检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

非对称磁镜场电子回旋共振氧等离子体刻蚀化学气相沉积金刚石膜被引量：2: 1; 作者谭必松马志斌 +1 位作者沈武林吴振辉《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1887-1890,共4页; 分别应用郎缪尔双探针和离子灵敏探针对非对称磁镜场电子回旋共振氧等离子体的电子参数、空间分布和离子参数进行了测量,分析了气压对等离子体参数及空间分布的影响。利用该等离子体在优化的气压条件下对化学气相沉积金刚石膜进行了刻蚀... 展开更多; 关键词非对称磁镜场电子回旋共振氧等离子体刻蚀化学气相沉积; 在线阅读下载PDF 职称材料

微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积法制备多晶硅薄膜被引量：2: 2; 作者左潇魏钰 +2 位作者陈龙威舒兴胜孟月东《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期356-361,共6页; 利用微波电子回旋共振等离子体增强型化学气相沉积(ECR-PECVD)采用一步法直接在K9玻璃上低温沉积制备了多晶硅薄膜。研究了不同实验参数对薄膜沉积的影响,采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、扫描电子显微镜(SEM)等实验分析方法对不同条件... 展开更多; 关键词电子回旋共振等离子体增强型化学气相沉积低温直接制备多晶硅薄膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

多晶硅薄膜等离子体增强化学气相沉积低温制备工艺: 3; 作者邓婉婷吴爱民 +3 位作者张广英秦富文董闯姜辛《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期436-440,共5页; 采用电子回旋共振等离子增强化学气相沉积(ECR-PECvD)方法,以SiH4和H2为气源,在普通玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜.利用XRD、Raman光谱和TEM研究了衬底温度、氢气流量和微波功率对多晶硅薄膜结构的影响.结果表明,制得的多晶硅薄膜多以(220)... 展开更多; 关键词电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积多晶硅薄膜低温生长; 在线阅读下载PDF 职称材料

升级冶金级Si衬底上ECR-PECVD沉积多晶Si薄膜: 4; 作者崔洪涛吴爱民 +3 位作者秦福文谭毅闻立时姜辛《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期117-120,共4页; 成功地应用电子回旋共振微波等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)法在升级冶金级Si衬底上175℃低温条件下沉积了一层优质多晶Si薄膜。研究了压强、流量比对多晶Si薄膜质量的影响,并用Raman、RHEED、SEM、XRD对薄膜结晶性、晶粒大小及... 展开更多; 关键词硅衬底电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积多晶硅薄膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

热丝辅助MWECR-CVD法沉积氢化非晶硅薄膜研究被引量：1: 5; 作者刘国汉丁毅 +3 位作者朱秀红何斌陈光华贺德衍《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期986-989,共4页; 为了降低a-Si:H薄膜中的氢含量,提高其稳定性,在我们MWECR-CVD系统中引入了热丝装置,热丝对等离子体的热辐射使等离子体升温,既促进了气体的进一步分解和电离,获得较多的低氢原子基团,也减少了活性高硅烷聚合物的生成,从而使薄膜中的(Si... 展开更多; 关键词电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积氢化非晶硅薄膜热丝光致衰退效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜研究被引量：2: 6; 作者王文彦秦福文 +5 位作者吴爱民宋世巍李瑞姜辛徐茵顾彪《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第10期880-884,共5页; 采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR-PEMOCVD）方法在康宁7101型普通玻璃衬底上沉积了GaN薄膜,利用反射高能电子衍射（RHEED）、X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）和霍尔测量系统对样品进行了检测,研究了... 展开更多; 关键词电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积氮化镓低温沉积玻璃衬底; 在线阅读下载PDF 职称材料

