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高致密碳化硅陶瓷的低温液相烧结
被引量：
9
1
作者
许洁
周小兵
+3 位作者
徐凯
常可可
代建清
黄庆
《陶瓷学报》
CAS
北大核心
2022年第3期448-454,共7页
SiC陶瓷具有强共价键结构,表面扩散系数较低,其低温烧结致密化一直是业内学者研究的焦点之一。利用Pr_(3)Si_(2)C_(2)与SiC在~1150℃发生低温共晶液相转变可促进SiC烧结的原理,采用熔盐法,在SiC颗粒表面原位生长出Pr_(3)Si_(2)C_(2),促...
SiC陶瓷具有强共价键结构,表面扩散系数较低,其低温烧结致密化一直是业内学者研究的焦点之一。利用Pr_(3)Si_(2)C_(2)与SiC在~1150℃发生低温共晶液相转变可促进SiC烧结的原理,采用熔盐法,在SiC颗粒表面原位生长出Pr_(3)Si_(2)C_(2),促进了Pr_(3)Si_(2)C_(2)烧结助剂与SiC颗粒的均匀分散。通过电场辅助烧结,在1500℃低温下实现了SiC陶瓷的高致密化(气孔率~0.3%),热导率达到106 W·m^(-1)·K^(-1)。通过对SiC陶瓷微观结构分析,其烧结过程为典型的液相烧结溶解—沉淀机制。本文Pr_(3)Si_(2)C_(2)低温烧结助剂的开发为SiC陶瓷及其复合材料的低温烧结提供了实验依据。
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关键词
碳化硅
液相
烧结
电场辅助烧结
镨硅碳
熔盐法
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职称材料
电流辅助下CoFeCrNiCuTi_(2)高熵合金钎焊SiC陶瓷接头组织与性能
被引量：
1
2
作者
刘一贺
王刚
+2 位作者
周小兵
王秒
王微
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第9期140-147,共8页
采用电流辅助连接技术,以CoFeCrNiCuTi_(2)高熵合金为连接层材料,在1125℃的温度下,实现了SiC陶瓷的快速钎焊,提高了连接效率的同时保证了元素的充分扩散,系统研究了钎焊温度对连接接头界面微观结构和力学性能的影响。结果表明:所获得...
采用电流辅助连接技术,以CoFeCrNiCuTi_(2)高熵合金为连接层材料,在1125℃的温度下,实现了SiC陶瓷的快速钎焊,提高了连接效率的同时保证了元素的充分扩散,系统研究了钎焊温度对连接接头界面微观结构和力学性能的影响。结果表明:所获得的钎焊接头无明显缺陷,焊缝组织主要由高熵FCC相、TiC相、Cr_(23)C_(6)相组成。界面致密的TiC反应层的形成在一定程度上抑制了高熵合金的分解和金属间化合物的生成,并缓解了SiC基体界面与高熵合金钎料之间的热应力。同时,由于高熵合金钎料的迟滞扩散效应,焊缝中心主体钎料仍保持高熵合金的FCC结构。力学性能测试表明:钎焊接头强度随钎焊温度升高呈先降低后增大的变化趋势。当连接温度为1125℃时,碳化硅接头获得最大弯曲强度,达到37 MPa,高于普通镍基钎料约21.3 MPa。
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关键词
钎焊
SIC
高熵合金
连接
电场辅助烧结
技术
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职称材料
题名
高致密碳化硅陶瓷的低温液相烧结
被引量：
9
1
作者
许洁
周小兵
徐凯
常可可
代建清
黄庆
机构
昆明理工大学
中国科学院宁波材料技术与工程研究所
出处
《陶瓷学报》
CAS
北大核心
2022年第3期448-454,共7页
基金
国家自然科学基金(11975296)
宁波市自然科学基金(2021J199)。
文摘
SiC陶瓷具有强共价键结构,表面扩散系数较低,其低温烧结致密化一直是业内学者研究的焦点之一。利用Pr_(3)Si_(2)C_(2)与SiC在~1150℃发生低温共晶液相转变可促进SiC烧结的原理,采用熔盐法,在SiC颗粒表面原位生长出Pr_(3)Si_(2)C_(2),促进了Pr_(3)Si_(2)C_(2)烧结助剂与SiC颗粒的均匀分散。通过电场辅助烧结,在1500℃低温下实现了SiC陶瓷的高致密化(气孔率~0.3%),热导率达到106 W·m^(-1)·K^(-1)。通过对SiC陶瓷微观结构分析,其烧结过程为典型的液相烧结溶解—沉淀机制。本文Pr_(3)Si_(2)C_(2)低温烧结助剂的开发为SiC陶瓷及其复合材料的低温烧结提供了实验依据。
关键词
碳化硅
液相
烧结
电场辅助烧结
镨硅碳
熔盐法
Keywords
SiC
liquid phase sintering
electric current field-assisted sintering
Pr3Si2C2
molten salt
分类号
TQ174.75 [化学工程—陶瓷工业]
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职称材料
题名
电流辅助下CoFeCrNiCuTi_(2)高熵合金钎焊SiC陶瓷接头组织与性能
被引量：
1
2
作者
刘一贺
王刚
周小兵
王秒
王微
机构
安徽工程大学高性能有色金属材料安徽省重点实验室
中国科学院宁波材料技术与工程研究所先进能源材料工程实验室
安徽机电职业技术学院航空与材料学院
出处
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第9期140-147,共8页
基金
国家自然科学基金项目(52171148,51704001)
安徽省自然科学基金项目(2008085J23)
+1 种基金
安徽省高校优秀青年人才支持计划(Z175050020001,gxyqZD2020059)
中国博士后科学基金资助项目(2021M690180)。
文摘
采用电流辅助连接技术,以CoFeCrNiCuTi_(2)高熵合金为连接层材料,在1125℃的温度下,实现了SiC陶瓷的快速钎焊,提高了连接效率的同时保证了元素的充分扩散,系统研究了钎焊温度对连接接头界面微观结构和力学性能的影响。结果表明:所获得的钎焊接头无明显缺陷,焊缝组织主要由高熵FCC相、TiC相、Cr_(23)C_(6)相组成。界面致密的TiC反应层的形成在一定程度上抑制了高熵合金的分解和金属间化合物的生成,并缓解了SiC基体界面与高熵合金钎料之间的热应力。同时,由于高熵合金钎料的迟滞扩散效应,焊缝中心主体钎料仍保持高熵合金的FCC结构。力学性能测试表明:钎焊接头强度随钎焊温度升高呈先降低后增大的变化趋势。当连接温度为1125℃时,碳化硅接头获得最大弯曲强度,达到37 MPa,高于普通镍基钎料约21.3 MPa。
关键词
钎焊
SIC
高熵合金
连接
电场辅助烧结
技术
Keywords
brazing
SiC
high-entropy alloy
joining
electric current-assisted sintering technology
分类号
TG454 [金属学及工艺—焊接]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高致密碳化硅陶瓷的低温液相烧结
许洁
周小兵
徐凯
常可可
代建清
黄庆
《陶瓷学报》
CAS
北大核心
2022
9
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下载PDF
职称材料
2
电流辅助下CoFeCrNiCuTi_(2)高熵合金钎焊SiC陶瓷接头组织与性能
刘一贺
王刚
周小兵
王秒
王微
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023
1
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职称材料
已选择
0
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参考文献
引证文献
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