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PbS纳米晶修饰的ZnO/PVP复合电双稳器件阻变机制
1
作者
石庆良
徐建萍
+5 位作者
王雪亮
王有为
姜立芳
朱明雪
洪源
李岚
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第7期846-852,共7页
采用简单旋涂工艺制备了具有ITO/PVP/ZnO NCs/PbS NCs/PVP/Al夹心结构的有机/无机复合电双稳存储器件,与没有PbS纳米晶修饰层的器件ITO/PVP/ZnO NCs/PVP/Al相比,PbS纳米晶的引入使目标器件的开关比提高了2个数量级。结合器件的I-V曲线...
采用简单旋涂工艺制备了具有ITO/PVP/ZnO NCs/PbS NCs/PVP/Al夹心结构的有机/无机复合电双稳存储器件,与没有PbS纳米晶修饰层的器件ITO/PVP/ZnO NCs/PVP/Al相比,PbS纳米晶的引入使目标器件的开关比提高了2个数量级。结合器件的I-V曲线和能级结构分析了PbS纳米晶修饰层对器件阻变和载流子传输的影响。结果显示,PbS纳米晶层的加入不仅优化了器件能级结构,有利于载流子的俘获和释放,还修饰了ZnO纳米晶的表面缺陷,降低了器件载流子的复合损耗。
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关键词
电双稳器件
ZNO纳米晶
阻变机制
PbS纳米晶修饰层
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职称材料
基于PVK/PbS纳米晶有机无机复合薄膜电双稳器件性能研究
2
作者
刘娟
李云白
+2 位作者
侯延冰
王越
吕龙峰
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第7期643-648,共6页
通过简单旋涂方法,制备了一种基于硫化铅(PbS)纳米晶与聚乙烯基咔唑(PVK)的有机/无机复合薄膜电双稳器件,并对所制备的器件进行性能测试及其电荷传输机制研究。首先采用热注入的方法制备了尺寸均一的立方形PbS纳米晶,然后将PbS纳米晶与...
通过简单旋涂方法,制备了一种基于硫化铅(PbS)纳米晶与聚乙烯基咔唑(PVK)的有机/无机复合薄膜电双稳器件,并对所制备的器件进行性能测试及其电荷传输机制研究。首先采用热注入的方法制备了尺寸均一的立方形PbS纳米晶,然后将PbS纳米晶与PVK聚合物混合作为活性层材料,制备了有机/无机复合薄膜电双稳器件。该器件展示了良好的电双稳特性并且可以实现稳定的"读-写-读-擦"操作。器件的最大电流开关比能够达到104。并进一步对器件在正向电压下的I-V曲线进行了理论拟合,发现在不同电流传导状态下,器件符合不同的电传导模型。进而分析了该电双稳器件中的电荷传输机制,认为在电场的作用下,发生在纳米晶与聚合物之间的电场诱导电荷转移是产生电双稳特性的主要原因。
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关键词
有机无机复合薄膜
电双稳器件
开关比
PBS
纳米晶
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职称材料
基于PVP和PbSe三维自组装超晶格复合体系的电双稳器件(英文)
3
作者
张振
钱磊
+1 位作者
韩长峰
滕枫
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第2期207-212,共6页
采用旋涂工艺将Pb Se三维自组装超晶格镶嵌在两层聚合物PVP中,制备了基于PVP和Pb Se三维自组装超晶格复合体系的电双稳器件,器件结构为ITO/PVP/Pb Se三维自组装超晶格/PVP/Al,研究了其电学性能和记忆效应。与参比器件ITO/PVP/Al相比,器...
