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题名电压门控性钾通道与认知功能障碍的研究进展
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作者
颜文慧
王萌
陈莉娜
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机构
西安交通大学医学部基础医学院药理学系
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出处
《医学研究生学报》
CAS
北大核心
2015年第11期1218-1222,共5页
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基金
国家自然科学基金(81471031)
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文摘
认知功能障碍患者的增多给社会、家庭带来了沉重的精神和经济负担。电压门控性钾通道(voltage-gated potassium channels,Kv)主要分为延迟整流钾通道和瞬时外向钾通道,参与认知功能障碍的发生。文中对Kv通道与认知功能障碍,以及Kv通道与在学习和记忆过程中起重要作用的N-甲基-D-天冬氨酸(N-methyl-D-aspartic acid,NMDA)受体之间的关系作一综述。
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关键词
认知功能障碍
电压门控性钾通道
延迟整流钾通道
瞬时外向钾通道
NMDA受体
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Keywords
Cognitive dysfunction
Voltage-gated potassium channel
Delayed rectifier potassium channel
Transient outward potassium channel
N-methyl-D-aspartic acid receptor
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分类号
R749
[医药卫生—神经病学与精神病学]
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题名电压门控性阳离子通道的分子结构与机能
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作者
蓝庭剑
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机构
华西医科大学生理学教研室
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出处
《四川生理科学杂志》
1995年第Z1期109-115,共7页
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文摘
通过eDNA克隆和测序,已揭示了电压门控性阳离子通道的一级结构,对其二、三级结构也进行了探讨。已知这类通道的主亚单位由四个同源结构域组成,在空间上以近似对称方式排列,中间形成选择性离子孔道。每一同源重复体含6个跨膜片断(S1～S6),还有两个附加片段SS1和SS2位于S5和S6之间。S4能“感受”跨膜电位变化,使带正电荷的残基向外旋转移动,产生瞬时门控电流,引起构型变化使通道打开。通道的失活则与重复体Ⅲ、Ⅳ之间带正电荷的胞浆侧结构有关。它在去极化构型变化之后产生继发的变化,从胞浆侧阻断已打开的通道口。SS1和SS2则与通道的选择性和门控机制有关。
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关键词
子结构
电压门控性钙通道
钠通道
阳离子通道
电压门控性钾通道
亚单位
电压门控性离子通道
选择性
失活
氨基酸残基
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分类号
R33
[医药卫生—人体生理学]
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