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电子回旋共振等离子体源的朗谬尔探针诊断 被引量：5
1
作者 吴振宇 汪家友 杨银堂 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期71-73,共3页
电子回旋共振 (ECR)等离子体以其密度高、工作气压低、均匀性好、参数易于控制等优点在超大规模集成电路工艺中获得了广泛的应用。利用朗谬尔探针对ECR等离子体进行了初步的诊断研究 ,测量了等离子体的单探针伏安特性并计算出电子温度 ... 电子回旋共振 (ECR)等离子体以其密度高、工作气压低、均匀性好、参数易于控制等优点在超大规模集成电路工艺中获得了广泛的应用。利用朗谬尔探针对ECR等离子体进行了初步的诊断研究 ,测量了等离子体的单探针伏安特性并计算出电子温度 ,电子密度和等离子体电势等参量。实验证明 ,ECR等离子体源能够稳定地产生电子温度较低的高密度等离子体。 展开更多
关键词 电子回旋共振等离子体源 ECR 朗谬尔探针 等离子体诊断 饱和电流
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电子回旋共振等离子体用于聚四氟乙烯材料表面改性
2
作者 温晓辉 詹如娟 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第5期372-375,共4页
在电子回旋共振 (ECR)等离子体装置中 ,使用Ar气 ,N2 气 ,H2 气和普通空气放电 ,对聚四氟乙烯 (PTFE)材料进行表面处理以提高其表面粘结性能。详细研究了在不同的放电气压 ,微波功率 ,处理时间 ,气体种类的情况下 ,样品表面的接触角的... 在电子回旋共振 (ECR)等离子体装置中 ,使用Ar气 ,N2 气 ,H2 气和普通空气放电 ,对聚四氟乙烯 (PTFE)材料进行表面处理以提高其表面粘结性能。详细研究了在不同的放电气压 ,微波功率 ,处理时间 ,气体种类的情况下 ,样品表面的接触角的变化。同时也讨论了样品导电性能和外观等的变化。使用红外吸收谱对样品结构处理前后的变化进行了测量 ,对等离子体处理的机理进行了初步的讨论。使用Langmuir探针测量了Ar气和N2 气等离子体中的离子密度 ,用能量分析器测量了离子的能量。发现在对样品的处理中 ,ECR等离子体的离子密度是影响表面性能的主要因素 。 展开更多
关键词 电子回旋共振等离子体 表面改性 聚四氟乙烯 离子密度 离子能量 工程塑料
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微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积法制备多晶硅薄膜 被引量：2
3
作者 左潇 魏钰 +2 位作者 陈龙威 舒兴胜 孟月东 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期356-361,共6页
利用微波电子回旋共振等离子体增强型化学气相沉积(ECR-PECVD)采用一步法直接在K9玻璃上低温沉积制备了多晶硅薄膜。研究了不同实验参数对薄膜沉积的影响,采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、扫描电子显微镜(SEM)等实验分析方法对不同条件... 利用微波电子回旋共振等离子体增强型化学气相沉积(ECR-PECVD)采用一步法直接在K9玻璃上低温沉积制备了多晶硅薄膜。研究了不同实验参数对薄膜沉积的影响,采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、扫描电子显微镜(SEM)等实验分析方法对不同条件下制备的样品进行了晶体结构和表面形貌分析,并讨论了多晶硅薄膜沉积的最佳条件。实验结果表明,玻璃衬底上多晶硅薄膜呈柱状生长,并有一定厚度的非晶孵化层;较高氢气比例和衬底温度有利于结晶,薄膜的结晶率达到了62%;晶粒团簇的最大尺寸约为500nm。 展开更多
关键词 电子回旋共振等离子体增强型化学气相沉积 低温 直接制备 多晶硅薄膜
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电子回旋共振等离子体辅助脉冲式沉积氧化铝薄膜的研究 被引量：7
4
作者 桑利军 张跃飞 +1 位作者 陈强 李兴存 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期293-296,共4页
