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电子束刻蚀数字像元全息图 被引量:3
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作者 王天及 李耀棠 +3 位作者 杨世宁 张世超 范少武 温焕荣 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期34-35,57,共3页
作者在研制激光数字点阵全息图的基础上,尝试使用电子束刻蚀系统制作数字像元全息图以期用于防伪和保密模压全息图的制作。并对电子束刻蚀系统制作数字像元全息图的优缺点加以讨论。
关键词 电子刻蚀 数字像元编码 全息图 激光技术
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福建物构所基于电子束刻蚀实现中空核壳结构稀土上转换纳米晶的原位构筑
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《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2018年第10期284-285,共2页
在国家自然科学基金杰出青年科学基金、科技部973计划、中科院战略性先导科技专项和创新国际团队等项目支持下,福建物构所中科院功能纳米结构设计与组装重点实验室陈学元研究小组和王元生研究小组合作,徐金博士等通过电子束辐照核壳结... 在国家自然科学基金杰出青年科学基金、科技部973计划、中科院战略性先导科技专项和创新国际团队等项目支持下,福建物构所中科院功能纳米结构设计与组装重点实验室陈学元研究小组和王元生研究小组合作,徐金博士等通过电子束辐照核壳结构稀土上转换纳米晶(NaLuF4:Gd/Yb/Er@NaLuF4:Nd/Yb@NaLuF4)发现同质包覆核壳结构纳米晶其内核与壳层界面处依然存在大量晶体缺陷,并且该界面缺陷浓度甚至高于内核中体相缺陷的浓度。 展开更多
关键词 核壳结构 纳米晶 上转换 电子刻蚀 稀土 福建 杰出青年科学基金 国家自然科学基金
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运用精确电压衬度像技术实现精确定位的原位电子束纳米刻蚀:制造具有悬挂纳米线结构的纳米器件
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作者 周维列 LIM Jin-Hee WILEY John B 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期213-218,共6页
本文演示了运用精确电压衬度像技术实现原位电子束纳米刻蚀技术的精确定位,并运用该技术制作成具有悬挂结构的纳米开关。通过运用精确电压衬度像定位技术,能够很好地控制偏转电极的定位,误差可减少到大约10nm。通过该技术,不用通过任何... 本文演示了运用精确电压衬度像技术实现原位电子束纳米刻蚀技术的精确定位,并运用该技术制作成具有悬挂结构的纳米开关。通过运用精确电压衬度像定位技术,能够很好地控制偏转电极的定位,误差可减少到大约10nm。通过该技术,不用通过任何刻蚀过程只运用一次电子束纳米刻蚀,便可实现将分散的纳米线夹在两个电阻层中间形成悬挂结构。在原位电子束刻蚀的整个过程中,无需移动样品台从而消除了样品台的移动误差。因此,整个过程中不需要高精确的激光台和定位标记,从而简化了传统的电子束纳米刻蚀工艺。通过该方法制作的纳米开关随着施加电压的改变很好地实现了闭合和断开的状态。这种简化的过程提供了一种简单、低成本、快速的通过改装过的场发射扫描电子显微镜(FESEM)来制作纳米线悬挂结构的方法,并可运用该技术进一步制造多层结构和特殊的纳米器件。 展开更多
关键词 原位电子束纳米刻蚀 扫描电子显微镜 纳米器件 纳米线
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电子束直写技术制作GHz频带声表面波器件 被引量:1
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作者 杨忠山 范子坤 +1 位作者 田丰 韩立 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2005年第6期606-609,共4页
电子束具有刻写微细图形尺寸的能力,容易实现亚微米宽格栅的声表面波器件制造,因此可达到器件的高频化和在设计上更具灵活性。该文介绍了器件图形的数据处理策略,基片的制备和工艺过程。描述了在电子束曝光过程中采取的一些独特方法,生... 电子束具有刻写微细图形尺寸的能力,容易实现亚微米宽格栅的声表面波器件制造,因此可达到器件的高频化和在设计上更具灵活性。该文介绍了器件图形的数据处理策略,基片的制备和工艺过程。描述了在电子束曝光过程中采取的一些独特方法,生产了性能良好的吉赫兹频带滤波器、谐振器和延迟线等声表面波器件。 展开更多
