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发射层厚度对透射式GaAs光电阴极表面光电压谱的影响
被引量：
2
1
作者
陈亮
钱芸生
常本康
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第7期1008-1012,共5页
通过求解一维稳态少子扩散方程,推导了含有后界面复合速率和发射层厚度的透射式GaAs光电阴极表面光电压谱理论方程.通过对发射层厚度分别为1.6μm和2.0μm,掺杂浓度为1×1019cm-3的GaAs透射式阴极样品测试,理论曲线和实验曲线基本一...
通过求解一维稳态少子扩散方程,推导了含有后界面复合速率和发射层厚度的透射式GaAs光电阴极表面光电压谱理论方程.通过对发射层厚度分别为1.6μm和2.0μm,掺杂浓度为1×1019cm-3的GaAs透射式阴极样品测试,理论曲线和实验曲线基本一致.通过引入表面光电压谱积分灵敏度公式,仿真探讨了表面光电压谱在一定体材料参量条件下,积分灵敏度受发射层厚度的影响;发现在体材料参量一定条件下,透射式GaAs光电阴极具有最佳厚度,同时最佳厚度受后界面复合速率的影响更大,同时GaAlAs窗口层也能很好降低发射层后界面复合速率.
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关键词
GAAS光电阴极
表面光电压谱
电子扩散长度
发射层厚度
后界面复合速率
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职称材料
题名
发射层厚度对透射式GaAs光电阴极表面光电压谱的影响
被引量：
2
1
作者
陈亮
钱芸生
常本康
机构
南京理工大学电子工程与光电技术学院
中国计量学院光学与电子科技学院
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第7期1008-1012,共5页
基金
国家自然科学基金(No.60678043
No.60801036)资助
文摘
通过求解一维稳态少子扩散方程,推导了含有后界面复合速率和发射层厚度的透射式GaAs光电阴极表面光电压谱理论方程.通过对发射层厚度分别为1.6μm和2.0μm,掺杂浓度为1×1019cm-3的GaAs透射式阴极样品测试,理论曲线和实验曲线基本一致.通过引入表面光电压谱积分灵敏度公式,仿真探讨了表面光电压谱在一定体材料参量条件下,积分灵敏度受发射层厚度的影响;发现在体材料参量一定条件下,透射式GaAs光电阴极具有最佳厚度,同时最佳厚度受后界面复合速率的影响更大,同时GaAlAs窗口层也能很好降低发射层后界面复合速率.
关键词
GAAS光电阴极
表面光电压谱
电子扩散长度
发射层厚度
后界面复合速率
Keywords
GaAs photocathodes
Surface photovoltage spectroscopy
Electron diffusion length
Active layer thickness
Back-interface recombination velocity
分类号
TN214 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
发射层厚度对透射式GaAs光电阴极表面光电压谱的影响
陈亮
钱芸生
常本康
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
2
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