采用自行设计和加工的微波电子回旋共振装置、进气系统和工艺程序,以三甲基铝为前躯体,氧气为氧化剂,HF处理过的单晶硅片为基片,在无任何外加热条件下进行原子层沉积氧化铝薄膜的实验研究。利用X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电子显... 采用自行设计和加工的微波电子回旋共振装置、进气系统和工艺程序,以三甲基铝为前躯体,氧气为氧化剂,HF处理过的单晶硅片为基片,在无任何外加热条件下进行原子层沉积氧化铝薄膜的实验研究。利用X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电子显微镜、原子力显微镜、高分辨率透射电子显微镜等分析手段对薄膜进行了化学成分和微观结构的表征。结果表明,制备的氧化铝薄膜为非晶态结构,薄膜的表面非常光滑平整。薄膜的截面微观结构图像显示,薄膜厚度大约为80nm,界面清晰、按照周期数和层数线形生长规律进行生长。 展开更多
关键词 电子回旋共振 原子层沉积 三甲基铝 氧化铝
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永磁电子回旋共振等离子体化学气相沉积系统 被引量：5
5
作者 吴振宇 刘毅 +1 位作者 汪家友 杨银堂 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期317-320,共4页
研制了一台永磁ECR等离子体化学气相沉积系统。通过同轴开口电介质空腔产生表面波 ,利用高磁能积Nd Fe B磁钢块的合理分布形成高强磁场 ,通过共振磁场区域内的电子回旋共振效应产生大面积均匀的高密度等离子体。进行了ECR等离子体化学... 研制了一台永磁ECR等离子体化学气相沉积系统。通过同轴开口电介质空腔产生表面波 ,利用高磁能积Nd Fe B磁钢块的合理分布形成高强磁场 ,通过共振磁场区域内的电子回旋共振效应产生大面积均匀的高密度等离子体。进行了ECR等离子体化学气相沉积氧化硅和氮化硅薄膜工艺的研究。6英寸片内膜厚均匀性优于 95 % ,沉积速率高于 10 0nm/min ,FTIR光谱分析表明薄膜中H含量很低。 展开更多
关键词 电子回旋共振 等离子体化学气相沉积 膜厚均匀性 同轴 表面波 ECR 氮化硅薄膜 高密度等离子体 FTIR光谱 强磁场
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微波电子回旋共振等离子体阴极电子束的实验研究 被引量：2
6
作者 李亮 刘亦飞 +5 位作者 陈龙威 王功 刘鸣 任兆杏 刘兵山 赵光恒 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2019年第1期21-27,共7页
介绍了实验室研制的微波电子回旋共振(ECR)等离子体阴极电子束系统及初步研究结果,该系统包括微波ECR等离子体源、电子束引出极、聚焦线圈等。通过测量水冷靶电流和靶上的束斑尺寸,实验研究了微波ECR等离子体阴极电子束的流强、聚束性... 介绍了实验室研制的微波电子回旋共振(ECR)等离子体阴极电子束系统及初步研究结果,该系统包括微波ECR等离子体源、电子束引出极、聚焦线圈等。通过测量水冷靶电流和靶上的束斑尺寸,实验研究了微波ECR等离子体阴极电子束的流强、聚束性能等随电子束系统工作条件的变化。结果表明:微波输入功率越高、引出电压越高,引出电子束流强越大;工作气压对电子束流强的影响较复杂,随气压增加呈现出先降低后升高的特点;在7×10-4Pa的极低气压下电子束流强可达75m A,引出电压9kV;能量利用率可达0.6;调整聚焦线圈的驱动电流,电子束的束斑直径从20mm减小到13mm,电子束流强未有明显变化。 展开更多
关键词 微波回旋共振 等离子体阴极 电子束
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电子回旋共振等离子体技术新进展 被引量：2
7
作者 恩云飞 杨银堂 孙青 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期425-434,共10页
叙述了电子回旋共振（ＥＣＲ）微波等离子体技术的基本工作原理、主要特点以及发展概况，着重从ＥＣＲ等离子体实验系统、工艺应用、诊断技术和机理研究等方面对ＥＣＲ技术进行了讨论。由于ＥＣＲ微波等离子体技术具有密度高、电离度大... 叙述了电子回旋共振（ＥＣＲ）微波等离子体技术的基本工作原理、主要特点以及发展概况，着重从ＥＣＲ等离子体实验系统、工艺应用、诊断技术和机理研究等方面对ＥＣＲ技术进行了讨论。由于ＥＣＲ微波等离子体技术具有密度高、电离度大、工作气压低、表面损伤小等特点，在反应离子刻蚀（ＲＩＥ）、等离子体化学气相淀积（ＣＶＤ）和溅射方面具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 电子回旋共振 等离子体 刻蚀 VLSI
