90nm CMOS工艺下电压触发的ESD检测电路 被引量：2

1

作者 杨兆年 刘红侠 +1 位作者 朱嘉 费晨曦 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期54-60,共7页

提出两种90nm 1VCMOS工艺下电压触发的静电放电检测电路.电压触发的静电检测电路避免了纳米级工艺中的MOS电容栅极漏电问题.该检测电路包含一个反馈回路,提高了检测电路的触发效率,同时增加了反馈关断机制,在芯片工作时检测电路由于某... 提出两种90nm 1VCMOS工艺下电压触发的静电放电检测电路.电压触发的静电检测电路避免了纳米级工艺中的MOS电容栅极漏电问题.该检测电路包含一个反馈回路,提高了检测电路的触发效率,同时增加了反馈关断机制,在芯片工作时检测电路由于某些特殊因素误触发后,仍然可以自行关断,而不会进入闩锁状态.在3V静电放电仿真时,该电路能产生28mA触发电流,以开启箝位器件来泄放静电电荷.在25℃正常电压下工作时,漏电流仅为42(45)nA.仿真结果表明,该检测电路可成功用于纳米级CMOS工艺的集成电路静电保护. 展开更多

关键词 反馈 检测电路 静电放电 电压触发

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基于SCR的ESD器件低触发电压设计 被引量：8

2

作者 李冰 杨袁渊 董乾 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期561-565,共5页

设计和验证了三种低电压触发的SCR结构ESD保护电路,采用上华0.5μmCMOS工艺流片,测试表明,所有的器件都具有低电压触发特性,在器件宽度只有50μm的条件下,能达到400V正向机器模式的ESD性能。实验中发现了意外失效情况,文章给出了分析。

关键词 静电释放 可控硅 低触发电压

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巧用万用表测量发动机触发电压

3

作者 李引生 《摩托车》 2002年第10期43-43,共1页

关键词 万用表 测量 发动机 触发电压 摩托车 维修

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直流叠加脉冲电压下FLTD气体开关击穿特性 被引量：4

4

作者 魏浩 孙凤举 +4 位作者 姜晓峰 刘鹏 党腾飞 王志国 尹佳辉 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期247-251,共5页

分析了直流叠加脉冲电压（定义为复合电压）下次级感应电压触发快脉冲直线变压器驱动源（FLTD）中气体开关击穿延时过程,给出了击穿延时的估算公式.初步实验研究了FLTD用三电极气体开关在复合电压作用下的击穿特性,结果表明：在＆#177;7... 分析了直流叠加脉冲电压（定义为复合电压）下次级感应电压触发快脉冲直线变压器驱动源（FLTD）中气体开关击穿延时过程,给出了击穿延时的估算公式.初步实验研究了FLTD用三电极气体开关在复合电压作用下的击穿特性,结果表明：在＆#177;70 kV直流充电电压叠加300 kV/30 ns快脉冲电压的复合电压作用下,气体开关的击穿延时小于相同工作系数下常规触发方式的击穿延时,采用SF6气体绝缘时,击穿延时较常规触发方式减小了17％～30％;采用N2绝缘时,减小了约50％,开关工作系数为55％时,击穿延时抖动小于5 ns;理论估算的复合电压下击穿延时与实测结果基本吻合. 展开更多

关键词 快脉冲直线变压器驱动源 次级感应电压触发 直流叠加脉冲电压 击穿延时

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多间隙气体开关触发放电过程及击穿抖动 被引量：6

5

作者 丛培天 邱爱慈 +3 位作者 孙铁平 盛亮 李阳 张美 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期1303-1306,共4页

实验研究了开关闭合抖动随欠压比和脉冲触发电压的变化关系,利用紫外光纤探测器测量不同间隙放电时延,分析了放电过程对多间隙开关闭合抖动的影响,并研究采用预电离方法降低开关触发电压。实验表明:开关抖动随脉冲触发电压与欠压比的乘... 实验研究了开关闭合抖动随欠压比和脉冲触发电压的变化关系,利用紫外光纤探测器测量不同间隙放电时延,分析了放电过程对多间隙开关闭合抖动的影响,并研究采用预电离方法降低开关触发电压。实验表明:开关抖动随脉冲触发电压与欠压比的乘积增大呈指数下降趋势;当触发电压和欠压比的乘积大于33kV时,开关抖动小于5ns;乘积大于45kV时,开关抖动降到3ns以下并趋于饱和;对六间隙气体开关抖动的贡献,触发间隙占30%～40%,其余5个间隙为60%～70%;欠压比和触发电压对触发间隙击穿抖动的影响最大,对随后放电的3个间隙影响较小,对最后2个间隙几乎无影响;当欠压比大于57%时,采用预电离措施使开关的触发电压降低了10kV以上。 展开更多

