微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积法制备多晶硅薄膜 被引量：2

1

作者 左潇 魏钰 +2 位作者 陈龙威 舒兴胜 孟月东 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期356-361,共6页

利用微波电子回旋共振等离子体增强型化学气相沉积(ECR-PECVD)采用一步法直接在K9玻璃上低温沉积制备了多晶硅薄膜。研究了不同实验参数对薄膜沉积的影响,采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、扫描电子显微镜(SEM)等实验分析方法对不同条件... 利用微波电子回旋共振等离子体增强型化学气相沉积(ECR-PECVD)采用一步法直接在K9玻璃上低温沉积制备了多晶硅薄膜。研究了不同实验参数对薄膜沉积的影响,采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、扫描电子显微镜(SEM)等实验分析方法对不同条件下制备的样品进行了晶体结构和表面形貌分析,并讨论了多晶硅薄膜沉积的最佳条件。实验结果表明,玻璃衬底上多晶硅薄膜呈柱状生长,并有一定厚度的非晶孵化层;较高氢气比例和衬底温度有利于结晶,薄膜的结晶率达到了62%;晶粒团簇的最大尺寸约为500nm。 展开更多

关键词 电子回旋共振等离子体增强型化学气相沉积 低温 直接制备 多晶硅薄膜

在线阅读 下载PDF 职称材料

永磁电子回旋共振等离子体化学气相沉积系统 被引量：5

2

作者 吴振宇 刘毅 +1 位作者 汪家友 杨银堂 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期317-320,共4页

研制了一台永磁ECR等离子体化学气相沉积系统。通过同轴开口电介质空腔产生表面波 ,利用高磁能积Nd Fe B磁钢块的合理分布形成高强磁场 ,通过共振磁场区域内的电子回旋共振效应产生大面积均匀的高密度等离子体。进行了ECR等离子体化学... 研制了一台永磁ECR等离子体化学气相沉积系统。通过同轴开口电介质空腔产生表面波 ,利用高磁能积Nd Fe B磁钢块的合理分布形成高强磁场 ,通过共振磁场区域内的电子回旋共振效应产生大面积均匀的高密度等离子体。进行了ECR等离子体化学气相沉积氧化硅和氮化硅薄膜工艺的研究。6英寸片内膜厚均匀性优于 95 % ,沉积速率高于 10 0nm/min ,FTIR光谱分析表明薄膜中H含量很低。 展开更多

关键词 电子回旋共振 等离子体化学气相沉积 膜厚均匀性 同轴 表面波 ECR 氮化硅薄膜 高密度等离子体 FTIR光谱 强磁场

在线阅读 下载PDF 职称材料

非对称磁镜场电子回旋共振氧等离子体刻蚀化学气相沉积金刚石膜 被引量：2

3

作者 谭必松 马志斌 +1 位作者 沈武林 吴振辉 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1887-1890,共4页

分别应用郎缪尔双探针和离子灵敏探针对非对称磁镜场电子回旋共振氧等离子体的电子参数、空间分布和离子参数进行了测量,分析了气压对等离子体参数及空间分布的影响。利用该等离子体在优化的气压条件下对化学气相沉积金刚石膜进行了刻蚀... 分别应用郎缪尔双探针和离子灵敏探针对非对称磁镜场电子回旋共振氧等离子体的电子参数、空间分布和离子参数进行了测量,分析了气压对等离子体参数及空间分布的影响。利用该等离子体在优化的气压条件下对化学气相沉积金刚石膜进行了刻蚀,并研究了刻蚀机理。结果表明：电子温度为5～10 eV,离子温度为1 eV左右,而等离子体数密度在1010cm-3数量级。随气压的升高,电子和离子温度降低,而电子数密度先增大后减小。在低气压下等离子体数密度空间分布更均匀,优化的刻蚀气压为0.1 Pa。刻蚀过程中,离子的回旋运动特性得到了加强,有利于平行于金刚石膜表面的刻蚀,有效地保护了金刚石膜的晶界和缺陷。 展开更多

关键词 非对称磁镜场 电子回旋共振 氧等离子体 刻蚀 化学气相沉积

在线阅读 下载PDF 职称材料

多晶硅薄膜等离子体增强化学气相沉积低温制备工艺

4

作者 邓婉婷 吴爱民 +3 位作者 张广英 秦富文 董闯 姜辛 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期436-440,共5页