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微波电子回旋共振等离子体刻蚀研究 被引量：4
8
作者 丁振峰 任兆杏 +2 位作者 史义才 张束清 戴松元 《真空科学与技术》 CSCD 1996年第6期439-444,共6页
研究了线圈、多极混合磁位形ECR等离子体及刻蚀特性。静电探针测量结果表明，在φ200mm，φ100mm范围内等离子体离子流强径向不均匀性为±21．5％，±5．3％。4英寸片片内刻蚀不均匀性≤±0．5％，0．25μm线宽刻蚀方向性为... 研究了线圈、多极混合磁位形ECR等离子体及刻蚀特性。静电探针测量结果表明，在φ200mm，φ100mm范围内等离子体离子流强径向不均匀性为±21．5％，±5．3％。4英寸片片内刻蚀不均匀性≤±0．5％，0．25μm线宽刻蚀方向性为0．75。并结合等离子体特性及刻蚀机理，对有关结果进行了分析。 展开更多
关键词 反应离子刻蚀 电子回旋共振 亚微米 刻蚀
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分布式电子回旋共振等离子体制备高质量二氧化硅薄膜 被引量：2
9
作者 江南 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1998年第3期161-169,共9页
介绍了一种采用DECR等离子体在低温下制备高质量SiO2薄膜的PECVD工艺。讨论了DECRPECVD工艺中气相O／Si原子比以及沉积速率对SiO2薄膜性能的影响。采用包括高能离子分析、椭偏仪、化学刻蚀以及红外吸收谱等物理和化学方法，对所镀SiO2... 介绍了一种采用DECR等离子体在低温下制备高质量SiO2薄膜的PECVD工艺。讨论了DECRPECVD工艺中气相O／Si原子比以及沉积速率对SiO2薄膜性能的影响。采用包括高能离子分析、椭偏仪、化学刻蚀以及红外吸收谱等物理和化学方法，对所镀SiO2薄膜的各种理化特性进行了分析和研究。在此基础上，还采用准静态I-U和高、低频C-U技术对优化工艺后的SiO2薄膜进行了电学性能测试，并在最后给出了采用DECRSiO2的薄膜晶体管的特性曲线。 展开更多
关键词 薄膜 分布式 电子回旋共振 二氧化硅
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电子回旋共振等离子体辅助溅射沉积锂磷氧氮薄膜
10
作者 李驰麟 傅正文 +1 位作者 舒兴胜 任兆杏 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期193-198,共6页
用电子回旋共振(ECR)等离子体辅助射频溅射沉积法制备快锂离子传导的锂磷氧氮 (LiPON)薄膜． X射线光电子能谱、扫描电子显微镜、紫外可见吸收光谱等手段表征了在不同ECR功率辅助下沉积的薄膜．结果显示,ECR等离子体对磁控溅射沉积薄膜... 用电子回旋共振(ECR)等离子体辅助射频溅射沉积法制备快锂离子传导的锂磷氧氮 (LiPON)薄膜． X射线光电子能谱、扫描电子显微镜、紫外可见吸收光谱等手段表征了在不同ECR功率辅助下沉积的薄膜．结果显示,ECR等离子体对磁控溅射沉积薄膜的生长有明显的影响,能够提高N的插入量,改变薄膜的组成与结构．但是过高的ECR功率反而易破坏薄膜的结构,不利于N的插入．最佳的实验条件是在ECR 200W辅助下沉积的LiPON薄膜, 它的电导率约为8×10-6S／cm．讨论了ECR对沉积LiPON薄膜的N插入机理． 展开更多
关键词 锂磷氧氮薄膜 溅射沉积 电子回旋共振 锂离子传导率
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微波电子回旋共振等离子体的阻抗特性分析
11
作者 胡海天 邬钦崇 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1997年第3期194-197,共4页