关键词 气体开关 欠压比 闭合抖动 触发电压 光纤探测器

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辉光放电触发赝火花开关的时延及抖动特性 被引量：4

6

作者 秦风 常安碧 +2 位作者 丁恩燕 金晓 罗敏 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期1402-1406,共5页

设计了一种辉光放电触发赝火花开关,对其时延和抖动特性进行系统研究。研究了开关时延、抖动与辉光放电电流、气压、触发电压及阳极电压的关系。当辉光放电电流小于0.30 mA时,开关无法触发导通;当电流为0.35～0.60 mA时,随辉光放电电流... 设计了一种辉光放电触发赝火花开关,对其时延和抖动特性进行系统研究。研究了开关时延、抖动与辉光放电电流、气压、触发电压及阳极电压的关系。当辉光放电电流小于0.30 mA时,开关无法触发导通;当电流为0.35～0.60 mA时,随辉光放电电流的增大,开关时延、抖动减小;当辉光放电电流为0.60 mA时,开关时延、抖动基本不变,出现饱和。当氦气气压低于6 Pa,开关难以触通,与理论计算值6.95 Pa吻合;当氦气气压为6～12 Pa时,开关的时延、抖动随气压的升高而减小;气压为12～30 Pa时,开关工作在比较稳定的状态。当触发电压小于3 kV,开关难以触通;随着触发电压的增大,开关时延、抖动减小;当触发电压大于5.3kV,开关时延、抖动基本保持不变。开关在稳定工作条件下,阳极电压在8～25 kV范围内变化时;开关时延基本不变。 展开更多

关键词 赝火花开关 时延 抖动 辉光放电电流 触发电压 阳极电压

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高触发信号和功率合成的高峰值功率皮秒脉冲源 被引量：3

7

作者 张雅茹 陈袭 +2 位作者 李杨 杨宏春 魏召唤 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2022年第6期118-125,共8页

对于目标的攻击、干扰和探测,超宽带时域脉冲源的幅值直接影响其攻击、干扰和探测的强度和效果。基于雪崩晶体管的Marx电路被广泛应用在产生此类信号源上,传统的Marx电路可以一定程度上提高输出电压的幅值,但由于雪崩晶体管功率容量较... 对于目标的攻击、干扰和探测,超宽带时域脉冲源的幅值直接影响其攻击、干扰和探测的强度和效果。基于雪崩晶体管的Marx电路被广泛应用在产生此类信号源上,传统的Marx电路可以一定程度上提高输出电压的幅值,但由于雪崩晶体管功率容量较低等原因,雪崩晶体管的Marx电路输出电压幅度会随级数增加而达到饱和。针对此类问题,为了产生更高幅值的脉冲信号,综合采用提高触发信号和使用宽带功率合成器的手段。最终利用26级Marx电路作为触发信号,4路40级Marx电路进行功率合成的方法,实现了输出电压幅值为8.7 kV、上升沿约为180 ps的技术指标,并通过机理分析了高触发信号对雪崩晶体管Marx电路的影响,通过实验得到了印证。 展开更多

关键词 高电压触发信号 高功率脉冲源 皮秒脉冲源 雪崩三极管 MARX电路

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低压动态无功补偿装置可控硅触发电路的改进 被引量：1

8

作者 王鹏 纪延超 《节能技术》 CAS 1998年第3期6-8,10,共4页

本文对低压动态无功补偿装置的可控硅触发电路进行了改进，以集成芯片取代了由分立元件组成的同步、功放及脉冲变压器等环节，使触发电路的结构大为简化，提高了装工的可靠性，降低了成本，为新一代低压动补装五的推广应用奠定了基础。

关键词 动态无功补偿 可控硅 电压过零触发 无功补偿

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阵列微孔阴极放电触发的纳秒脉冲开关 被引量：2

9

作者 滕亚青 刘克富 +1 位作者 邱剑 饶俊峰 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期621-624,共4页

