多孔硅的形成与电流电压特性研究

1

作者 沈桂芬 黄和鸾 +3 位作者 王正荣 高博静 刘岩 郭兴加 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第1期50-54,共5页

本文在很宽的导电范围内采用阳极氧化方法形成多孔硅。用ＳＥＭ观测了多了孔硅形貌、性质与腐蚀时间的关系。研究了四种不同掺杂的Ｓｉ－ＨＦ系统的电流－电压特性。

关键词 多孔硅 阳极氧化 量子限制效应 电流-电压特性

在线阅读 下载PDF 职称材料

测量LED/LD功率-电压-电流特性的装置 被引量：1

2

作者 陈彤 蔡长龙 《西安工业学院学报》 2001年第4期326-328,共3页

为了测量LED/LD的功率 电压 电流特性曲线 ,合理选择其工作点 ,设计了一种采用集成运算放大器的测量电路 ,其中包括电流源、稳压、调节等部分 .经实验 ,由所得数据做出的LED/LD的功率 电压 电流 (P U I)特性曲线与其理论曲线相符 ,... 为了测量LED/LD的功率 电压 电流特性曲线 ,合理选择其工作点 ,设计了一种采用集成运算放大器的测量电路 ,其中包括电流源、稳压、调节等部分 .经实验 ,由所得数据做出的LED/LD的功率 电压 电流 (P U I)特性曲线与其理论曲线相符 ,从而说明本测量电路设计的可行性 . 展开更多

关键词 P-U-I特性 发光二极管 LED 激光二极管 LD 光纤通信 设计 测量电路 UCI 电压-电流特性 压控电流源 UCI 光功率-电流

在线阅读 下载PDF 职称材料

双注入结型场效应管的电流-电压特性

3

作者 曾云 颜永红 +2 位作者 陈迪平 曾健平 张衡 《半导体情报》 1998年第2期41-44,共4页

对新型半导体器件——双注入结型场效应管的电流－电压特性进行了详细分析，并得出解析表达式，为该器件的设计和应用提供了理论依据。

关键词 双注入 结型 场效应晶体管 电流-电压特性

在线阅读 下载PDF 职称材料

大功率660nm半导体激光器的电流电压特性

4

作者 朱振 李沛旭 +2 位作者 张新 王钢 徐现刚 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第9期661-665,共5页

利用Zn扩散形成非吸收窗口技术,制备了大功率红光660 nm半导体激光器。对封装后的器件进行电流电压(I-V)特性测试。由于材料本身串联电阻的影响,半导体激光器的I-V曲线不再符合理想二极管I-V特性方程。通过数据拟合,得到半导体激光器的... 利用Zn扩散形成非吸收窗口技术,制备了大功率红光660 nm半导体激光器。对封装后的器件进行电流电压(I-V)特性测试。由于材料本身串联电阻的影响,半导体激光器的I-V曲线不再符合理想二极管I-V特性方程。通过数据拟合,得到半导体激光器的串联电阻约为0.5Ω。测试中还发现了两种异常I-V曲线,分别源于器件并联电阻及寄生二极管的影响。对每种I-V曲线建立了电路模型,并推导了I-V特性方程。分析认为制作过程中的金属工艺、烧结工艺和Zn扩散工艺等都会影响半导体激光器的电流分布及I-V特性。I-V特性测试可以用于半导体激光器的工艺监控与失效分析等。 展开更多

关键词 半导体激光器 ZN扩散 电流电压特性 理想二极管 寄生效应

在线阅读 下载PDF 职称材料

AT供电系统接触网在线防冰电流的决策与控制 被引量：6

5

作者 郭蕾 高晓杰 李群湛 《西南交通大学学报》 EI CSCD 北大核心 2014年第6期1045-1051,共7页

为了保障行车安全,消除接触网覆冰,针对电气化铁路AT(autotransformer)供电系统特殊的长回路和短回路结构,建立防冰系统投入后AT供电系统的电路模型.用该模型分析各AT段内防冰电流和负载电流的分布,得到保障全线防冰所需电流值;根据防... 为了保障行车安全,消除接触网覆冰,针对电气化铁路AT(autotransformer)供电系统特殊的长回路和短回路结构,建立防冰系统投入后AT供电系统的电路模型.用该模型分析各AT段内防冰电流和负载电流的分布,得到保障全线防冰所需电流值;根据防冰电流与供电臂末端电压的关系,得出了牵引网压允许的防冰电流值;在此基础上,制定了以温度为目标的在线防冰电流决策流程.以某AT供电区段为例,结合实测负荷数据进行了仿真,结果表明:投入的防冰电流值至少为接触网临界防冰电流值的2倍,才能使接触线表面温度维持在0℃以上. 展开更多

关键词 接触网 在线防冰 AT供电 电流决策 电压电流特性

在线阅读 下载PDF 职称材料

AlGaInP DH-LED的pn结特性 被引量：2

6

作者 高丹 梁静秋 +3 位作者 梁中翥 田超 秦余欣 王维彪 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期1213-1218,共6页