基于微波电子回旋共振（ECR）等离子体中的物理和化学性质变化会引起微波传输线阻抗的变化，采用微波三探针研究了ECR等离子体的微波阻抗随装置运行参数的变化情况，并通过一个简单的放电等效电路将阻抗的变化和等离子体性质的变化联系... 基于微波电子回旋共振（ECR）等离子体中的物理和化学性质变化会引起微波传输线阻抗的变化，采用微波三探针研究了ECR等离子体的微波阻抗随装置运行参数的变化情况，并通过一个简单的放电等效电路将阻抗的变化和等离子体性质的变化联系起来。实验结果表明，通过对ECR等离子体进行阻抗特性分析，可以在不对其产生干扰的情况下了解其性质的变化。阻抗特性分析为ECR等离子体的机理研究提供了一种新的诊断途径，有利于ECR等离子体工艺的推广和应用。 展开更多
关键词 电子回旋共振 等离子体 微波阻抗 诊断
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DMCPS电子回旋共振等离子体沉积的SiCOH低介电常数薄膜结构及物性研究
12
作者 叶超 宁兆元 +1 位作者 王婷婷 俞笑竹 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期97-100,共4页
本文采用电子回旋共振(ECR)等离子体技术和十甲基环五硅氧烷(DMCPS)源开展了SiCOH薄膜的研究工作,获得了介电常数为2.88的SiCOH低介电常数薄膜.薄膜经400℃热处理后,膜厚减小,最大相对变化率小于15%,呈现较好的热稳定性.薄膜在1MV/cm场... 本文采用电子回旋共振(ECR)等离子体技术和十甲基环五硅氧烷(DMCPS)源开展了SiCOH薄膜的研究工作,获得了介电常数为2.88的SiCOH低介电常数薄膜.薄膜经400℃热处理后,膜厚减小,最大相对变化率小于15%,呈现较好的热稳定性.薄膜在1MV/cm场强下的漏电流为8.9×10-6A/cm2,且场强达到2.5 MV/cm时,未发生击穿现象,具有较优越的绝缘性能.因此,采用ECR-CVD技术和DMCPS源可以制备热稳定性优良的、绝缘性能优越的低介电常数SiCOH薄膜. 展开更多
关键词 低介电常数薄膜 电子回旋共振等离子体
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离子源内电子回旋共振等离子体诊断与分析 被引量：7
13
作者 金逸舟 杨涓 +2 位作者 罗立涛 冯冰冰 汤明杰 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第9期2950-2957,共8页
电子回旋共振离子推力器（ECRIT）离子源的内部磁场会干扰离子源内等离子体诊断,选择合理的诊断方法需要分析离子源特性,了解磁场对诊断结果的影响。为此,采用朗缪尔（Langmuir）探针诊断了离子源的等离子体信息,根据朗缪尔探针理论得... 电子回旋共振离子推力器（ECRIT）离子源的内部磁场会干扰离子源内等离子体诊断,选择合理的诊断方法需要分析离子源特性,了解磁场对诊断结果的影响。为此,采用朗缪尔（Langmuir）探针诊断了离子源的等离子体信息,根据朗缪尔探针理论得到电子温度、电子数密度、离子数密度,根据Druyvesteyn方法得到电子温度、电子数密度。结合实验现象,对比了不同方法所得诊断参数差异,分析了诊断结果的准确性。诊断结果表明：诊断位置到轴线的径向距离〉10 mm后,离子数密度由3.0×1017 m-3增至1.8×1018 m-3,符合离子源的放电原理和实际的放电形貌;不同处理方法所得电子温度、电子数密度接近,电子温度诊断值范围是4~20 e V,电子数密度诊断值范围是（2.0~9.0）×1016 m-3。离子数密度诊断结果较电子数密度诊断结果准确;电子温度较低时,使用积分得到的电子温度更准确;平行于探针的磁场会显著降低诊断得到的电子数密度,探针收集面垂直于磁场可减弱磁场干扰。 展开更多
关键词 电推进 电子回旋共振 离子源 磁场 等离子体诊断 离子数密度 电子数密度 电子温度
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电子回旋共振等离子体辅助原子层沉积金属铝薄膜的研究 被引量：1
14
作者 赵桥桥 桑利军 +1 位作者 陈强 李兴存 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第10期975-979,共5页