为了实现在大气压下低触发电压的多通道放电,以阵列微孔阴极结构作为触发装置设计了一种新型纳秒脉冲开关。以激光打孔的双面环氧板为阵列微孔阴极,研究了开关工作系数、微孔阴极放电电流、微孔阴极孔数及微孔阴极孔径对开关触发电压、... 为了实现在大气压下低触发电压的多通道放电,以阵列微孔阴极结构作为触发装置设计了一种新型纳秒脉冲开关。以激光打孔的双面环氧板为阵列微孔阴极,研究了开关工作系数、微孔阴极放电电流、微孔阴极孔数及微孔阴极孔径对开关触发电压、延迟和抖动时间的影响。实验结果表明:更多的阵列微孔、100μm的微孔孔径能够降低开关的触发电压,同时高开关工作系数、大触发电流、多阵列微孔能够减少开关的延迟和抖动时间。因此,为了获得更高性能的纳秒脉冲开关,除了对开关结构的进一步改善,这几个影响开关性能的因素是设计开关时应主要考虑的。 展开更多

关键词 阵列微孔阴极放电 纳秒脉冲开关 触发电压 延迟和抖动时间 多通道放电

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一种用于ESD保护的SCR触发电路

10

作者 邵红 张森 +1 位作者 齐钊 乔明 《电子与封装》 2017年第10期26-30,共5页

介绍一种检测ESD电压并输出触发或关断信号的电路结构。通过对ESD脉冲的上升沿进行分辨,然后输出触发信号从而触发SCR钳位器件对内部电路进行保护,并在ESD脉冲结束时对脉冲下降沿进行检测,从而输出关断信号关断SCR钳位器件,防止闩锁效... 介绍一种检测ESD电压并输出触发或关断信号的电路结构。通过对ESD脉冲的上升沿进行分辨,然后输出触发信号从而触发SCR钳位器件对内部电路进行保护,并在ESD脉冲结束时对脉冲下降沿进行检测,从而输出关断信号关断SCR钳位器件,防止闩锁效应的发生。仿真结果显示,该电路能较好地检测ESD脉冲的上升沿或下降沿而输出不同的信号,从而能降低SCR钳位器件的触发电压,并防止闩锁效应。 展开更多

关键词 ESD防护 触发电路 触发电压 闩锁效应

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一种经济实用的时序控制器

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作者 杜雪芳 魏臻 陆阳 《电子技术应用》 北大核心 1996年第12期32-33,48,共3页

介绍一种采用EPROM、可控硅等元件组成的程序可变化、可重写并可直接控制强电通断的电路.

关键词 存储器 零电压触发 强电开关 时序控制器

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1.2MJ能源模块中两电极气体开关开通特性 被引量：2

12

作者 曾晗 李黎 +3 位作者 刘刚 胡冠 刘宁 林福昌 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期799-802,共4页

在新的强激光能源系统中,采用了一种大电荷转移量同轴结构的两电极气体开关。为了研究气体开关的开通过程,采用仿真软件ATP与PSCAD分别对该开关在开通过程中的某些特征参量对开通特性的影响进行了仿真分析和研究,提出了一种用于模拟气... 在新的强激光能源系统中,采用了一种大电荷转移量同轴结构的两电极气体开关。为了研究气体开关的开通过程,采用仿真软件ATP与PSCAD分别对该开关在开通过程中的某些特征参量对开通特性的影响进行了仿真分析和研究,提出了一种用于模拟气体开关开通过程的模型,并由此得到了触发电压与导通能量之间的关系曲线,并从中得出结论,触发能量对气体开关导通的影响不大。 展开更多

关键词 气体开关 导通模型 触发电压 导通能量

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基于0.5μm BCD工艺的双向SCR结构的ESD保护设计 被引量：2

13

作者 梁海莲 董树荣 +2 位作者 顾晓峰 李明亮 韩雁 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期2046-2050,共5页

