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电子助进化学气相沉积金刚石中发射光谱的空间分布 被引量：1
1
作者 董丽芳 王志军 尚勇 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期15-17,共3页
采用蒙特卡罗方法，对以CH4／Hz为源料气体的电子助进化学气相沉积（EACVD）金刚石中的氢原子（Hα,Hβ，Hγ）、碳原子C（2p3s→2p^2：λ=165．7nm）以及CH（A^2△→X^2Ⅱ：λ=420～440m）的发射过程进行了模拟，研究了不同CH4浓度下... 采用蒙特卡罗方法，对以CH4／Hz为源料气体的电子助进化学气相沉积（EACVD）金刚石中的氢原子（Hα,Hβ，Hγ）、碳原子C（2p3s→2p^2：λ=165．7nm）以及CH（A^2△→X^2Ⅱ：λ=420～440m）的发射过程进行了模拟，研究了不同CH4浓度下各发射谱线的空间分布。结果表明，不同CH4浓度下各发射谱线在反应空间的大部分区域内均随距灯丝距离的增大而增大，而当到达基片表面附近时有所减弱。随着CH4浓度的增加，H谱线强度减弱，CH与C谱线强度增强。 展开更多
关键词 电子助进化学气相沉积 金刚石 空间分布 发射光谱
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电子助进化学气相沉积金刚石中衬底温度对发射光谱的影响
2
作者 王志军 李盼来 +2 位作者 尚勇 贺亚峰 冉俊霞 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期1473-1475,共3页
采用蒙特卡罗方法,对以CH4/H2为源料气体的电子助进化学气相沉积（EACVD）金刚石中的氢原子（Hα,Hβ和Hγ）、碳原子C（2p3s→2p2：λ=165.7 nm）以及CH（A2Δ→X2Π：λ=420-440 nm）的发射过程进行了模拟,研究了衬底温度对各发射谱... 采用蒙特卡罗方法,对以CH4/H2为源料气体的电子助进化学气相沉积（EACVD）金刚石中的氢原子（Hα,Hβ和Hγ）、碳原子C（2p3s→2p2：λ=165.7 nm）以及CH（A2Δ→X2Π：λ=420-440 nm）的发射过程进行了模拟,研究了衬底温度对各发射谱线以及金刚石膜合成的影响。结果得知,各谱线强度随衬底温度的变化幅度很小,且在衬底表面附近的谱线强度随衬底温度的变化幅度相对于远离衬底的反应区域较大,这表明衬底温度的变化基本上不改变远离衬底的反应区域中反应基团成分,而只对衬底表面附近的反应过程有影响。由此得知,衬底温度对薄膜质量的决定性主要是由于衬底温度改变了衬底表面化学反应动力学过程和表面附近的反应基团的缘故,而不是衬底温度对反应空间中气相成分的影响。 展开更多
关键词 电子助进化学气相沉积 金刚石 蒙特卡罗模拟 发射光谱 衬底温度
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电子助进化学气相沉积金刚石中的光发射谱特性
3
作者 王志军 董丽芳 +1 位作者 李盼来 尚勇 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期763-765,共3页
采用蒙特卡罗方法,对以CH4/H2为源料气体的电子助进化学气相沉积(EACVD)金刚石中的氢原子(Hα,Hβ,Hγ)、碳原子C(2p3s2p2∶λ=165.7nm)以及CH(A2Δ→X2Π∶λ=420～440nm)的光发射过程进行了模拟,气体温度随空间的变化采用温度梯度变化... 采用蒙特卡罗方法,对以CH4/H2为源料气体的电子助进化学气相沉积(EACVD)金刚石中的氢原子(Hα,Hβ,Hγ)、碳原子C(2p3s2p2∶λ=165.7nm)以及CH(A2Δ→X2Π∶λ=420～440nm)的光发射过程进行了模拟,气体温度随空间的变化采用温度梯度变化,研究了不同反应室气压及衬底温度下的光发射谱特性。结果表明,不同衬底温度下各谱线强度均随气压的增大先增大后减小;当气压较低时,谱线强度随衬底温度的增大而减少,而气压较高时,谱线强度随衬底温度的增大而增大。 展开更多
关键词 电子助进化学气相沉积 金刚石 蒙特卡罗模拟 发射光谱
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电子辅助热丝化学气相沉积一体化系统的研究
