期刊文献+
共找到5篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
用于质子直线加速器的强流电子回旋共振离子源 被引量:8
1
作者 崔保群 李立强 +2 位作者 包轶文 蒋渭生 王荣文 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 2002年第6期486-489,共4页
研制了一台用于加速器驱动次临界系统 (ADS)的强流电子回旋共振离子源。在 30keV能量下 ,引出的氢离子最大束流达到 1 0 0mA ,质子比好于 85 % ,引出束流密度最高可达 34 0mA/cm2 。初步测定的发射度约为 0 1 1πmm·mrad。已通过... 研制了一台用于加速器驱动次临界系统 (ADS)的强流电子回旋共振离子源。在 30keV能量下 ,引出的氢离子最大束流达到 1 0 0mA ,质子比好于 85 % ,引出束流密度最高可达 34 0mA/cm2 。初步测定的发射度约为 0 1 1πmm·mrad。已通过了 1 0 0h的连续运行考验。 展开更多
关键词 质子直线加速器 电子回旋共振离子源 加速器驱动次临界系统 质子比 发射率
在线阅读 下载PDF
材料表面处理用强流电子回旋共振离子源 被引量:1
2
作者 明建川 郭之虞 彭士香 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第12期2911-2914,共4页
介绍一台2.45GHz永磁强流电子回旋共振离子源,其外径160mm,高90mm,放电室直径70mm,高50mm。微波馈入采用介质耦合方式,微波窗由一块50mm×10mm柱形BN和两块30mm×10mm的柱形陶瓷构成。离子源工作在脉冲模式下,采用三电极引... 介绍一台2.45GHz永磁强流电子回旋共振离子源,其外径160mm,高90mm,放电室直径70mm,高50mm。微波馈入采用介质耦合方式,微波窗由一块50mm×10mm柱形BN和两块30mm×10mm的柱形陶瓷构成。离子源工作在脉冲模式下,采用三电极引出系统,最高引出电压达到100kV,在微波输入功率300W、进气量0.4mL/min时,可引出峰值超过30mA的氮离子束,在距离离子源引出孔1200mm位置处的束流均匀区直径大于200mm。 展开更多
关键词 电子回旋共振离子源 微波窗 表面处理 引出系统
在线阅读 下载PDF
电子回旋共振离子源等离子体的密度测量 被引量:1
3
作者 袁宇飞 蒙林 +2 位作者 周长庚 胡永宏 张钦龙 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期2095-2098,共4页
诊断电子回旋共振离子源等离子体的传统方法是采用传统的单探针无发射时测量伏安曲线,并根据曲线的拐点由理论公式计算出的等离子体密度。本文设计并研制了等离子体密度的测量装置。采用单根朗缪尔探针(该探针可以用来发射电子)测量等... 诊断电子回旋共振离子源等离子体的传统方法是采用传统的单探针无发射时测量伏安曲线,并根据曲线的拐点由理论公式计算出的等离子体密度。本文设计并研制了等离子体密度的测量装置。采用单根朗缪尔探针(该探针可以用来发射电子)测量等离子体的伏安特性。在探针有发射和无发射两种状态下测量得到两条伏安曲线,根据这两条曲线的"分叉点"得到等离子体电位,然后根据该电位直接由计算机计算出电子温度、电子密度。采用该新方法,测量得到的等离子体参量空间电位约为17 V,悬浮电位约为-5 V,电子温度约为4.4 eV,离子密度为1.10×1011cm-3,与传统方法计算出的等离子体1.12×1011cm-3相比,两者相差仅1.8%,但新方法效率和精度更高。 展开更多
关键词 电子回旋共振离子源 离子体密度 朗缪尔探针 离子体电势 离子束流
在线阅读 下载PDF
工质流量对ECR离子源束流影响研究
4
作者 牟浩 耿海 +3 位作者 吴先明 蒲彦旭 谈人玮 杨涓 《西北工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期793-800,共8页
栅格进气道电子回旋共振(electron cyclotron resonance,ECR)离子源推进剂供给压强低、无阴极,有应用于吸气式电推进系统的潜力。流量对离子源的束流影响显著,当流量超过临界流量时,离子束流的增长受到抑制。为明晰限制离子束流增长的... 栅格进气道电子回旋共振(electron cyclotron resonance,ECR)离子源推进剂供给压强低、无阴极,有应用于吸气式电推进系统的潜力。流量对离子源的束流影响显著,当流量超过临界流量时,离子束流的增长受到抑制。为明晰限制离子束流增长的根本原因,开展不同流量下氮工质栅格进气道ECR离子源的Langmuir探针诊断实验,并基于诊断结果计算了寻常(ordinary,O)波截止区和电子获能指标的分布。研究结果表明,当流量低于临界流量时,随着流量增加,离子密度快速增加,限制离子束流增长的主要因素是中性气体密度。当流量超出临界流量时,O波截止区几乎覆盖整个等离子体产生区域,这导致电子能量获取效率下降了一个数量级。此时,限制离子束流增长的主要因素转变为电子温度。 展开更多
关键词 电子回旋共振离子源 离子体诊断 流量 吸气式电推进
在线阅读 下载PDF
ECR离子源微波窗损伤机理研究 被引量:2
5
作者 魏绪波 李公平 +2 位作者 潘小东 武启 刘玉国 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第3期556-563,共8页
强束流下微波窗损坏是限制2.45 GHz电子回旋共振(ECR)离子源寿命的主要原因,为延长离子源使用寿命,对ECR离子源微波窗损伤机理进行了研究。利用有限元软件分别计算了Al 2O 3陶瓷微波窗在微波、等离子体和回流电子束作用下的温度及应力... 强束流下微波窗损坏是限制2.45 GHz电子回旋共振(ECR)离子源寿命的主要原因,为延长离子源使用寿命,对ECR离子源微波窗损伤机理进行了研究。利用有限元软件分别计算了Al 2O 3陶瓷微波窗在微波、等离子体和回流电子束作用下的温度及应力分布。计算结果表明,在微波和等离子体作用下,微波窗边缘处应力最大,在电子束作用下,微波窗中心位置应力最大。增强水冷效果可降低微波和等离子体对微波窗的影响,增加Al 2O 3陶瓷微波窗表面氮化硼(BN)的厚度可降低电子束的影响,从而减少微波窗损坏概率,延长离子源寿命。 展开更多
关键词 电子回旋共振离子源 微波窗 强流离子 有限元
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部