介绍了以三甲基铝为前驱体、氢气为还原剂,在微波电子回旋共振等离子体装置中进行了等离子体辅助原子层沉积金属铝薄膜的研究。确定了影响薄膜结构、表面形貌、和性能的因素。其中薄膜的晶体结构采用X射线衍射表征、原子力显微镜表征薄... 介绍了以三甲基铝为前驱体、氢气为还原剂,在微波电子回旋共振等离子体装置中进行了等离子体辅助原子层沉积金属铝薄膜的研究。确定了影响薄膜结构、表面形貌、和性能的因素。其中薄膜的晶体结构采用X射线衍射表征、原子力显微镜表征薄膜的表面形貌、傅里叶红外变换仪研究薄膜的成分组成,而薄膜性能表面电阻用四探针电阻仪进行测量。实验得到电子回旋共振等离子体可以有效辅助原子层沉积技术制备金属铝薄膜,微波功率对铝薄膜性能有一定的影响;薄膜的后退火处理对其性能影响较大,在氢气氛围中退火处理后铝薄膜的表面电阻有显著的降低,接近其体电阻值。 展开更多
关键词 原子层沉积 微波电子回旋共振 退火 表面电阻
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微波电子回旋共振等离子体技术及其应用 被引量：4
15
作者 甄汉生 《真空科学与技术》 CSCD 1993年第2期79-86,共8页
微波电子回旋共振等离子体是淀积薄膜、微细加工和材料表面改性的一种重要手段。由于这种等离子体电离水平高,化学活性好,可以用来实现基片上薄膜的室温化学气相淀积和反应离子刻蚀,因此对于微电子学、光电子学和薄膜传感器件的发展,这... 微波电子回旋共振等离子体是淀积薄膜、微细加工和材料表面改性的一种重要手段。由于这种等离子体电离水平高,化学活性好,可以用来实现基片上薄膜的室温化学气相淀积和反应离子刻蚀,因此对于微电子学、光电子学和薄膜传感器件的发展,这种等离子体会具有重要的意义。此外,采用微波电子回旋共振等离子体原理,没有灯丝的离子源可以提高离子源的使用寿命,可以增加离子束的束流密度。可以确信,微波电子回旋共振等离子体的发展,将把离子源技术提高到一个新的水平。显然,这必将对材料表面改性工艺,包括离子注入掺杂等工艺的发展发挥作用。自从1985年以来,为了得到大容积等离子体而发展了微波电子回旋共振多磁极等离子体,这些技术在薄膜技术、微细加工以及材料表面改性中的应用前景是乐观的。我们将在本文中,介绍微波电子回旋共振等离子体的原理及其应用。 展开更多
关键词 等离子体 电子回旋共振 微波
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电子回旋共振等离子体推力器放电机理数值模拟研究 被引量：4
16
作者 陈留伟 夏广庆 +2 位作者 周念东 吴秋云 邹存祚 《推进技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第9期2144-2152,共9页
电子回旋共振等离子体推力器(ECRPT)是一种高比冲、高效率且结构简单的新型电磁式推力器。为了研究推力器的放电原理和工作机制,采用漂移-扩散流体模拟方法,仿真模拟了微波等离子体放电过程。仿真结果表明,电子数密度达到10^(16)~10^(17... 电子回旋共振等离子体推力器(ECRPT)是一种高比冲、高效率且结构简单的新型电磁式推力器。为了研究推力器的放电原理和工作机制,采用漂移-扩散流体模拟方法,仿真模拟了微波等离子体放电过程。仿真结果表明,电子数密度达到10^(16)~10^(17)m^(-3)数量级,氙气的电子数密度比氩气高50%;电子数密度、碰撞功率损耗均随着计算域内压强的增大而增大,电子温度随压强的增大而减小;电子数密度、碰撞功率损耗随着入射微波功率的增大而增大。在未来ECRPT的实际应用中,可以通过使用氙气,适当增大推力器腔内压强以及入射微波功率,使其具有最佳的推力、比冲和工作效率。 展开更多
关键词 电推进 电子回旋共振(ECR) 微波放电 漂移-扩散 仿真模拟
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使用电子回旋波共振等离子体源辅助中频磁控溅射沉积氧化铌薄膜 被引量：1
17
作者 殷冀平 吕少波 +1 位作者 蔺增 巴德纯 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期273-279,共7页
中频磁控溅射虽相较于电子束蒸发成膜质量更好,但不可避免仍然存在一部分颗粒物,将严重影响光学薄膜的质量和光学特性。研究了使用电子回旋波共振(ECWR)等离子体源作为辅助设备与中频磁控溅射相配合沉积的氧化铌薄膜,进行了等离子体诊... 中频磁控溅射虽相较于电子束蒸发成膜质量更好,但不可避免仍然存在一部分颗粒物,将严重影响光学薄膜的质量和光学特性。研究了使用电子回旋波共振(ECWR)等离子体源作为辅助设备与中频磁控溅射相配合沉积的氧化铌薄膜,进行了等离子体诊断和薄膜表征。结果表明:在相同条件下,ECWR等离子体放电的氧化效果明显优于传统的感应耦合等离子体放电。ECWR等离子体源能够在较低压强的纯氧环境下稳定产生高密度等离子体,无须通过氩气作“引子”来激发维持氧气的稳定放电,展示了电子回旋波共振放电结构的优越性。沉积得到的非晶氧化铌薄膜光滑均匀且透射率达91%,能有效消除中频磁控溅射产生的颗粒物问题。通过透射率波峰位置对比发现纯氧ECWR放电样片出现红移,原因是其放电得到的薄膜均匀而致密,使光学禁带宽度向低能方向漂移出现带隙窄化。研究结果还揭示了离子源高密度、低能量特性与薄膜表面和光学特性之间的关系,为精密光学薄膜应用提供了新的解决方案。 展开更多
