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电场增强金属诱导侧向晶化制备多晶硅薄膜和薄膜晶体管
被引量：
1
1
作者
曾祥斌
孙小卫
+1 位作者
李俊峰
齐国钧
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第z1期1172-1175,1179,共5页
采用电场增强金属诱导侧向晶化方法获得了结晶良好的多晶硅薄膜,拉曼光谱分析表明侧向扩散区域结晶效果最好,X射线衍射分析表明加电场于两电极之间有促进晶化的作用,可以得到结晶良好的多晶硅薄膜.采用该工艺制备了p沟道薄膜晶体管器件...
采用电场增强金属诱导侧向晶化方法获得了结晶良好的多晶硅薄膜,拉曼光谱分析表明侧向扩散区域结晶效果最好,X射线衍射分析表明加电场于两电极之间有促进晶化的作用,可以得到结晶良好的多晶硅薄膜.采用该工艺制备了p沟道薄膜晶体管器件,其迁移率为65cm2/V·s,开关态电流比为5×106.
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关键词
电场增强晶化
多
晶
硅薄膜
金属诱导
晶
化
薄膜
晶
体管
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职称材料
题名
电场增强金属诱导侧向晶化制备多晶硅薄膜和薄膜晶体管
被引量：
1
1
作者
曾祥斌
孙小卫
李俊峰
齐国钧
机构
华中科技大学
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第z1期1172-1175,1179,共5页
文摘
采用电场增强金属诱导侧向晶化方法获得了结晶良好的多晶硅薄膜,拉曼光谱分析表明侧向扩散区域结晶效果最好,X射线衍射分析表明加电场于两电极之间有促进晶化的作用,可以得到结晶良好的多晶硅薄膜.采用该工艺制备了p沟道薄膜晶体管器件,其迁移率为65cm2/V·s,开关态电流比为5×106.
关键词
电场增强晶化
多
晶
硅薄膜
金属诱导
晶
化
薄膜
晶
体管
分类号
TN321.5 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
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作者
出处
发文年
被引量
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1
电场增强金属诱导侧向晶化制备多晶硅薄膜和薄膜晶体管
曾祥斌
孙小卫
李俊峰
齐国钧
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
1
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