纳米絮状碳膜的制备及场发射特性: 7; 作者崔雪菡顾广瑞《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期57-61,共5页; 采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)技术,以CH4和H2为源气体,硅片为衬底制备了碳膜。利用拉曼光谱仪和扫描电子显微镜成功研究了基板偏压、沉积时间、CH4浓度等工艺参数的改变对碳膜絮状结构的影响。通过分析碳膜结构和形貌... 展开更多; 关键词电子回旋共振化学气相沉积纳米絮状碳膜场发射特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名非对称磁镜场电子回旋共振氧等离子体刻蚀化学气相沉积金刚石膜被引量：2: 1; 作者谭必松马志斌沈武林吴振辉; 机构武汉工程大学材料科学与工程学院; 出处《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1887-1890,共4页; 基金国家自然科学基金项目(10875093); 文摘分别应用郎缪尔双探针和离子灵敏探针对非对称磁镜场电子回旋共振氧等离子体的电子参数、空间分布和离子参数进行了测量,分析了气压对等离子体参数及空间分布的影响。利用该等离子体在优化的气压条件下对化学气相沉积金刚石膜进行了刻蚀,并研究了刻蚀机理。结果表明：电子温度为5～10 eV,离子温度为1 eV左右,而等离子体数密度在1010cm-3数量级。随气压的升高,电子和离子温度降低,而电子数密度先增大后减小。在低气压下等离子体数密度空间分布更均匀,优化的刻蚀气压为0.1 Pa。刻蚀过程中,离子的回旋运动特性得到了加强,有利于平行于金刚石膜表面的刻蚀,有效地保护了金刚石膜的晶界和缺陷。; 关键词非对称磁镜场电子回旋共振氧等离子体刻蚀化学气相沉积; Keywords Non-symmetric magnetic mirror field electron cyclotron resonance oxygen plasma etching chemical vapor deposition; 分类号 TQ164 [化学工程—高温制品工业] O539 [理学—等离子体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积法制备多晶硅薄膜被引量：2: 2; 作者左潇魏钰陈龙威舒兴胜孟月东; 机构中国科学院等离子体物理研究所; 出处《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期356-361,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(085JA16501); 文摘利用微波电子回旋共振等离子体增强型化学气相沉积(ECR-PECVD)采用一步法直接在K9玻璃上低温沉积制备了多晶硅薄膜。研究了不同实验参数对薄膜沉积的影响,采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、扫描电子显微镜(SEM)等实验分析方法对不同条件下制备的样品进行了晶体结构和表面形貌分析,并讨论了多晶硅薄膜沉积的最佳条件。实验结果表明,玻璃衬底上多晶硅薄膜呈柱状生长,并有一定厚度的非晶孵化层;较高氢气比例和衬底温度有利于结晶,薄膜的结晶率达到了62%;晶粒团簇的最大尺寸约为500nm。; 关键词电子回旋共振等离子体增强型化学气相沉积低温直接制备多晶硅薄膜; Keywords ECRPECVD Low temperature Direct fabrication Polycrystalline silicon thin film; 分类号 O539 [理学—等离子体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名多晶硅薄膜等离子体增强化学气相沉积低温制备工艺: 3; 作者邓婉婷吴爱民张广英秦富文董闯姜辛; 机构大连理工大学大连理工大学大连理工大学锡根大学; 出处《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期436-440,共5页; 基金教育部留学回国人员科研启动基金资助项目(200611AA03) 辽宁省原材料特种制备技术重点实验室基金资助项目(2005100A05); 文摘采用电子回旋共振等离子增强化学气相沉积(ECR-PECvD)方法,以SiH4和H2为气源,在普通玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜.利用XRD、Raman光谱和TEM研究了衬底温度、氢气流量和微波功率对多晶硅薄膜结构的影响.结果表明,制得的多晶硅薄膜多以(220)取向择优生长,少数条件下会呈现(111)择优取向.当衬底温度为300℃、H2流速为25 mL/min、微波功率为600 W时,多晶硅薄膜结晶状态最好,且呈最佳的(220)取向.; 关键词电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积多晶硅薄膜低温生长; 分类号 TN304.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名升级冶金级Si衬底上ECR-PECVD沉积多晶Si薄膜: 4; 作者崔洪涛吴爱民秦福文谭毅闻立时姜辛; 机构大连理工大学大连理工大学大连理工大学三束材料改性国家重点实验室锡根大学材料工程研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期117-120,共4页; 基金教育部留学回国人员科研启动基金(200611AA03) 辽宁省原材料特种制备技术重点实验室基金资助项目(2005100A05); 文摘成功地应用电子回旋共振微波等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)法在升级冶金级Si衬底上175℃低温条件下沉积了一层优质多晶Si薄膜。研究了压强、流量比对多晶Si薄膜质量的影响,并用Raman、RHEED、SEM、XRD对薄膜结晶性、晶粒大小及显微组织结构进行了表征。发现在恒定气压下,结晶质量随流量比增大先变好后变差,即存在最佳流量比,0.16Pa对应10∶5,而0.4 Pa对应10∶6.8。