4
作者 王鸿翔 何时剑 +1 位作者 金永福 王鹏程 《现代制造工程》 CSCD 北大核心 2012年第12期84-88,共5页
对电子辅助热丝化学气相沉积(Electron-assisted Chemical Vapor Deposition,EACVD)系统的一体化技术进行了研究,介绍了EACVD一体化系统的原理和设计,系统包括机械系统和控制系统。金刚石的沉积实验表明,该系统可以提供高质量金刚石生... 对电子辅助热丝化学气相沉积(Electron-assisted Chemical Vapor Deposition,EACVD)系统的一体化技术进行了研究,介绍了EACVD一体化系统的原理和设计,系统包括机械系统和控制系统。金刚石的沉积实验表明,该系统可以提供高质量金刚石生长所需的均匀温度场,而且结构简单、制造成本低。该系统可用于光学涂层以及金刚石微器件的制备研究。 展开更多
关键词 电子辅助热丝化学气相沉积 一体化 金刚石涂层
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永磁电子回旋共振等离子体化学气相沉积系统 被引量：5
5
作者 吴振宇 刘毅 +1 位作者 汪家友 杨银堂 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期317-320,共4页
研制了一台永磁ECR等离子体化学气相沉积系统。通过同轴开口电介质空腔产生表面波 ,利用高磁能积Nd Fe B磁钢块的合理分布形成高强磁场 ,通过共振磁场区域内的电子回旋共振效应产生大面积均匀的高密度等离子体。进行了ECR等离子体化学... 研制了一台永磁ECR等离子体化学气相沉积系统。通过同轴开口电介质空腔产生表面波 ,利用高磁能积Nd Fe B磁钢块的合理分布形成高强磁场 ,通过共振磁场区域内的电子回旋共振效应产生大面积均匀的高密度等离子体。进行了ECR等离子体化学气相沉积氧化硅和氮化硅薄膜工艺的研究。6英寸片内膜厚均匀性优于 95 % ,沉积速率高于 10 0nm/min ,FTIR光谱分析表明薄膜中H含量很低。 展开更多
关键词 电子回旋共振 等离子体化学气相沉积 膜厚均匀性 同轴 表面波 ECR 氮化硅薄膜 高密度等离子体 FTIR光谱 强磁场
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非对称磁镜场电子回旋共振氧等离子体刻蚀化学气相沉积金刚石膜 被引量：2
6
作者 谭必松 马志斌 +1 位作者 沈武林 吴振辉 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1887-1890,共4页
分别应用郎缪尔双探针和离子灵敏探针对非对称磁镜场电子回旋共振氧等离子体的电子参数、空间分布和离子参数进行了测量,分析了气压对等离子体参数及空间分布的影响。利用该等离子体在优化的气压条件下对化学气相沉积金刚石膜进行了刻蚀... 分别应用郎缪尔双探针和离子灵敏探针对非对称磁镜场电子回旋共振氧等离子体的电子参数、空间分布和离子参数进行了测量,分析了气压对等离子体参数及空间分布的影响。利用该等离子体在优化的气压条件下对化学气相沉积金刚石膜进行了刻蚀,并研究了刻蚀机理。结果表明：电子温度为5～10 eV,离子温度为1 eV左右,而等离子体数密度在1010cm-3数量级。随气压的升高,电子和离子温度降低,而电子数密度先增大后减小。在低气压下等离子体数密度空间分布更均匀,优化的刻蚀气压为0.1 Pa。刻蚀过程中,离子的回旋运动特性得到了加强,有利于平行于金刚石膜表面的刻蚀,有效地保护了金刚石膜的晶界和缺陷。 展开更多
关键词 非对称磁镜场 电子回旋共振 氧等离子体 刻蚀 化学气相沉积
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强电子流增强化学气相沉积法生长金刚石膜
7
作者 石成儒 庞国锋 +1 位作者 徐月明 邱东江 《杭州大学学报（自然科学版）》 CSCD 1992年第2期229-230,共2页