采用电子回旋共振等离子增强化学气相沉积(ECR-PECvD)方法,以SiH4和H2为气源,在普通玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜.利用XRD、Raman光谱和TEM研究了衬底温度、氢气流量和微波功率对多晶硅薄膜结构的影响.结果表明,制得的多晶硅薄膜多以(220)... 采用电子回旋共振等离子增强化学气相沉积(ECR-PECvD)方法,以SiH4和H2为气源,在普通玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜.利用XRD、Raman光谱和TEM研究了衬底温度、氢气流量和微波功率对多晶硅薄膜结构的影响.结果表明,制得的多晶硅薄膜多以(220)取向择优生长,少数条件下会呈现(111)择优取向.当衬底温度为300℃、H2流速为25 mL/min、微波功率为600 W时,多晶硅薄膜结晶状态最好,且呈最佳的(220)取向. 展开更多

关键词 电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积 多晶硅薄膜 低温生长

在线阅读 下载PDF 职称材料

ECR等离子体刻蚀增强机械抛光CVD金刚石 被引量：4

5

作者 潘鑫 马志斌 +2 位作者 高攀 李国伟 曹为 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期174-178,共5页

采用电子回旋共振(ECR)等离子体刻蚀与机械抛光相结合的方法抛光化学气相沉积(CVD)金刚石,运用扫描电镜、Raman光谱观察、分析了刻蚀与抛光后金刚石的表面形貌和质量变化,并与单纯的机械抛光相比较,研究了等离子体刻蚀对后续机械抛光的... 采用电子回旋共振(ECR)等离子体刻蚀与机械抛光相结合的方法抛光化学气相沉积(CVD)金刚石,运用扫描电镜、Raman光谱观察、分析了刻蚀与抛光后金刚石的表面形貌和质量变化,并与单纯的机械抛光相比较,研究了等离子体刻蚀对后续机械抛光的影响,结果发现:金刚石经ECR等离子体刻蚀后非晶碳含量有一定程度降低,刻蚀过程在金刚石晶面形成的疏松表面有利于机械抛光,金刚石表面平均粗糙度更加快速降低。对比实验表明等离子体刻蚀对机械抛光前期的抛光效率的增强效果更为明显,在ECR等离子体刻蚀后的金刚石样品经10min机械抛光后粗糙度从7.284下降到1.054μm,而直接机械抛光30min时金刚石的表面粗糙度为1.133μm,在机械抛光的初始阶段,等离子体刻蚀后的机械抛光效率是单纯机械抛光效率的3倍。最终,经过三次重复刻蚀后机械抛光,金刚石表面粗糙度降为0.045μm。 展开更多

关键词 刻蚀 机械抛光 电子回旋共振等离子体 化学气相沉积金刚石

在线阅读 下载PDF 职称材料

氦等离子体前处理对多晶硅薄膜性能的影响

6

作者 汝丽丽 孟月东 陈龙威 《深圳大学学报（理工版）》 EI CAS 北大核心 2013年第4期398-403,共6页

采用微波电子回旋共振等离子体增强磁控溅射(microwave electron cyclotron resonance plasma-enhanced magnetron sputtering,ECR-PEMS)和电子回旋共振等离子体辅助化学气相沉积(microwave electroncyclotron resonance chemical vapor... 采用微波电子回旋共振等离子体增强磁控溅射(microwave electron cyclotron resonance plasma-enhanced magnetron sputtering,ECR-PEMS)和电子回旋共振等离子体辅助化学气相沉积(microwave electroncyclotron resonance chemical vapor deposition,ECR-CVD)技术,分别在单晶硅片(100)基底上低温制备了多晶硅薄膜.采用拉曼光谱仪、X射线衍射仪以及原子力显微镜对薄膜微观结构及表面形貌进行表征,研究纯氦等离子体基底前期处理对所沉积薄膜性能的影响.结果表明,氦等离子体前处理技术能大幅提高多晶硅薄膜结晶度和颗粒尺寸,明显改善ECR-CVD法所得多晶硅薄膜的微观结构特性和表面形貌. 展开更多