关键词 电子回旋波共振等离子体 中频磁控溅射 等离子体诊断 感应耦合等离子体 氧化铌薄膜
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ECR等离子体产生的电子束源设计和仿真分析
18
作者 张维嘉 刘海浪 +2 位作者 彭治国 曾李 钟可宁 《真空科学与技术学报》 北大核心 2025年第7期529-534,共6页
电子回旋共振(ECR)放电系统作为电子枪束源,能有效解决传统热阴极电子枪寿命短,性能不稳定的缺陷。为探究ECR等离子体产生的电子束源时等离子体的参数变化,基于2.45 GHz,100 W的微波输入,开展ECR放电系统的仿真分析,以氩气体作为放电气... 电子回旋共振(ECR)放电系统作为电子枪束源,能有效解决传统热阴极电子枪寿命短,性能不稳定的缺陷。为探究ECR等离子体产生的电子束源时等离子体的参数变化,基于2.45 GHz,100 W的微波输入,开展ECR放电系统的仿真分析,以氩气体作为放电气体,考虑碰撞、激发、电离等过程。建立ECR等离子体放电模型,探究不同工作气压条件下ECR等离子体内的电子密度、电子温度等参数,并以此计算电子发射电流。结果表明,工作气压从0.005 Pa增加至0.04 Pa的过程中,电子发射电流从60.5 mA增加至85.2 mA,满足电子束加工所需的束源要求,为设计ECR等离子体阴极电子枪设计提供参考。 展开更多
关键词 电子回旋共振 等离子体放电 电子枪 电子束源 仿真分析
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电子回旋共振微波等离子体刻蚀α：CH薄膜的工艺 被引量：3
19
作者 陆晓曼 张继成 +4 位作者 吴卫东 朱永红 郭强 唐永建 孙卫国 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期683-686,共4页
为了刻蚀出图形完整、侧壁陡直、失真度小的α:CH薄膜微器件,研究了有铝和无铝掩膜、气体流量比、工作气压对刻蚀速率的影响,并对纯氧等离子体刻蚀稳定性进行了研究。研究结果表明:在相同条件下,刻蚀速率随刻蚀时间变化不大;α:CH薄膜... 为了刻蚀出图形完整、侧壁陡直、失真度小的α:CH薄膜微器件,研究了有铝和无铝掩膜、气体流量比、工作气压对刻蚀速率的影响,并对纯氧等离子体刻蚀稳定性进行了研究。研究结果表明:在相同条件下,刻蚀速率随刻蚀时间变化不大;α:CH薄膜上有铝和无铝掩膜时,刻蚀速率相同;流量一定时,刻蚀速率随氩气和氧气体积比的增大而降低,当用纯氩气时,几乎没刻蚀作用;刻蚀速率随工作气压的增大而降低。实验中,得到最佳刻蚀条件是:纯氧气,流量4 mL.s-1,工作气压9.9×10-2Pa,微波源电流80 mA,偏压-90 V。 展开更多
关键词 离子刻蚀 电子回旋共振微波等离子体 α:CH薄膜 微齿轮
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电子回旋共振微波等离子体技术及应用 被引量：8
20
作者 张继成 唐永建 吴卫东 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期566-570,共5页
电子回旋共振微波等离子体技术 (ECR- MP)在表面处理、等离子体刻蚀和薄膜制备 ,尤其是高品质的激光惯性约束聚变薄膜靶的制备中有着重要的应用。综述了 ECR- MP的基本原理、反应装置、实验研究、理论研究和应用情况的发展现状 ,同时分... 电子回旋共振微波等离子体技术 (ECR- MP)在表面处理、等离子体刻蚀和薄膜制备 ,尤其是高品质的激光惯性约束聚变薄膜靶的制备中有着重要的应用。综述了 ECR- MP的基本原理、反应装置、实验研究、理论研究和应用情况的发展现状 ,同时分析了其今后可能的发展趋势。 展开更多
关键词 电子回旋共振 微波等离子体 反应装置 应用现状 发展展望 刻蚀 激光惯性约束聚变菌膜靶
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