金刚石具有许多优异特性,掺杂后可成为半导体.常规的高温高压合成方法难于成膜,特别是很难控制掺杂的深度分布和产生适合制作器件的良好结构.近年来迅速发展了多种低压气相金刚石膜生长技术,在低压(≤1atm)和低温(1000℃)下制成了金刚... 金刚石具有许多优异特性,掺杂后可成为半导体.常规的高温高压合成方法难于成膜,特别是很难控制掺杂的深度分布和产生适合制作器件的良好结构.近年来迅速发展了多种低压气相金刚石膜生长技术,在低压(≤1atm)和低温(1000℃)下制成了金刚石多晶膜.但是,各种方法都存在不少问题:难于获得大面积,均匀的膜,膜表面粗糙,膜内存在大量的缺陷,与基体结合差等.限制了它在电子、光学、机械等领域的应用.为了解决这些困难,我们正在研究发展一种强电子流增强化学气相沉积(HECVD)制备金刚石膜技术. 展开更多
关键词 金刚石膜 化学气相沉积 强电子流
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微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积法制备多晶硅薄膜 被引量：2
8
作者 左潇 魏钰 +2 位作者 陈龙威 舒兴胜 孟月东 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期356-361,共6页
利用微波电子回旋共振等离子体增强型化学气相沉积(ECR-PECVD)采用一步法直接在K9玻璃上低温沉积制备了多晶硅薄膜。研究了不同实验参数对薄膜沉积的影响,采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、扫描电子显微镜(SEM)等实验分析方法对不同条件... 利用微波电子回旋共振等离子体增强型化学气相沉积(ECR-PECVD)采用一步法直接在K9玻璃上低温沉积制备了多晶硅薄膜。研究了不同实验参数对薄膜沉积的影响,采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、扫描电子显微镜(SEM)等实验分析方法对不同条件下制备的样品进行了晶体结构和表面形貌分析,并讨论了多晶硅薄膜沉积的最佳条件。实验结果表明,玻璃衬底上多晶硅薄膜呈柱状生长,并有一定厚度的非晶孵化层;较高氢气比例和衬底温度有利于结晶,薄膜的结晶率达到了62%;晶粒团簇的最大尺寸约为500nm。 展开更多
关键词 电子回旋共振等离子体增强型化学气相沉积 低温 直接制备 多晶硅薄膜
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快速热处理化学气相沉积法制备用于电子产品热管理的轻质柔性石墨烯 被引量：1
9
作者 Satendra Kumar Manoj Goswami +3 位作者 Netrapal Singh Uday Deshpande Surender Kumar N.Sathish 《新型炭材料（中英文）》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第3期534-542,共9页
下一代电子产品的飞速发展对热管理提出了更高的要求。初始石墨烯的导热性是铜的13倍。本文通过快速热处理化学气相沉积(RTP-CVD)法制备了具有大sp^(2)结构域的单层、双层和多层石墨烯(SLG、BLG、FLG),进一步通过低浓度H_(2)还原制备了... 下一代电子产品的飞速发展对热管理提出了更高的要求。初始石墨烯的导热性是铜的13倍。本文通过快速热处理化学气相沉积(RTP-CVD)法制备了具有大sp^(2)结构域的单层、双层和多层石墨烯(SLG、BLG、FLG),进一步通过低浓度H_(2)还原制备了高导热石墨烯。在1000℃下生长25 min制备出SLG,利用拉曼光谱和透射电子显微镜(TEM)研究了石墨烯的品质。为了验证RTP-CVD法生成的石墨烯的散热能力,将其作为2TB固态硬盘的散热器,通过红外热成像仪进行了研究。结果证明,RTP-CVD生长的石墨烯用于消费电子产品的热管理测试时性能表现优异。SLG显示温度(最高)比商用铜散热器低5℃,SLG的散热能力比商用铜散热器快200倍左右。综上,利用RTP-CVD法制备的轻质的柔性石墨烯可以成为下一代5G设备和消费电子产品热管理的更好选择。 展开更多
关键词 石墨烯 热管理 消费类电子产品 化学气相沉积
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等离子体化学气相沉积金刚石膜过程中光发射谱和朗谬尔探针原位诊断 被引量：3
10
