期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
电子横向运动对共振隧穿的影响
被引量：
2
1
作者
宫箭
班士良
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第1期33-36,共4页
讨论了电子横纵方向运动耦合时的隧穿现象。对CdSe/Zn1-xCdxSe方形双势垒结构和抛物形双势垒结构的数值计算表明 ,在零偏压和非零偏压情况下 ,电子横向运动对共振隧穿的影响是不容忽略的。
关键词
共振隧穿
耦合效应
透射系数
电子横向运动
蓝光发射器
半导体
异质结构
GaAs/Ga1-xAlxAs
方形双势垒
抛物形双势垒
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
电子横向运动对共振隧穿的影响
被引量：
2
1
作者
宫箭
班士良
机构
内蒙古大学物理系
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第1期33-36,共4页
基金
国家自然科学基金
教育部高等学校骨干教师资助计划项目
+1 种基金
教育部留学回国人员基金
内蒙古自治区"3 2 1"人才工程基金
文摘
讨论了电子横纵方向运动耦合时的隧穿现象。对CdSe/Zn1-xCdxSe方形双势垒结构和抛物形双势垒结构的数值计算表明 ,在零偏压和非零偏压情况下 ,电子横向运动对共振隧穿的影响是不容忽略的。
关键词
共振隧穿
耦合效应
透射系数
电子横向运动
蓝光发射器
半导体
异质结构
GaAs/Ga1-xAlxAs
方形双势垒
抛物形双势垒
Keywords
resonant tunneling
coupling effect
transmission coefficient
分类号
O471.1 [理学—半导体物理]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电子横向运动对共振隧穿的影响
宫箭
班士良
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
