使用新型多模MPCVD装置,通过耦合改变微波功率和沉积气压进行大面积金刚石膜均匀沉积研究。结果表明:微波功率一定时,电子密度随气压的上升先上升后下降;电子密度随气压和微波功率耦合上升而上升,其中微波功率起主导作用;当微波功率为5 ...使用新型多模MPCVD装置,通过耦合改变微波功率和沉积气压进行大面积金刚石膜均匀沉积研究。结果表明:微波功率一定时,电子密度随气压的上升先上升后下降;电子密度随气压和微波功率耦合上升而上升,其中微波功率起主导作用;当微波功率为5 k W时,等离子体能量中心随着气压上升先靠近后远离沉积基底;当微波功率为5 k W、气压为15 k Pa时,在直径为75 mm的钼基片上实现了大面积金刚石膜的均匀沉积,中心和边缘区域的拉曼光谱FWHM值为4.69cm-1和4.83 cm-1。展开更多
文摘使用新型多模MPCVD装置,通过耦合改变微波功率和沉积气压进行大面积金刚石膜均匀沉积研究。结果表明:微波功率一定时,电子密度随气压的上升先上升后下降;电子密度随气压和微波功率耦合上升而上升,其中微波功率起主导作用;当微波功率为5 k W时,等离子体能量中心随着气压上升先靠近后远离沉积基底;当微波功率为5 k W、气压为15 k Pa时,在直径为75 mm的钼基片上实现了大面积金刚石膜的均匀沉积,中心和边缘区域的拉曼光谱FWHM值为4.69cm-1和4.83 cm-1。
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