作者 朱晓东 温晓辉 +1 位作者 周海洋 詹如娟 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2001年第1期67-70,共4页
报道了利用光发射谱 (OES)和朗谬尔探针对热阴极直流放电等离子体化学气相沉积金刚石薄膜的等离子体条件进行原位研究的部分结果 ,研究了几种过程参数变化中等离子体状态 ,并与金刚石膜的沉积相联系。当CH4 浓度变化时 ,CH基团的发射强... 报道了利用光发射谱 (OES)和朗谬尔探针对热阴极直流放电等离子体化学气相沉积金刚石薄膜的等离子体条件进行原位研究的部分结果 ,研究了几种过程参数变化中等离子体状态 ,并与金刚石膜的沉积相联系。当CH4 浓度变化时 ,CH基团的发射强度和电子密度ne 的变化表现出相似趋势 ,均出现一极大值。而在高CH4 浓度 ,C2 的发射出现。在气压变化过程中 ,CH的发射强度和ne 均随气压的升高而下降 ,C2 的发射强度变化不大。用OES和朗谬尔探针测量的电子温度Te 所显示的结果是一致的。在这些过程中 ,电子碰撞应该是CH发射的主要机制 ,C2 展开更多
关键词 电子温度 电子密度 金刚石薄膜 等离子体化学气相沉积 光发射谱 朗谬尔探针原位诊断 生长机理
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常压化学气相沉积方法制备非晶硅薄膜及其光致发光性能研究 被引量：1
11
作者 刘涌 肖瑛 +2 位作者 沃银花 宋晨路 韩高荣 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期469-471,共3页
使用改进的常压化学气相沉积 (APCVD)系统制备了非晶硅薄膜 ,测量了样品的光致发光特性 ,使用Raman光谱和X射线光电子能谱 (XPS)谱测量了薄膜的微结构特征。样品在 5 2 3nm出现发光峰 ,Raman光谱和XPS谱表明制备的薄膜结构中存在富氧相... 使用改进的常压化学气相沉积 (APCVD)系统制备了非晶硅薄膜 ,测量了样品的光致发光特性 ,使用Raman光谱和X射线光电子能谱 (XPS)谱测量了薄膜的微结构特征。样品在 5 2 3nm出现发光峰 ,Raman光谱和XPS谱表明制备的薄膜结构中存在富氧相和富硅相的分相现象 ,分析认为相界面的存在是产生发光的原因。Raman光谱分峰结果表明薄膜中存在纳米晶粒。 展开更多
关键词 非晶硅薄膜 RAMAN光谱 光致发光特性 XPS谱 X射线光电子能谱(XPS) 发光峰 纳米晶粒 性能研究 化学气相沉积 薄膜结构
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采用热丝化学气相沉积法制备SiCN薄膜的研究
12
作者 赵武 屈亚东 +2 位作者 张志勇 贠江妮 樊玎玎 《中南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期156-160,共5页
采用热丝化学气相沉积(HFCVD)系统,在单晶Si衬底上制备SiCN薄膜。所采用的源气体为高纯的SiH4,CH4和N2。用原子力显微镜(AFM)、X线衍射谱(XRD)和X线光电子能谱(XPS)对样品进行表征与分析。研究结果表明:SiCN薄膜表面由许多粒径不均匀、... 采用热丝化学气相沉积(HFCVD)系统,在单晶Si衬底上制备SiCN薄膜。所采用的源气体为高纯的SiH4,CH4和N2。用原子力显微镜(AFM)、X线衍射谱(XRD)和X线光电子能谱(XPS)对样品进行表征与分析。研究结果表明:SiCN薄膜表面由许多粒径不均匀、聚集紧密的SiCN颗粒组成;薄膜虽然已经晶化,但晶化并不充分,存在着微晶和非晶成分,通过Jade软件拟合计算出薄膜的结晶度为48.72%;SiCN薄膜不是SiC和Si3N4的简单混合,薄膜中Si,C和N这3种元素之间存在多种结合态,主要的化学结合状态为Si—N,Si—N—C,C—N,N=C和N—Si—C键,但是,没有观察到Si—C键,说明所制备的薄膜形成了复杂的网络结构。 展开更多
关键词 SiCN薄膜 热丝化学气相沉积法(HFCVD) 原子力显微镜(AFM) X线衍射谱(XRD) X线光电子能谱(XPS)
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多晶硅薄膜等离子体增强化学气相沉积低温制备工艺
13