; 关键词硅衬底电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积多晶硅薄膜; Keywords Si substrate ECR-PECVD poly-Si film; 分类号 TN304.055 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名热丝辅助MWECR-CVD法沉积氢化非晶硅薄膜研究被引量：1: 5; 作者刘国汉丁毅朱秀红何斌陈光华贺德衍; 机构兰州大学物理科学与技术学院北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室; 出处《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期986-989,共4页; 基金国家重点基础研究发展规划资助项目(G000028201) 甘肃省自然科学基金项目(3ZS051-A25-052); 文摘为了降低a-Si:H薄膜中的氢含量,提高其稳定性,在我们MWECR-CVD系统中引入了热丝装置,热丝对等离子体的热辐射使等离子体升温,既促进了气体的进一步分解和电离,获得较多的低氢原子基团,也减少了活性高硅烷聚合物的生成,从而使薄膜中的(SiH2)n的含量降低。同时,热丝对样品表面提供的热辐射和光辐射也可以进一步降低薄膜的氢含量。实验结果表明,用这种装置沉积的a-Si:H薄膜,氢含量可降低到4.5at%左右,稳定性明显增强,光敏性也有一定改善。; 关键词电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积氢化非晶硅薄膜热丝光致衰退效应; Keywords MWECR-CVD a-Si： H Films hot wire light-induced degradation effect; 分类号 O484 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜研究被引量：2: 6; 作者王文彦秦福文吴爱民宋世巍李瑞姜辛徐茵顾彪; 机构大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第10期880-884,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(60476008); 文摘采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR-PEMOCVD）方法在康宁7101型普通玻璃衬底上沉积了GaN薄膜,利用反射高能电子衍射（RHEED）、X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）和霍尔测量系统对样品进行了检测,研究了其结晶性和电学特性随沉积温度的变化。结果表明,当沉积温度为250-430℃时,得到的GaN薄膜都呈现高度的c轴择优取向,结晶性较好;薄膜表面形貌较为平整且呈n型导电。; 关键词电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积氮化镓低温沉积玻璃衬底; Keywords ECR-PEMOCVD GaN low-temperature deposition glass substrate; 分类号 TN304.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名纳米絮状碳膜的制备及场发射特性: 7; 作者崔雪菡顾广瑞; 机构延边大学理学院物理系; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期57-61,共5页; 基金教育部留学归国人员科研启动基金(教外司留[2009]1341); 文摘采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)技术,以CH4和H2为源气体,硅片为衬底制备了碳膜。利用拉曼光谱仪和扫描电子显微镜成功研究了基板偏压、沉积时间、CH4浓度等工艺参数的改变对碳膜絮状结构的影响。通过分析碳膜结构和形貌,得出纳米絮状碳膜的最佳工艺参数。通过电流密度-电场(J-E)曲线和Fowler-Nordheim(F-N)曲线,研究了CH4浓度对纳米絮状碳膜的场发射特性的影响。随着CH4浓度的增加,碳膜的阈值电场逐渐降低,发射电流密度逐渐增加。; 关键词电子回旋共振化学气相沉积纳米絮状碳膜场发射特性; Keywords electron cyclotron resonance plasma chemical vapor deposition carbon-film of nano-catkin field emission; 分类号 TN873.95 [电子电信—信息与通信工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	非对称磁镜场电子回旋共振氧等离子体刻蚀化学气相沉积金刚石膜	谭必松马志斌沈武林吴振辉	《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心	2010	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积法制备多晶硅薄膜	左潇魏钰陈龙威舒兴胜孟月东	《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心	2012	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	多晶硅薄膜等离子体增强化学气相沉积低温制备工艺	邓婉婷吴爱民张广英秦富文董闯姜辛	《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心	2007	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	升级冶金级Si衬底上ECR-PECVD沉积多晶Si薄膜	崔洪涛吴爱民秦福文谭毅闻立时姜辛	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	热丝辅助MWECR-CVD法沉积氢化非晶硅薄膜研究	刘国汉丁毅朱秀红何斌陈光华贺德衍	《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2006	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜研究	王文彦秦福文吴爱民宋世巍李瑞姜辛徐茵顾彪	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	2	在线阅读下载PDF 职称材料
7	纳米絮状碳膜的制备及场发射特性	崔雪菡顾广瑞	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2010	0	在线阅读下载PDF 职称材料