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基于混合离散粒子群优化的Slew约束下X结构Steiner最小树算法
被引量：
6
1
作者
刘耿耿
黄逸飞
+2 位作者
王鑫
郭文忠
陈国龙
《计算机学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第12期2542-2559,共18页
Steiner最小树是超大规模集成电路中布线阶段的最佳模型,进一步考虑能够有效防止信号失真的电压转换速率(Slew)约束这一个更为贴近实际芯片设计模型和更具线长优化能力的X结构,首次提出基于混合离散粒子群优化的Slew约束下X结构Steiner...
Steiner最小树是超大规模集成电路中布线阶段的最佳模型,进一步考虑能够有效防止信号失真的电压转换速率(Slew)约束这一个更为贴近实际芯片设计模型和更具线长优化能力的X结构,首次提出基于混合离散粒子群优化的Slew约束下X结构Steiner最小树算法.首先,为了避免频繁的Slew约束计算,提出了高效的预处理策略,并且提出一种能够有效考虑Slew约束的针对性的惩罚机制.其次,为了能够有效求解该离散问题,基于遗传算子重新设计了粒子群优化算法的离散更新机制,并提出一种更适合遗传算子的引脚对编码方式.然后,为了进一步优化布线树的长度,提出一种有效的精炼策略.最终,提出一种混合修正策略以完全满足Slew约束.实验表明,所提算法可完全满足电压转换速率约束并取得同类工作中最佳的布线结果.
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关键词
粒子群优化
STEINER树
电压转换速率
约束
X结构
超大规模集成电路
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职称材料
用于GaN驱动芯片的低功耗高可靠高侧供电电路
被引量：
1
2
作者
胡一凡
王勇
+3 位作者
孔瀛
王瑛
彭领
李易昂
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第5期389-396,402,共9页
高侧供电电路对GaN驱动芯片的可靠性和功耗有非常重要的影响。设计并实现了一种低功耗高可靠的高侧供电电路。考虑到GaN器件的低栅源击穿电压及其反向导通特性,通过自举钳位稳压设计将低压差线性稳压器(LDO)直接搭建在高侧通路以实现对...
高侧供电电路对GaN驱动芯片的可靠性和功耗有非常重要的影响。设计并实现了一种低功耗高可靠的高侧供电电路。考虑到GaN器件的低栅源击穿电压及其反向导通特性,通过自举钳位稳压设计将低压差线性稳压器(LDO)直接搭建在高侧通路以实现对GaN器件栅源电压的保护,此外通过设计抗高侧地HS负压的电平位移电路以实现在高频、高噪声条件下GaN驱动芯片能够正常工作。该高侧供电电路基于0.18μm BCD工艺设计并流片,测试结果表明,集成该高侧供电电路的GaN驱动芯片的高侧输出端能够在最大90 V/ns的电压转换速率或最小25 ns脉宽的输入脉冲下输出最大压差5 V的方波信号,具有良好的性能。
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关键词
GAN
栅极驱动器
高侧供电电路
电压转换速率
电平位移电路
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职称材料
题名
基于混合离散粒子群优化的Slew约束下X结构Steiner最小树算法
被引量：
6
1
作者
刘耿耿
黄逸飞
王鑫
郭文忠
陈国龙
机构
福州大学计算机与大数据学院
福建省网络计算与智能信息处理重点实验室
天津大学智能与计算学部
天津市认知计算与应用重点实验室
出处
《计算机学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第12期2542-2559,共18页
基金
国家自然科学基金(61877010,11501114)
国家重点基础研究发展计划(2011CB808000)
+1 种基金
计算机体系结构国家重点实验室开放课题(CARCIIB202014)
福建省自然科学基金(2019J01243)资助。
文摘
Steiner最小树是超大规模集成电路中布线阶段的最佳模型,进一步考虑能够有效防止信号失真的电压转换速率(Slew)约束这一个更为贴近实际芯片设计模型和更具线长优化能力的X结构,首次提出基于混合离散粒子群优化的Slew约束下X结构Steiner最小树算法.首先,为了避免频繁的Slew约束计算,提出了高效的预处理策略,并且提出一种能够有效考虑Slew约束的针对性的惩罚机制.其次,为了能够有效求解该离散问题,基于遗传算子重新设计了粒子群优化算法的离散更新机制,并提出一种更适合遗传算子的引脚对编码方式.然后,为了进一步优化布线树的长度,提出一种有效的精炼策略.最终,提出一种混合修正策略以完全满足Slew约束.实验表明,所提算法可完全满足电压转换速率约束并取得同类工作中最佳的布线结果.
关键词
粒子群优化
STEINER树
电压转换速率
约束
X结构
超大规模集成电路
Keywords
particle swarm optimization
Steiner tree
slew constraints
X-architecture
VLSI
分类号
TP18 [自动化与计算机技术—控制理论与控制工程]
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职称材料
题名
用于GaN驱动芯片的低功耗高可靠高侧供电电路
被引量：
1
2
作者
胡一凡
王勇
孔瀛
王瑛
彭领
李易昂
机构
北京微电子技术研究所
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第5期389-396,402,共9页
文摘
高侧供电电路对GaN驱动芯片的可靠性和功耗有非常重要的影响。设计并实现了一种低功耗高可靠的高侧供电电路。考虑到GaN器件的低栅源击穿电压及其反向导通特性,通过自举钳位稳压设计将低压差线性稳压器(LDO)直接搭建在高侧通路以实现对GaN器件栅源电压的保护,此外通过设计抗高侧地HS负压的电平位移电路以实现在高频、高噪声条件下GaN驱动芯片能够正常工作。该高侧供电电路基于0.18μm BCD工艺设计并流片,测试结果表明,集成该高侧供电电路的GaN驱动芯片的高侧输出端能够在最大90 V/ns的电压转换速率或最小25 ns脉宽的输入脉冲下输出最大压差5 V的方波信号,具有良好的性能。
关键词
GAN
栅极驱动器
高侧供电电路
电压转换速率
电平位移电路
Keywords
GaN
gate driver
high-side supply circuit
slew rate
level shift circuit
分类号
TN786 [电子电信—电路与系统]
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于混合离散粒子群优化的Slew约束下X结构Steiner最小树算法
刘耿耿
黄逸飞
王鑫
郭文忠
陈国龙
《计算机学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
6
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
用于GaN驱动芯片的低功耗高可靠高侧供电电路
胡一凡
王勇
孔瀛
王瑛
彭领
李易昂
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023
1
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职称材料
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