针对双向可控硅(DDSCR)在特征尺寸不断缩小的集成电路中,难以达到窄小静电放电(ESD)设计窗口的ESD防护需求,设计一种PMOS内嵌型浮栅DDSCR(GFDDSCR)ESD保护器件,并基于0.5μm Bipolar-CMOSDMOS工艺进行制备.利用传输线脉冲测试研究不同... 针对双向可控硅(DDSCR)在特征尺寸不断缩小的集成电路中,难以达到窄小静电放电(ESD)设计窗口的ESD防护需求,设计一种PMOS内嵌型浮栅DDSCR(GFDDSCR)ESD保护器件,并基于0.5μm Bipolar-CMOSDMOS工艺进行制备.利用传输线脉冲测试研究不同关键尺寸的GFDDSCR的ESD特性及单位面积ESD防护能力,分析器件ESD特性随关键尺寸变化的规律,得到优化的GFDDSCR的结构参数.结果表明,与DDSCR的改进型结构(IBDSCR)相比,优化的GFDDSCR触发电压下降了27%,电压回滞幅度减小了53%,维持电压和失效电流基本不变,能够满足微纳米级集成电路窄小ESD设计窗口的需求. 展开更多

关键词 静电放电 双向可控硅 触发电压 维持电压 失效电流

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压缩线法确定压缩上止点的研究 被引量：5

14

作者 刘浩龙 汤东 +2 位作者 陆玲亚 王晓勇 罗福强 《农机化研究》 北大核心 2005年第3期109-111,共3页

示功图是发动机的综合性能的体现,由测得的发动机示功图进行参数计算和燃烧分析,对于评估发动机的性能以及再设计和维修发动机都有十分重要的意义。在示功图测量分析中,精确标定上止点相位是必不可少的重要环节。为此,对上止点相位的确... 示功图是发动机的综合性能的体现,由测得的发动机示功图进行参数计算和燃烧分析,对于评估发动机的性能以及再设计和维修发动机都有十分重要的意义。在示功图测量分析中,精确标定上止点相位是必不可少的重要环节。为此,对上止点相位的确定进行了研究,设计了压缩线法确定上止点的计算机算法,测量分析了触发电压及倒拖转速对压缩上止点的影响。结果表明:转速较低时,压缩上止点位置变化比较大;转速大于1200r/min时,压缩上止点位置趋于稳定。 展开更多

关键词 发动机 示功图 上止点 压缩线法 触发电压 倒拖转速 计算机算法

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PT—400型电弧喷涂电源的研制

15

作者 张连福 王静 +1 位作者 周少辉 刘安平 《煤矿机械》 2000年第3期35-36,共2页

介绍PT— 4 0 0型电弧喷涂电源的结构、原理、参数、特点及该电源的应用。

关键词 喷涂电源 喷涂 涂层 正电压触发 电弧喷涂电源

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NMOS器件ESD特性模拟

16

作者 郑若成 孙锋 吴金 《电子与封装》 2008年第3期18-21,共4页

NMOS管I-V曲线在ESD(electrostatic discharges)脉冲电流作用下呈现出反转特性,其维持电压VH、维持电流IH、触发电压VB、触发电流IB以及二次击穿电流等参数将会影响NMOS管器件的抗ESD能力。文章通过采用SILVACO软件,对1.0μm工艺不同沟... NMOS管I-V曲线在ESD(electrostatic discharges)脉冲电流作用下呈现出反转特性,其维持电压VH、维持电流IH、触发电压VB、触发电流IB以及二次击穿电流等参数将会影响NMOS管器件的抗ESD能力。文章通过采用SILVACO软件,对1.0μm工艺不同沟长和工艺条件的NMOS管静电放电时的峰值电场、晶格温度以及VH进行了模拟和分析。模拟发现,在ESD触发时,增加ESD注入工艺将使结峰值场强增强,VH减小、VB减小,晶格温度降低;器件沟长和触发电压VB具有明显正相关特性,但对VH基本无影响。最后分析认为NMOS管ESD失效主要表现为高电流引起的热失效,而电场击穿引起的介质失效是次要的。 展开更多

关键词 峰值场强 触发电压VB 维持电压VH 晶格温度 二次击穿电流

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新型VBO接口芯片静电放电防护器件 被引量：4

17

作者 徐泽坤 沈宏宇 +2 位作者 胡涛 李响 董树荣 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第4期794-800,共7页