作者 邓婉婷 吴爱民 +3 位作者 张广英 秦富文 董闯 姜辛 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期436-440,共5页
采用电子回旋共振等离子增强化学气相沉积(ECR-PECvD)方法,以SiH4和H2为气源,在普通玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜.利用XRD、Raman光谱和TEM研究了衬底温度、氢气流量和微波功率对多晶硅薄膜结构的影响.结果表明,制得的多晶硅薄膜多以(220)... 采用电子回旋共振等离子增强化学气相沉积(ECR-PECvD)方法,以SiH4和H2为气源,在普通玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜.利用XRD、Raman光谱和TEM研究了衬底温度、氢气流量和微波功率对多晶硅薄膜结构的影响.结果表明,制得的多晶硅薄膜多以(220)取向择优生长,少数条件下会呈现(111)择优取向.当衬底温度为300℃、H2流速为25 mL/min、微波功率为600 W时,多晶硅薄膜结晶状态最好,且呈最佳的(220)取向. 展开更多
关键词 电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积 多晶硅薄膜 低温生长
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H_(2)对HfO_(2)衬底上等离子体增强化学气相沉积石墨烯的影响 被引量：1
14
作者 杨玉帅 王伟 +3 位作者 樊瑞祥 王凯 武海进 马勤政 《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 北大核心 2023年第5期78-84,共7页
HfO_(2)薄膜和石墨烯是用于制作石墨烯场效应晶体管的主要材料,而采用PECVD(等离子体增强化学气相沉积法)在HfO_(2)衬底上原位生长石墨烯是极具潜力的一种石墨烯制备方法,这种方法有助于降低石墨烯转移过程对石墨烯质量的影响,从而提高... HfO_(2)薄膜和石墨烯是用于制作石墨烯场效应晶体管的主要材料,而采用PECVD(等离子体增强化学气相沉积法)在HfO_(2)衬底上原位生长石墨烯是极具潜力的一种石墨烯制备方法,这种方法有助于降低石墨烯转移过程对石墨烯质量的影响,从而提高石墨烯场效应晶体管的性能。使用真空电子束蒸镀方法在重掺杂单抛硅片衬底上分别于50、150、250℃下沉积了100 nm厚的HfO_(2)薄膜样品;随后选用最优质量的HfO_(2)薄膜作为生长石墨烯的衬底,采用PECVD方法在温度为600℃、CH4流速为4 sccm的条件下,以不同的H2流速(0、5、10、15、20 sccm)原位生成石墨烯薄膜。结果显示,150℃下蒸镀的HfO_(2)薄膜粗糙度最低,表面最平整,同时也拥有最佳的介电性能。当H2流速为10 sccm时,可获得少层石墨烯薄膜,此时的石墨烯薄膜缺陷最小,表面平整且连续性好。通过对HfO_(2)衬底上石墨烯的生长机理进行分析发现,HfO_(2)衬底的低表面能导致含碳物种难以吸附到衬底上,石墨烯不易生长,但适当的H2参与可以有效降低CH4裂解反应的活化能,促进CH4的裂解,有利于生长出大面积的连续型石墨烯薄膜。 展开更多
关键词 HfO_(2)薄膜 石墨烯 真空电子束蒸镀 等离子体增强化学气相沉积 H2 生长机理
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钨膜的激光化学气相沉积 被引量：1
15
作者 周政卓 顾原岗 邱明新 《激光杂志》 CAS 1985年第4期211-213,184,共4页
本文报道用XeCl准分子激光分解W(CO)_6气体分子沉积钨膜,面积约2.6cm^2。测量了膜层的厚度,电学性质和光学性质,并用扫描电镜观察了膜层的微观结构和用x光电子能谱仪分析了膜层的组分。
关键词 激光化学气相沉积 钨膜 XECL准分子 X光电子能谱 扫描电镜观察 分子沉积 光学性质 电学性质 微观结构 光分解
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基于电子场发射性能的高导电性金刚石/碳纳米墙薄膜的一步法制备
16
