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题名金属诱导a-Si横向结晶速率与外电场的关系
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作者
王光伟
姚素英
王雅欣
刘颖
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机构
天津大学电信学院
天津工程师范大学电子工程学院
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出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第15期18-21,共4页
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文摘
分析了外加直流电场对Al和Ni诱导非晶硅(a-Si)薄膜横向结晶速率的影响,指出,在热处理条件下,Al和Ni能加快诱导a-Si薄膜横向结晶的速率;适当强度的外加电场能明显加快金属诱导a-Si横向结晶速率;Al和Ni诱导a-Si结晶速率的增大主要是电场提高了扩散物的迁移率。但场强超过某临界值后该速率降低。基于电迁移效应,对此结果作了较合理的解释。结合文献,提出一经验公式,并用MATLAB模拟了外电场中Al和Ni诱导a-Si薄膜横向结晶速率曲线。
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关键词
电场增强横向诱导结晶
扩散
电迁移
晶粒长大
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Keywords
electric field aided lateral crystallization, diffusion, electromigration effect, grain coarsening
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分类号
TN304.055
[电子电信—物理电子学]
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题名外加电场对金属诱导非晶硅横向结晶的影响
被引量：1
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作者
王光伟
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机构
天津工程师范大学电子工程系
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第2期107-112,共6页
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基金
天津市高校科技发展基金项目(20060605)
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文摘
综述了Al和Ni在外加直流电场以及Cu在交流电场作用下诱导非晶硅(a-Si)薄膜横向结晶的特点和机理。研究了外加电场对金属诱导a-Si薄膜横向结晶的诸多影响因素,如场强及分布等。结果表明,相对于无电场时,适当强度的电场可显著加快金属诱导横向结晶的速率,场强超过某一临界值则降低该速率,并基于电迁移效应作了较好的解释。对Cu诱导a-Si薄膜横向结晶,在同样条件下,直交流混合电场比单纯的直流电场能引发更高的结晶速率。
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关键词
金属诱导横向结晶
电场增强金属诱导横向结晶
扩散
固相反应
晶粒生长
交流电场
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Keywords
metal-induced lateral crystallization （MILC）
electric field aided lateral crystallization （FALC）
diffusion
solid phase reaction
grain coarsening
alternating electric field
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分类号
TN304.055
[电子电信—物理电子学]
TN304.8
[电子电信—物理电子学]
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题名非晶硅和非晶硅锗薄膜的金属诱导结晶
被引量：1
- 3
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作者
王光伟
张建民
倪晓昌
李莉
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机构
天津工程师范大学电子工程系
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出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第3期356-366,共11页
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基金
天津市高校科技发展基金项目(No.20060605)
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文摘
分析了金属Ni、Al诱导非晶Si及非晶SiGe薄膜结晶的条件、特点和机理。简要介绍了金属诱导结晶相对于其它一些结晶工艺的优势及其在薄膜晶体管中的应用。概述了影响诱导结晶速率和薄膜微结构的诸多因素,如热处理条件和外加电场等。对电场增强金属诱导横向结晶的相关问题进行了探讨,指出适当强度的电场可显著加快横向诱导结晶的速率,但更强电场则会降低该速率,基于电迁移效应对该现象进行了解释。
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关键词
金属诱导结晶
金属诱导横向结晶
固相反应
扩散
电场增强横向诱导结晶
成核激活能
晶粒生长
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Keywords
metal-induced crystallization
metal-induced lateral crystallization
solid phase reaction
diffusion
electric field aided lateral crystallization
nucleation activation energy
grain coarsening
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分类号
TN304.055
[电子电信—物理电子学]
TN304.8
[电子电信—物理电子学]
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