关键词 等离子体物理 多晶硅薄膜 电子回旋共振 等离子体增强 氦等离子体 磁控溅射 化学气相沉积 薄膜结晶度 纳米材料

在线阅读 下载PDF 职称材料

MWECR-CVD法高速沉积氢化非晶硅薄膜 被引量：2

7

作者 刘国汉 丁毅 +3 位作者 何斌 朱秀红 陈光华 贺德衍 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期43-46,共4页

介绍了一种新型的 MWECR-CVD 装置．该装置设计采用了一种由单个电磁线圈和永磁体单元组合的新型磁场,设计了一种新型的矩形耦合波导．应用这一装置使 a-Si∶H 薄膜的沉积速率达到了 2nm／s 以上．为了降低薄膜的光致衰退效应,提出了热... 介绍了一种新型的 MWECR-CVD 装置．该装置设计采用了一种由单个电磁线圈和永磁体单元组合的新型磁场,设计了一种新型的矩形耦合波导．应用这一装置使 a-Si∶H 薄膜的沉积速率达到了 2nm／s 以上．为了降低薄膜的光致衰退效应,提出了热丝辅助的 MWECR-CVD,这一改进可以大大降低薄膜的氢含量,改善薄膜的光照稳定性． 展开更多

关键词 微波电子回旋共振化学气相沉积 氢化非晶硅薄膜 磁场 微波 热丝

在线阅读 下载PDF 职称材料

热丝辅助MWECR-CVD法沉积氢化非晶硅薄膜研究 被引量：1

8

作者 刘国汉 丁毅 +3 位作者 朱秀红 何斌 陈光华 贺德衍 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期986-989,共4页

为了降低a-Si:H薄膜中的氢含量,提高其稳定性,在我们MWECR-CVD系统中引入了热丝装置,热丝对等离子体的热辐射使等离子体升温,既促进了气体的进一步分解和电离,获得较多的低氢原子基团,也减少了活性高硅烷聚合物的生成,从而使薄膜中的(Si... 为了降低a-Si:H薄膜中的氢含量,提高其稳定性,在我们MWECR-CVD系统中引入了热丝装置,热丝对等离子体的热辐射使等离子体升温,既促进了气体的进一步分解和电离,获得较多的低氢原子基团,也减少了活性高硅烷聚合物的生成,从而使薄膜中的(SiH2)n的含量降低。同时,热丝对样品表面提供的热辐射和光辐射也可以进一步降低薄膜的氢含量。实验结果表明,用这种装置沉积的a-Si:H薄膜,氢含量可降低到4.5at%左右,稳定性明显增强,光敏性也有一定改善。 展开更多

关键词 电子回旋共振 等离子体增强化学气相沉积 氢化非晶硅薄膜 热丝 光致衰退效应

在线阅读 下载PDF 职称材料

热丝辅助MW ECR CVD技术高速沉积高质量氢化非晶硅薄膜(英文) 被引量：3

9

作者 周怀恩 陈光华 +2 位作者 朱秀红 阴生毅 胡跃辉 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期471-474,共4页

氢化非晶硅薄膜具有优异的光电特性,在制备薄膜太阳能电池中有重要的应用。本文采用热丝辅助MW ECRCVD技术,通过调整各种工艺参数,制备了高沉积速率(DR>2.5nm/s)及高光敏性(σph/σD>105)的氢化非晶硅薄膜。实验表明,在衬底表面... 氢化非晶硅薄膜具有优异的光电特性,在制备薄膜太阳能电池中有重要的应用。本文采用热丝辅助MW ECRCVD技术,通过调整各种工艺参数,制备了高沉积速率(DR>2.5nm/s)及高光敏性(σph/σD>105)的氢化非晶硅薄膜。实验表明,在衬底表面温度的分布中,热丝辐射和离子轰击引起的温度对薄膜的光敏性影响较大;在薄膜沉积的最后几分钟适当加大H稀释率,有利于薄膜光电特性的改善。 展开更多

关键词 氢化非晶硅 氢稀释率 电子回旋共振化学气相沉积 光敏性

在线阅读 下载PDF 职称材料

玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜研究 被引量：2

10

作者 王文彦 秦福文 +5 位作者 吴爱民 宋世巍 李瑞 姜辛 徐茵 顾彪 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第10期880-884,共5页

