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铸造多晶硅晶界的EBSD和EBIC研究
被引量：
10
1
作者
陈君
杨德仁
席珍强
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期364-368,共5页
利用电子背散射衍射(electron back-scattered diffraction,EBSD)和电子束诱生电流(electron beam induced cur-rent,EBIC)技术对铸造多晶硅的晶界类型和晶界复合特性进行了研究。EBSD分析显示铸造多晶硅中的大部分晶界为大角度晶界(tθ...
利用电子背散射衍射(electron back-scattered diffraction,EBSD)和电子束诱生电流(electron beam induced cur-rent,EBIC)技术对铸造多晶硅的晶界类型和晶界复合特性进行了研究。EBSD分析显示铸造多晶硅中的大部分晶界为大角度晶界(tθ>10°),且以特殊晶界Σ3和普通晶界为主,同时还存在少量小角度晶界(tθ>10°)。EBIC观察发现洁净晶界(包括大角度和小角度晶界)在300K下的复合能力很弱,晶界类型对其复合特性没有明显影响。洁净的小角度晶界本征上在100K下具有强复合特性,而大角度晶界则不具有;在引入金属沾污后,小角度晶界对金属杂质的吸杂能力最强。小角度晶界的复合特性可能与其界面特殊的位错结构有关。
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关键词
铸造多晶硅
电子束
背散射衍射
电子束诱生电流
晶界
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职称材料
用EBIC法观察InSb半导体器件中的p-n结
被引量：
3
2
作者
孙祥乐
高思伟
+7 位作者
毛渲
龚晓霞
余黎静
宋欣波
柴圆媛
尚发兰
信思树
太云见
《红外技术》
CSCD
北大核心
2019年第8期742-749,共8页
能够直观地“看到”半导体材料中制作的p-n结,对于半导体器件的设计和制造工艺很有意义,知道p-n结的厚度及其在样品中的位置,有利于设计器件的结构、保护膜的厚度、电极的尺寸等,也可以优化离子注入、表面处理、电路互联等工艺参数。本...
能够直观地“看到”半导体材料中制作的p-n结,对于半导体器件的设计和制造工艺很有意义,知道p-n结的厚度及其在样品中的位置,有利于设计器件的结构、保护膜的厚度、电极的尺寸等,也可以优化离子注入、表面处理、电路互联等工艺参数。本文用EBIC(电子束诱生电流)法观察了InSb半导体器件中的p-n结。同时观察到了器件中的肖特基结,其中肖特基结显示出明显的温度特性:温度降低,肖特基结响应区域扩大,温度降至80K,Cr-InSb肖特基结响应区域可扩展至47μm。用离子注入法在InSb材料中制成的p-n结其空间电荷区并不呈对称的空间分布,靠n区一侧的空间电荷区较薄,电荷密度较大,靠p区一侧的空间电荷区较厚,电荷密度相对较小。作为一种常用的观察分析工具,EBIC法在观察分析半导体器件结构方面有透视和显微等优点。
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关键词
电子束诱生电流
肖特基结
P-N结
InSb半导体器件
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职称材料
题名
铸造多晶硅晶界的EBSD和EBIC研究
被引量：
10
1
作者
陈君
杨德仁
席珍强
机构
浙江大学硅材料国家重点实验室
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期364-368,共5页
文摘
利用电子背散射衍射(electron back-scattered diffraction,EBSD)和电子束诱生电流(electron beam induced cur-rent,EBIC)技术对铸造多晶硅的晶界类型和晶界复合特性进行了研究。EBSD分析显示铸造多晶硅中的大部分晶界为大角度晶界(tθ>10°),且以特殊晶界Σ3和普通晶界为主,同时还存在少量小角度晶界(tθ>10°)。EBIC观察发现洁净晶界(包括大角度和小角度晶界)在300K下的复合能力很弱,晶界类型对其复合特性没有明显影响。洁净的小角度晶界本征上在100K下具有强复合特性,而大角度晶界则不具有;在引入金属沾污后,小角度晶界对金属杂质的吸杂能力最强。小角度晶界的复合特性可能与其界面特殊的位错结构有关。
关键词
铸造多晶硅
电子束
背散射衍射
电子束诱生电流
晶界
Keywords
multicrystalline silicon
EBSD
EBIC
grain boundaries
分类号
TK511 [动力工程及工程热物理—热能工程]
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职称材料
题名
用EBIC法观察InSb半导体器件中的p-n结
被引量：
3
2
作者
孙祥乐
高思伟
毛渲
龚晓霞
余黎静
宋欣波
柴圆媛
尚发兰
信思树
太云见
机构
昆明物理研究所
浙江大学硅材料国家重点实验室
出处
《红外技术》
CSCD
北大核心
2019年第8期742-749,共8页
文摘
能够直观地“看到”半导体材料中制作的p-n结,对于半导体器件的设计和制造工艺很有意义,知道p-n结的厚度及其在样品中的位置,有利于设计器件的结构、保护膜的厚度、电极的尺寸等,也可以优化离子注入、表面处理、电路互联等工艺参数。本文用EBIC(电子束诱生电流)法观察了InSb半导体器件中的p-n结。同时观察到了器件中的肖特基结,其中肖特基结显示出明显的温度特性:温度降低,肖特基结响应区域扩大,温度降至80K,Cr-InSb肖特基结响应区域可扩展至47μm。用离子注入法在InSb材料中制成的p-n结其空间电荷区并不呈对称的空间分布,靠n区一侧的空间电荷区较薄,电荷密度较大,靠p区一侧的空间电荷区较厚,电荷密度相对较小。作为一种常用的观察分析工具,EBIC法在观察分析半导体器件结构方面有透视和显微等优点。
关键词
电子束诱生电流
肖特基结
P-N结
InSb半导体器件
Keywords
electron beam induced current
Schottky junction
p-n junction
InSb device
分类号
TN219 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
铸造多晶硅晶界的EBSD和EBIC研究
陈君
杨德仁
席珍强
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
10
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职称材料
2
用EBIC法观察InSb半导体器件中的p-n结
孙祥乐
高思伟
毛渲
龚晓霞
余黎静
宋欣波
柴圆媛
尚发兰
信思树
太云见
《红外技术》
CSCD
北大核心
2019
3
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职称材料
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