采用旋涂工艺将Pb Se三维自组装超晶格镶嵌在两层聚合物PVP中,制备了基于PVP和Pb Se三维自组装超晶格复合体系的电双稳器件,器件结构为ITO/PVP/Pb Se三维自组装超晶格/PVP/Al,研究了其电学性能和记忆效应。与参比器件ITO/PVP/Al相比,器件ITO/PVP/Pb Se三维自组装超晶格/PVP/Al的电流-电压特性呈现出非常明显的电双稳特性和非易失记忆行为,在相同的电压下同时具有两种不同的导电状态:低电导的关态和高电导的开态。当PVP与Pb Se超晶格的质量比为1∶1时,器件性能最好,其最大电流开关比为7×104,经过104s仍几乎无衰减。通过对电流-电压曲线拟合,利用不同的导电模型对器件的载流子传输机制进行了解释。结果表明,Pb Se三维自组装超晶格作为电荷陷阱,可以俘获、储存及释放电荷,对器件的电双稳性能能起决定性作用。
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关键词
电双稳器件
PVP
PbSe三维自组装超晶格
载流子输运和记忆机理
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职称材料
题名
PbS纳米晶修饰的ZnO/PVP复合电双稳器件阻变机制
1
作者
石庆良
徐建萍
王雪亮
王有为
姜立芳
朱明雪
洪源
李岚
机构
天津理工大学材料物理研究所
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第7期846-852,共7页
基金
国家自然科学基金(10904109
60977035
+4 种基金
60907021)
天津市自然科学基金(10SYSYJC28100
11JCYBJC00300
14JCZDJC31200)
国家高技术研究发展计划(2013AA014201)资助项目
文摘
采用简单旋涂工艺制备了具有ITO/PVP/ZnO NCs/PbS NCs/PVP/Al夹心结构的有机/无机复合电双稳存储器件,与没有PbS纳米晶修饰层的器件ITO/PVP/ZnO NCs/PVP/Al相比,PbS纳米晶的引入使目标器件的开关比提高了2个数量级。结合器件的I-V曲线和能级结构分析了PbS纳米晶修饰层对器件阻变和载流子传输的影响。结果显示,PbS纳米晶层的加入不仅优化了器件能级结构,有利于载流子的俘获和释放,还修饰了ZnO纳米晶的表面缺陷,降低了器件载流子的复合损耗。
关键词
电双稳器件
ZNO纳米晶
阻变机制
PbS纳米晶修饰层
Keywords
electrical bistable
ZnO nanocrystal
resistance switching mechanism
PbS nanocrystal modification layer
分类号
TB383.1 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
基于PVK/PbS纳米晶有机无机复合薄膜电双稳器件性能研究
2
作者
刘娟
李云白
侯延冰
王越
吕龙峰
机构
北京交通大学理学院物理系
北京交通大学理学院光电子技术研究所
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第7期643-648,共6页
基金
国家自然科学基金(No.61475017
No.61275175)~~
文摘
通过简单旋涂方法,制备了一种基于硫化铅(PbS)纳米晶与聚乙烯基咔唑(PVK)的有机/无机复合薄膜电双稳器件,并对所制备的器件进行性能测试及其电荷传输机制研究。首先采用热注入的方法制备了尺寸均一的立方形PbS纳米晶,然后将PbS纳米晶与PVK聚合物混合作为活性层材料,制备了有机/无机复合薄膜电双稳器件。该器件展示了良好的电双稳特性并且可以实现稳定的"读-写-读-擦"操作。器件的最大电流开关比能够达到104。并进一步对器件在正向电压下的I-V曲线进行了理论拟合,发现在不同电流传导状态下,器件符合不同的电传导模型。进而分析了该电双稳器件中的电荷传输机制,认为在电场的作用下,发生在纳米晶与聚合物之间的电场诱导电荷转移是产生电双稳特性的主要原因。
关键词
有机无机复合薄膜
电双稳器件
开关比
PBS
纳米晶
Keywords
organic-inorganic nanocomposite films
electrical bistable devices
ON/OFF current ratio
PbS nanocrystals
分类号
O472.4 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
基于PVP和PbSe三维自组装超晶格复合体系的电双稳器件(英文)
3
作者
张振
钱磊
韩长峰
滕枫
机构
北京交通大学发光与光信息教育部重点实验室
苏州瑞晟太阳能有限公司
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第2期207-212,共6页
基金
国家自然科学基金(61377028,61475014,61475017)资助项目~~
文摘
采用旋涂工艺将Pb Se三维自组装超晶格镶嵌在两层聚合物PVP中,制备了基于PVP和Pb Se三维自组装超晶格复合体系的电双稳器件,器件结构为ITO/PVP/Pb Se三维自组装超晶格/PVP/Al,研究了其电学性能和记忆效应。与参比器件ITO/PVP/Al相比,器件ITO/PVP/Pb Se三维自组装超晶格/PVP/Al的电流-电压特性呈现出非常明显的电双稳特性和非易失记忆行为,在相同的电压下同时具有两种不同的导电状态:低电导的关态和高电导的开态。当PVP与Pb Se超晶格的质量比为1∶1时,器件性能最好,其最大电流开关比为7×104,经过104s仍几乎无衰减。通过对电流-电压曲线拟合,利用不同的导电模型对器件的载流子传输机制进行了解释。结果表明,Pb Se三维自组装超晶格作为电荷陷阱,可以俘获、储存及释放电荷,对器件的电双稳性能能起决定性作用。
关键词
电双稳器件
PVP
PbSe三维自组装超晶格
载流子输运和记忆机理
Keywords
electrical bistable devices
PVP
three dimensional self-assembled PbSe superlattices
carrier transport and memory mechanisms
分类号
O472.4 [理学—半导体物理]
O469 [理学—凝聚态物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
PbS纳米晶修饰的ZnO/PVP复合电双稳器件阻变机制
石庆良
徐建萍
王雪亮
王有为
姜立芳
朱明雪
洪源
李岚
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
基于PVK/PbS纳米晶有机无机复合薄膜电双稳器件性能研究
刘娟
李云白
侯延冰
王越
吕龙峰
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2016
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
基于PVP和PbSe三维自组装超晶格复合体系的电双稳器件(英文)
张振
钱磊
韩长峰
滕枫
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017
0
在线阅读
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职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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