采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR-PEMOCVD）方法在康宁7101型普通玻璃衬底上沉积了GaN薄膜,利用反射高能电子衍射（RHEED）、X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）和霍尔测量系统对样品进行了检测,研究了... 采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR-PEMOCVD）方法在康宁7101型普通玻璃衬底上沉积了GaN薄膜,利用反射高能电子衍射（RHEED）、X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）和霍尔测量系统对样品进行了检测,研究了其结晶性和电学特性随沉积温度的变化。结果表明,当沉积温度为250-430℃时,得到的GaN薄膜都呈现高度的c轴择优取向,结晶性较好;薄膜表面形貌较为平整且呈n型导电。 展开更多

关键词 电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积 氮化镓 低温沉积 玻璃衬底

在线阅读 下载PDF 职称材料

升级冶金级Si衬底上ECR-PECVD沉积多晶Si薄膜

11

作者 崔洪涛 吴爱民 +3 位作者 秦福文 谭毅 闻立时 姜辛 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期117-120,共4页

成功地应用电子回旋共振微波等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)法在升级冶金级Si衬底上175℃低温条件下沉积了一层优质多晶Si薄膜。研究了压强、流量比对多晶Si薄膜质量的影响,并用Raman、RHEED、SEM、XRD对薄膜结晶性、晶粒大小及... 成功地应用电子回旋共振微波等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)法在升级冶金级Si衬底上175℃低温条件下沉积了一层优质多晶Si薄膜。研究了压强、流量比对多晶Si薄膜质量的影响,并用Raman、RHEED、SEM、XRD对薄膜结晶性、晶粒大小及显微组织结构进行了表征。发现在恒定气压下,结晶质量随流量比增大先变好后变差,即存在最佳流量比,0.16Pa对应10∶5,而0.4 Pa对应10∶6.8。 展开更多

关键词 硅衬底 电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积 多晶硅薄膜

在线阅读 下载PDF 职称材料

新型微波ECR-PECVD装置的研制 被引量：2

12

作者 阴生毅 陈光华 +1 位作者 粟亦农 张永清 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期33-36,共4页

介绍一台新型的ECR PECVD装置。这一装置设计和采用了一种由单个电磁线圈和永磁体单元组合的新型磁场 ,使整个装置结构明显简化。为提高装置的微波转换效率 ,通过计算机仿真微波场在等离子体室的分布 ,选择和采用了一种新型的矩形耦合... 介绍一台新型的ECR PECVD装置。这一装置设计和采用了一种由单个电磁线圈和永磁体单元组合的新型磁场 ,使整个装置结构明显简化。为提高装置的微波转换效率 ,通过计算机仿真微波场在等离子体室的分布 ,选择和采用了一种新型的矩形耦合波导。应用这一装置分解H2 稀释的SiH4气体以沉积a Si:H薄膜 ,获得了 展开更多

关键词 电磁线圈 永磁体 微波转换 计算机仿真 微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积 ECR-PECVD

在线阅读 下载PDF 职称材料

大面积取向生长碳纳米管的ECR-CVD方法制备与表征 被引量：1

13

作者 王志 巴德纯 +4 位作者 刘飞 曹培江 杨天中 顾有松 庞世谨 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期385-388,共4页

本文采用电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积方法 (ECR -CVD) ,以CH4和H2 为气源、Fe3 O4纳米粒子为催化剂 ,未加电场 ,在多孔硅基底上制备出大面积取向生长碳纳米管。使用扫描电子显微镜 (SEM)、透射电子显微镜 (TEM)、X射线衍射 (X... 本文采用电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积方法 (ECR -CVD) ,以CH4和H2 为气源、Fe3 O4纳米粒子为催化剂 ,未加电场 ,在多孔硅基底上制备出大面积取向生长碳纳米管。使用扫描电子显微镜 (SEM)、透射电子显微镜 (TEM)、X射线衍射 (XRD)、X射线能量色散分析 (EDX)对样品形貌和结构进行表征。结果显示 :合成的碳纳米管为多壁碳管 ;碳纳米管直径 6 0nm～ 90nm ,长度约 8μm ;碳纳米管展现出中空管状和链状两种结构 ;碳纳米管的生长采取催化剂底端生长模式。 展开更多