作者 徐戴 卢嘉琪 +5 位作者 刘鲁生 杨越朝 关印 黄楠 姜辛 杨兵 《表面技术》 北大核心 2025年第6期194-205,共12页
目的 金刚石薄膜的电导率和薄膜/衬底界面电导率的提高对其场发射性能优化非常关键。通过一步法制备具有高导电性且无高电阻率中间层的金刚石/碳纳米墙(D/CNWs)薄膜,提高金刚石的场发射性能。方法 利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)... 目的 金刚石薄膜的电导率和薄膜/衬底界面电导率的提高对其场发射性能优化非常关键。通过一步法制备具有高导电性且无高电阻率中间层的金刚石/碳纳米墙(D/CNWs)薄膜,提高金刚石的场发射性能。方法 利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,通过调控生长温度和CH_4浓度,采用一步法制备了2种高导电性的金刚石复合薄膜:金刚石/石墨(D/G)纳米片薄膜和D/CNWs薄膜。采用SEM、XRD、Raman、XPS、AFM、TEM和场发射测试设备对薄膜的形貌结构、化学成分和场发射性能进行分析。结果 在968℃下沉积的D/G薄膜由金刚石为核、石墨为壳的纳米片结构组成。而在较高温度(1058℃)下,形成由纳米片和三维网状的碳纳米墙组成的D/CNWs薄膜,碳纳米墙的引入使其具有更高的电导率。随着CH_4浓度升高,D/G和D/CNWs薄膜中的石墨含量升高,薄膜电导率和发射位点的数量增加,场发射性能提升。此外,D/G薄膜形成了纳米晶金刚石(NCD)中间层,导致界面电导率较低(仅为12.6S/cm)。而无NCD中间层的D/CNWs薄膜,界面电导率高达57.8 S/cm,使其场发射性能显著优于D/G薄膜:在较高CH_4浓度(14%,体积分数)下D/CNWs薄膜的开启场为4.0 V/μm,在7 V/μm电场下的电流密度为3.237 mA/cm^(2)。结论 一步法制备的D/CNWs薄膜具有更高的薄膜电导率和界面电导率,表现出更好的场发射性能。 展开更多
关键词 金刚石 石墨 复合薄膜 中间层 场致电子发射 化学气相沉积
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硼掺杂浓度对金刚石薄膜电化学高级氧化性能的影响:基于[Fe(CN)_(6)]^(3-/4-)探针的研究
17
作者 郑子文 翟朝峰 +3 位作者 张楚燕 胡天文 姜辛 黄楠 《中国表面工程》 北大核心 2025年第2期255-267,共13页
硼掺杂金刚石(BDD)薄膜作为电化学高级氧化降解有机污染物的电极材料,在环境保护领域具有重要的应用价值。硼掺杂浓度是影响性能的重要因素,然而直接建立硼掺杂浓度与BDD薄膜电化学高级氧化性能关系极具挑战。以热丝化学气相沉积制备的... 硼掺杂金刚石(BDD)薄膜作为电化学高级氧化降解有机污染物的电极材料,在环境保护领域具有重要的应用价值。硼掺杂浓度是影响性能的重要因素,然而直接建立硼掺杂浓度与BDD薄膜电化学高级氧化性能关系极具挑战。以热丝化学气相沉积制备的不同硼掺杂浓度的10.16 cm(4英寸)BDD薄膜为研究对象,利用[Fe(CN)_(6)]^(3-/4-)氧化还原对研究BDD薄膜电化学性质,并结合电化学高级氧化降解四环素的试验结果,建立BDD薄膜电化学性质和降解性能之间的联系。研究结果表明,BDD薄膜对四环素的降解能力与电化学活性面积(ECSA)、异质电子转移动力学性质(异质电子转移常数k_(0)和电子转移电阻R_(ct))遵从相同的变化规律:BDD_(4000)>BDD_(6800)>BDD_(4700)>BDD_(3000)。在适中的硼掺杂浓度4000 ppm(10-6)条件下,BDD_(4000)薄膜由高电化学活性的金刚石(111)面和良好化学吸附能力的纳米晶金刚石构成,因而具有高k_(0)(1.95×10^(-2)cm·s^(-1))、低R_(ct)(126.6Ω)和高ECSA。这将促进BDD薄膜高效地产生羟基自由基(·OH),从而高效率降解四环素。研究结果表明,开展BDD薄膜在[Fe(CN)_(6)]^(3-/4-)中电化学性质测量,能够为迅速、简便地评估BDD薄膜电化学高级氧化性能提供参考,对选择高性能的电极材料并进一步推动其在环境保护领域的应用具有积极作用。 展开更多
关键词 热丝化学气相沉积 硼掺杂金刚石 电化学性质 异质电子转移动力学性质 电化学高级氧化