关键词 半导体工艺 声表波器件 电子刻蚀技术
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电子束在胶层及衬底中散射轨迹的MonteCarlo模拟并从背散射系数看LB抗蚀层优越性
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作者 鲁武 顾宁 +1 位作者 陆祖宏 韦钰 《应用科学学报》 CAS CSCD 1995年第1期29-34,共6页
用MonteCarlo方法研究了电子束曝光中电子与胶层及衬底中原子相互作用情况,提出了一个高能电子在多层介质间散射的“折射”模型,模拟了不同条件下在硅衬底或覆铬硅片上用Langmuir-Blodgett(LB)技术和... 用MonteCarlo方法研究了电子束曝光中电子与胶层及衬底中原子相互作用情况,提出了一个高能电子在多层介质间散射的“折射”模型,模拟了不同条件下在硅衬底或覆铬硅片上用Langmuir-Blodgett(LB)技术和旋涂法制备的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)抗蚀层及衬底中电子的散射轨迹,并计算了背散射系数。结果证明:在相同的电子束能下,电子在LB抗蚀层中存在较小的背散射系数,并且采用较低或较高的能量曝光,均可达到减小背散射的目的。 展开更多
关键词 散射 微加工 电子刻蚀 胶层 LB抗蚀层
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聚甲基丙烯酸甲酯LB膜用作高分辨率电子束抗蚀层的研究
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作者 鲁武 顾宁 +2 位作者 韦钰 沈浩瀛 张岚 《电子科学学刊》 CSCD 1994年第6期651-654,共4页
应用LB技术制备了厚度为20—100nm的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)超薄高分辨率电子束抗蚀层。应用改装的日立S-450扫描电子显微镜(SEM),研究了PMMALB膜的曝光特性和刻蚀条件。结果得到线宽0.15μm的铝掩模光栅图形,表明此种超薄膜具有良好的... 应用LB技术制备了厚度为20—100nm的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)超薄高分辨率电子束抗蚀层。应用改装的日立S-450扫描电子显微镜(SEM),研究了PMMALB膜的曝光特性和刻蚀条件。结果得到线宽0.15μm的铝掩模光栅图形,表明此种超薄膜具有良好的分辨率和足够的抗蚀性。 展开更多
关键词 LB膜 电子刻蚀 抗蚀剂 PMMA 电子器件
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五元环氟化物的合成及应用 被引量:3
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作者 张呈平 庆飞要 +1 位作者 贾晓卿 权恒道 《化工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第9期3963-3978,共16页
综述了以双环戊二烯(DCPD)、六氯环戊二烯(HCCPD)或八氯环戊烯(OCP)为起始原料合成1,2-二氯六氟环戊烯(F6-12)、1,3-二氯六氟环戊烯(F6-13)、1-氯七氟环戊烯(F7-1)、1,1,2,2,3,3,4-七氟环戊烷(F7A)、1,1,2,2,3,3-六氟环戊烷(F6A)、顺式-... 综述了以双环戊二烯(DCPD)、六氯环戊二烯(HCCPD)或八氯环戊烯(OCP)为起始原料合成1,2-二氯六氟环戊烯(F6-12)、1,3-二氯六氟环戊烯(F6-13)、1-氯七氟环戊烯(F7-1)、1,1,2,2,3,3,4-七氟环戊烷(F7A)、1,1,2,2,3,3-六氟环戊烷(F6A)、顺式-1,1,2,2,3,3,4,5-八氟环戊烷(cis-F8A)、八氟环戊烯(F8E)、3,3,4,4,5,5-六氟环戊烯(F6E)、1,3,3,4,4,5,5-七氟环戊烯(F7E)等系列五元环氟化物的合成路线,以及五元环氟化物在电子清洗、电子刻蚀、合成电子氟化液的应用。提出了五元环氟化物的合成研究重点是新型合成路线的开发、高催化活性且对人体健康无害的过程催化剂的开发,以及无污染化工艺过程的开发,而应用研究重点是开发五元环氟化物的电子级产品以及开发五元环氟化物的下游产品。 展开更多
关键词 五元环氟化物 1 1 2 2 3 3 4-七氟环戊烷 电子清洗 电子刻蚀 电子氟化液 催化 催化剂 催化剂活化
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