为了改进VBO接口电路静电放电(ESD)防护器件性能,提出2种新的ESD防护器件:栅二极管与面积效率二极管触发可控硅整流器(SCR).采用SMIC 40 nm CMOS工艺与SMIC 28 nm PS CMOS工艺制备传统二极管、栅二极管、面积效率SCR;通过半导体工艺及... 为了改进VBO接口电路静电放电(ESD)防护器件性能,提出2种新的ESD防护器件:栅二极管与面积效率二极管触发可控硅整流器(SCR).采用SMIC 40 nm CMOS工艺与SMIC 28 nm PS CMOS工艺制备传统二极管、栅二极管、面积效率SCR;通过半导体工艺及器件模拟工具(TCAD)进行仿真,分析电流密度;通过传输线脉冲测试(TLP)方法,测试不同结构ESD防护器件的Ⅰ-Ⅴ特性.栅二极管的ESD鲁棒性为19.7 mA/μm,导通电阻为1.28Ω,相较于传统二极管降低了38.8%.面积效率二极管触发SCR触发电压为1.82 V,鲁棒性为48.1 mA/μm,相较于传统二极管提升了174.8%.测试结果表明,栅二极管与ASCR和传统ESD器件相比,性能有极大的提升,适合用作VBO接口芯片的ESD防护. 展开更多

关键词 静电放电(ESD) VBO 可控硅整流器(SCR) 面积效率 触发电压

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TSC动态无功补偿技术在工业企业的应用

18

作者 闫家彬 《通信电源技术》 2020年第24期70-73,共4页

晶闸管动态无功功率补偿装置(Thyristor Switched Capacitor,TSC)是一种新型电容补偿柜,是无功补偿领域的更新换代产品,近几年在工业企业得到广泛应用。TSC装置的关键技术是对电容器投切开关晶闸管的触发控制,装置解决了晶闸管投切电容... 晶闸管动态无功功率补偿装置(Thyristor Switched Capacitor,TSC)是一种新型电容补偿柜,是无功补偿领域的更新换代产品,近几年在工业企业得到广泛应用。TSC装置的关键技术是对电容器投切开关晶闸管的触发控制,装置解决了晶闸管投切电容器的投切判据检测和零电压触发问题,实现了电容器的频繁投切和快速反应,在确保装置安全可靠的基础上达到良好的无功功率补偿效果。在此主要介绍了TSC装置电容器投切过程中对电力系统无功功率检测、晶闸管触发电路零电压投入以及TSC控制结构等关键问题的解决方案。 展开更多

关键词 动态无功补偿 投切判据检测 零电压触发

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大电流冲击放电装置的同步运行实验研究

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作者 崔岳峰 文松林 《沈阳工业学院学报》 2003年第2期12-15,共4页

在实验测量取得了触发脉冲波形和间隙开关动作特性等参数的基础上 ,分别对由两个间隙开关及三个间隙开关组成并联系统的大电流冲击放电装置进行了同步运行实验 .对系统的同步状况进行了测量和分析 ,研究了工作电压和触发电压对系统同步... 在实验测量取得了触发脉冲波形和间隙开关动作特性等参数的基础上 ,分别对由两个间隙开关及三个间隙开关组成并联系统的大电流冲击放电装置进行了同步运行实验 .对系统的同步状况进行了测量和分析 ,研究了工作电压和触发电压对系统同步的影响 。 展开更多

关键词 大电流冲击放电装置 同步运行实验 间隙开关 工作电压 触发电压 工作原理 充电回路 触发回路 放电回路 测量回路 冲击电流 隔离间隙

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高压SOI工艺SCR ESD保护器件研究 被引量：1

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作者 陈富涛 陶绪友 季惠才 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2017年第5期355-360,共6页

针对ESD保护器件SCR的维持电压和触发电压难以调整的问题,设计了一种SCR版图形式,这种新型的SCR版图形式可以将维持电压和触发电压进行最优化的调整,同时不改变原有的高压工艺的特点。从而解决了在高压ESD保护领域,使用SCR做ESD保护器... 针对ESD保护器件SCR的维持电压和触发电压难以调整的问题,设计了一种SCR版图形式,这种新型的SCR版图形式可以将维持电压和触发电压进行最优化的调整,同时不改变原有的高压工艺的特点。从而解决了在高压ESD保护领域,使用SCR做ESD保护器件容易引入闩锁效应的问题,是目前高压ESD保护领域较好的解决方案。 展开更多

关键词 静电放电 可控硅整流元件 维持电压 触发电压

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