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热丝辅助MWECR-CVD法沉积氢化非晶硅薄膜研究 被引量：1
18
作者 刘国汉 丁毅 +3 位作者 朱秀红 何斌 陈光华 贺德衍 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期986-989,共4页
为了降低a-Si:H薄膜中的氢含量,提高其稳定性,在我们MWECR-CVD系统中引入了热丝装置,热丝对等离子体的热辐射使等离子体升温,既促进了气体的进一步分解和电离,获得较多的低氢原子基团,也减少了活性高硅烷聚合物的生成,从而使薄膜中的(Si... 为了降低a-Si:H薄膜中的氢含量,提高其稳定性,在我们MWECR-CVD系统中引入了热丝装置,热丝对等离子体的热辐射使等离子体升温,既促进了气体的进一步分解和电离,获得较多的低氢原子基团,也减少了活性高硅烷聚合物的生成,从而使薄膜中的(SiH2)n的含量降低。同时,热丝对样品表面提供的热辐射和光辐射也可以进一步降低薄膜的氢含量。实验结果表明,用这种装置沉积的a-Si:H薄膜,氢含量可降低到4.5at%左右,稳定性明显增强,光敏性也有一定改善。 展开更多
关键词 电子回旋共振 等离子体增强化学气相沉积 氢化非晶硅薄膜 热丝 光致衰退效应
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纳米α-Al_2O_3化学合成技术研究进展 被引量：1
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作者 宋晓岚 曲鹏 +2 位作者 王海波 吴雪兰 邱冠周 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期14-16,共3页
纳米α-Al_2O_3粉体因其用于高强材料、电子陶瓷以及催化剂等而具有广泛的应用潜力,然而经高温煅烧难于获得真正纳米粒径的α-Al_2O_3粉体。综述了近年来国外合成纳米α-Al_2O_3粉末的2种工艺:一种为高温化学合成工艺。包括气相沉积法... 纳米α-Al_2O_3粉体因其用于高强材料、电子陶瓷以及催化剂等而具有广泛的应用潜力,然而经高温煅烧难于获得真正纳米粒径的α-Al_2O_3粉体。综述了近年来国外合成纳米α-Al_2O_3粉末的2种工艺:一种为高温化学合成工艺。包括气相沉积法、激光烧蚀法、电弧等离子体法和水热法等;另一种为低温化学合成工艺,包括机械球磨法和溶胶-凝胶法等。进一步展望了我国纳米α-Al_2O_3研究发展的趋势。 展开更多
关键词 纳米Α-AL2O3 技术研究进展 化学合成 AL2O3粉体 Al2O3粉末 电弧等离子体法 溶胶一凝胶法 合成工艺 气相沉积法 激光烧蚀法 机械球磨法 高强材料 应用潜力 电子陶瓷 高温煅烧 研究发展 催化剂 水热法
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热丝辅助MW ECR CVD技术高速沉积高质量氢化非晶硅薄膜(英文) 被引量：3
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作者 周怀恩 陈光华 +2 位作者 朱秀红 阴生毅 胡跃辉 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期471-474,共4页
氢化非晶硅薄膜具有优异的光电特性,在制备薄膜太阳能电池中有重要的应用。本文采用热丝辅助MW ECRCVD技术,通过调整各种工艺参数,制备了高沉积速率(DR>2.5nm/s)及高光敏性(σph/σD>105)的氢化非晶硅薄膜。实验表明,在衬底表面... 氢化非晶硅薄膜具有优异的光电特性,在制备薄膜太阳能电池中有重要的应用。本文采用热丝辅助MW ECRCVD技术,通过调整各种工艺参数,制备了高沉积速率(DR>2.5nm/s)及高光敏性(σph/σD>105)的氢化非晶硅薄膜。实验表明,在衬底表面温度的分布中,热丝辐射和离子轰击引起的温度对薄膜的光敏性影响较大;在薄膜沉积的最后几分钟适当加大H稀释率,有利于薄膜光电特性的改善。 展开更多
关键词 氢化非晶硅 氢稀释率 电子回旋共振化学气相沉积 光敏性
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