关键词 制备与表征 碳纳米管 取向生长 色散 电子回旋共振 多孔硅 ECR CVD 硅基底 微波等离子体化学气相沉积

在线阅读 下载PDF 职称材料

结晶β-C₃N₄薄膜的制备和特性研究（英文）

14

作者 陈光华 张阳 +1 位作者 朱鹤孙 杨宁 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期224-228,共页

用电子回旋共振等离子体化学汽相沉积 (ECRCVD)法 ,在单晶硅 (10 0 )衬底上沉积生长出了具有 { 2 2 1}结构特性的连续的结晶态 β C3N4 薄膜。使用扫描电镜 (SEM)观测了沉积薄膜的形态 ;采用X射线光电子光谱 (XPS) ,X射线衍射 (XRD)和... 用电子回旋共振等离子体化学汽相沉积 (ECRCVD)法 ,在单晶硅 (10 0 )衬底上沉积生长出了具有 { 2 2 1}结构特性的连续的结晶态 β C3N4 薄膜。使用扫描电镜 (SEM)观测了沉积薄膜的形态 ;采用X射线光电子光谱 (XPS) ,X射线衍射 (XRD)和拉曼散射表征薄膜的结构。研究表明 ,沉积结晶态 β C3N4 薄膜具有 { 2 2 1}结构特性。 展开更多

关键词 β-C₃N₄薄膜 化学汽相沉积 电子回旋共振等离子体 薄膜结构

全文增补中

纳米絮状碳膜的制备及场发射特性

15

作者 崔雪菡 顾广瑞 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期57-61,共5页

采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)技术,以CH4和H2为源气体,硅片为衬底制备了碳膜。利用拉曼光谱仪和扫描电子显微镜成功研究了基板偏压、沉积时间、CH4浓度等工艺参数的改变对碳膜絮状结构的影响。通过分析碳膜结构和形貌... 采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)技术,以CH4和H2为源气体,硅片为衬底制备了碳膜。利用拉曼光谱仪和扫描电子显微镜成功研究了基板偏压、沉积时间、CH4浓度等工艺参数的改变对碳膜絮状结构的影响。通过分析碳膜结构和形貌,得出纳米絮状碳膜的最佳工艺参数。通过电流密度-电场(J-E)曲线和Fowler-Nordheim(F-N)曲线,研究了CH4浓度对纳米絮状碳膜的场发射特性的影响。随着CH4浓度的增加,碳膜的阈值电场逐渐降低,发射电流密度逐渐增加。 展开更多

关键词 电子回旋共振化学气相沉积 纳米絮状碳膜 场发射特性

在线阅读 下载PDF 职称材料

光学镀膜与装置

16

《中国光学》 EI CAS 1999年第2期63-64,共2页

O484.1 99021127GaN薄膜低温外延的ECR—PAMOCVD技术=Cryogenicepitaxial ECR—PAMOCVD technologyfor growing GaN thin films[刊,中]/徐茵,顾彪,秦福文,从吉远(大连理工大学电磁工程系.辽宁,大连(116023)),杨树人(吉林大学电子工程系... O484.1 99021127GaN薄膜低温外延的ECR—PAMOCVD技术=Cryogenicepitaxial ECR—PAMOCVD technologyfor growing GaN thin films[刊,中]/徐茵,顾彪,秦福文,从吉远(大连理工大学电磁工程系.辽宁,大连(116023)),杨树人(吉林大学电子工程系.吉林,长春(130023))//半导体技术.—1998,(1).—37-39给出了用电子回旋共振微波等离子体辅助金属有机化学汽相沉积技术和在低温(≤600℃)、极低气压(≤Pa)下生长GaN外延膜的装置、工艺及实验结果.并与以往的GaN外延技术进行了比较,说明了这种新的低温外延技术的独特优点。图3参6(方舟) 展开更多

关键词 金属有机化学汽相沉积 微波等离子体 电子回旋共振 外延技术 高温超导薄膜 半导体技术 电磁工程 装置 大连理工大学 电子工程

在线阅读 下载PDF 职称材料