类号 TM46 [电气工程—电器]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名势垒层注入氢离子的AlGaN/GaN LDD-HEMT设计与仿真: 4; 作者杨鹏杨琦刘帅; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第12期905-911,共7页; 文摘普通结构AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件受漏极高压影响,器件沟道内的电场线在栅电极附近不断汇聚,最终导致AlGaN/GaN HEMT器件提前击穿。为了提高AlGaN/GaN HEMT器件的耐电压能力和沟道电场均匀性,先建立漏极离子轻掺杂(LDD)结构的AlGaN/GaN HEMT模型,在势垒层中引入带负电荷的氟离子会降低沟道内的正极化电荷,形成类似于"栅场板"结构,以增加导通电阻为代价降低栅电极附近沟道内电场峰值。之后在漏极附近势垒层进行氢离子注入,来补偿LDD结构输出特性的损失,并进一步均匀沟道电场分布,提高AlGaN/GaN HEMT器件的耐压特性。最终设计的AlGaN/GaN HEMT器件导通电阻为0. 766 mΩ·cm2,击穿电压为1 176 V。; 关键词 AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件漏极离子轻掺杂(LDD)技术增强型HEMT 击穿电压氢离子注入; Keywords AlGaN/GaN high electron mobility transistor(HEMT) device low-density drain(LDD) technology enhancement mode HEMT breakdown voltage hydrogen ion implantation; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高压大容量静止同步补偿器功率开关器件选用分析被引量：15: 5; 作者欧阳旭东彭程胡广振张海涛姜齐荣李旷; 机构广东电网公司辽宁科技大学电子与信息工程学院荣信电力电子股份有限公司清华大学电机工程与应用电子技术系; 出处《电力系统自动化》 EI CSCD 北大核心 2013年第2期113-118,共6页; 文摘在电力电子装置中,大功率开关器件很大程度上决定设备的技术经济指标。以南方电网35kV/±200Mvar链式静止同步补偿器(STATCOM)工程应用为背景,介绍了电子注入增强门极晶体管(IEGT)的基本结构、工作原理和性能特性分析,并与绝缘栅双极性晶体管(IGBT)与集成门极换向晶闸管(IGCT)的参数进行对比,阐述了基于IEGT的功率相模块结构及工作原理,并对其进行了试验验证。试验结果表明IEGT具有优越性,可作为高压大容量STATCOM功率开关器件的首选。所得结论经南方电网STATCOM实际工程应用验证,可供高压大容量STATCOM设计借鉴。; 关键词高压大功率器件电子注入增强门极晶体管(iegt) 集成门极换向晶闸管(IGCT) 静止同步补偿器(STATCOM); Keywords device of high voltage and high power iegt IGCT STATCOM; 分类号 TM761.1 [电气工程—电力系统及自动化]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名大容量全控型压接式IGBT和IGCT器件对比分析:原理、结构、特性和应用被引量：27: 6; 作者周文鹏曾嵘赵彪陈政宇刘佳鹏白睿航吴锦鹏余占清; 机构清华大学电机工程与应用电子技术系; 出处《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2022年第8期2940-2956,共17页; 基金国家自然科学基金委智能电网联合基金项目(U2166602)。; 文摘全控型压接式器件是大容量电力电子装备实现功率转换的核心,主要包括以集成门极换流晶闸管(integratedgate commutatedthyristor,IGCT)为代表的晶闸管类器件和以绝缘栅型双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)、注入增强栅极晶体管(injection enhanced gate transistor,IEGT)为代表的晶体管类器件。文中首先介绍并比较IGCT与IGBT(含IEGT)的芯片结构及制作工艺,然后分析对比IGCT与IGBT(含IEGT)的工作原理及封装形式。接着从工作频率、关断能力、动态耐受、器件容量、工作损耗、驱动功率、管壳防爆特性、失效短路特性、器件可靠性等9个角度出发,系统性分析不同全控型压接式器件的工作特性,最后对其应用现状及前景进行概述及展望。; 关键词压接式器件绝缘栅型双极晶体管注入增强栅极晶体管集成门极换流晶闸管直流电网大容量电力电子; Keywords press-pack device insulated gate bipolar transistor(IGBT) injection enhanced gate transistor(iegt) integrated gate commutated thyristor(IGCT) DC power grids large-capacity power electronics; 分类号 TM46 [电气工程—电器]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	智能电网用高功率密度1500A/3300V绝缘栅双极晶体管模块	刘国友黄建伟覃荣震罗海辉朱利恒	《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心	2016	20	在线阅读下载PDF 职称材料
2	标准氟离子注入实现增强型GaN基功率器件	李淑萍张志利付凯于国浩蔡勇张宝顺	《半导体技术》 CSCD 北大核心	2017	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	压接式IEGT寄生电感对其内部并联支路均流特性的影响研究	代思洋赵耀王志强刘征李杰森李国锋	《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心	2021	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	势垒层注入氢离子的AlGaN/GaN LDD-HEMT设计与仿真	杨鹏杨琦刘帅	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2018	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	高压大容量静止同步补偿器功率开关器件选用分析	欧阳旭东彭程胡广振张海涛姜齐荣李旷	《电力系统自动化》 EI CSCD 北大核心	2013	15	在线阅读下载PDF 职称材料
6	大容量全控型压接式IGBT和IGCT器件对比分析:原理、结构、特性和应用	周文鹏曾嵘赵彪陈政宇刘佳鹏白睿航吴锦鹏余占清	《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心	2022	27	在线阅读下载PDF 职称材料