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InAs自组织生长量子点的电子俘获势垒
被引量：
2
1
作者
陈枫
封松林
+3 位作者
杨锡震
王志明
汪辉
邓元明
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第4期241-244,共4页
成功地用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了ＩｎＡｓ自组织生长的量子点电学性质，获得２．５原子层ＩｎＡｓ量子点电子基态能级在ＧａＡｓ导带底下约０．１３ｅＶ，该量子点在荷电状态发生变化时伴随有晶格弛豫，对应俘获势垒为０．３２...
成功地用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了ＩｎＡｓ自组织生长的量子点电学性质，获得２．５原子层ＩｎＡｓ量子点电子基态能级在ＧａＡｓ导带底下约０．１３ｅＶ，该量子点在荷电状态发生变化时伴随有晶格弛豫，对应俘获势垒为０．３２ｅＶ．本工作也证明可以把量子点类比深中心进行研究．
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关键词
量子点
DLTS
自组织生长
砷化铟
电子俘获势垒
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职称材料
题名
InAs自组织生长量子点的电子俘获势垒
被引量：
2
1
作者
陈枫
封松林
杨锡震
王志明
汪辉
邓元明
机构
中国科学院半导体所半导体超晶格国家重点实验室
北京师范大学物理系
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第4期241-244,共4页
基金
国家攀登计划
国家自然科学基金
文摘
成功地用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了ＩｎＡｓ自组织生长的量子点电学性质，获得２．５原子层ＩｎＡｓ量子点电子基态能级在ＧａＡｓ导带底下约０．１３ｅＶ，该量子点在荷电状态发生变化时伴随有晶格弛豫，对应俘获势垒为０．３２ｅＶ．本工作也证明可以把量子点类比深中心进行研究．
关键词
量子点
DLTS
自组织生长
砷化铟
电子俘获势垒
Keywords
quantum dots,DLTS,self organized,InAs/GaAs.
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
O471.1 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
InAs自组织生长量子点的电子俘获势垒
陈枫
封松林
杨锡震
王志明
汪辉
邓元明
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997
2
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