针对AlGaInP DH-LED的pn结特性进行了理论分析,得出电流密度J与电压V的关系。通过Matlab进行模拟分析,结果表明:当温度(300 K)一定时,在电压较小的情况下,电流密度成直线形式增大;当电压增大到一定值时,电流密度成对数形式增大;当电压... 针对AlGaInP DH-LED的pn结特性进行了理论分析,得出电流密度J与电压V的关系。通过Matlab进行模拟分析,结果表明:当温度(300 K)一定时,在电压较小的情况下,电流密度成直线形式增大;当电压增大到一定值时,电流密度成对数形式增大;当电压过大时,电流密度几乎不增大。随着电压的升高,器件产生焦耳热增多,影响器件的工作特性,最终缩短LED的寿命。综合考虑,最后得出理论上的最佳发光驱动电压范围为2~2.33 V。 展开更多

关键词 ALGAINP 电压电流特性 PN结 简并半导体

在线阅读 下载PDF 职称材料

非均匀辐照下TCT结构光伏阵列输出特性研究 被引量：6

7

作者 丁坤 顾鸿烨 +3 位作者 陈富东 李元良 茅静 江竞宇 《可再生能源》 CAS 北大核心 2016年第4期500-504,共5页

网络状连接方式(Total-Cross-Tied,TCT)结构光伏阵列在组件表面辐照度轻度不均匀情况下输出稳定性最优,其阵列输出特性具有重要的研究意义。文章以一种基于Matlab/Simulink中S-Function Builder模块建立的光伏组件仿真模型为基础,从组... 网络状连接方式(Total-Cross-Tied,TCT)结构光伏阵列在组件表面辐照度轻度不均匀情况下输出稳定性最优,其阵列输出特性具有重要的研究意义。文章以一种基于Matlab/Simulink中S-Function Builder模块建立的光伏组件仿真模型为基础,从组件电流电压变化的角度分析了TCT结构光伏阵列在非均匀辐照下的输出特性曲线,结果表明:TCT结构光伏阵列在不同失配条件下具有不同输出特点,为以后电站的建设规划与运营维护提供了参考依据。 展开更多

关键词 非均匀辐照 TCT结构光伏阵列 电压电流输出特性

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于并联光伏组件外特性的最大功率点跟踪方法 被引量：8

8

作者 谢路耀 莫晨飞 陈怡 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第4期148-153,共6页

当阴影条件变化时,并联光伏组件的全局最大功率点(MPP)会随之改变。为了实现太阳能发电最大化,要求最大功率点跟踪(MPPT)方法始终能实时而准确地锁定住并联光伏组件的全局MPP。不同阴影条件下并联光伏组件会呈现不同的外特性特征,如多... 当阴影条件变化时,并联光伏组件的全局最大功率点(MPP)会随之改变。为了实现太阳能发电最大化,要求最大功率点跟踪(MPPT)方法始终能实时而准确地锁定住并联光伏组件的全局MPP。不同阴影条件下并联光伏组件会呈现不同的外特性特征,如多阶梯的电流电压特性以及多峰值的功率电压特性。基于此现象,该文提出一种基于并联光伏组件外特性的MPPT方法,理论分析及仿真结果都表明:该方法不会陷入局部MPP,在无阴影、静态阴影和动态阴影条件下均具有平稳、快速和准确跟踪全局MPP的能力。 展开更多

关键词 光伏组件 最大功率点跟踪 电流电压特性 功率电压特性

在线阅读 下载PDF 职称材料

四阳极装置的辉光放电特性 被引量：1

9

作者 袁忠才 时家明 许波 《核聚变与等离子体物理》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期146-150,共5页

在四阳极直流放电装置上,测量并分析了辉光放电的电流-电压和发光特征随气压的变化关系。结果表明,采用稳流放电模式比稳压放电具有更宽的稳定放电气压和电流范围,能在从1～800Pa的较宽气压范围内实现氦气辉光放电,放电电流可达到500mA... 在四阳极直流放电装置上,测量并分析了辉光放电的电流-电压和发光特征随气压的变化关系。结果表明,采用稳流放电模式比稳压放电具有更宽的稳定放电气压和电流范围,能在从1～800Pa的较宽气压范围内实现氦气辉光放电,放电电流可达到500mA左右。随着电极表面亮斑的变化,对于同一气压,在低电流区,放电电压几乎成指数增长;随电流增大,电压的增长速度变缓;对于高的气压,碰撞频率的增大使得电压随电流升高的速率变小。分析表明,放电处于异常辉光区。从放电管的CCD图像可以看出,对于同一放电电流,随气压的升高,等离子体往阴极收缩。 展开更多

关键词 四阳极装置 辉光放电 电流-电压特性 发光

在线阅读 下载PDF 职称材料

大束流离子注入形成CoSi_2/Si肖特基结电学特性 被引量：1

10

作者 张浩 李英 +1 位作者 王燕 田立林 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期265-268,共4页

文中研究了使用大束流金属离子注入形成的CoSi2/Si肖特基结的特性。肖特基结由离子注入和快速热退火两步工艺形成。Co离子注入剂量为3×1017ion/cm2,注入电压25kV。快速热退火温度为850°C,时间为1min。应用I-V和C-V测量进行参... 文中研究了使用大束流金属离子注入形成的CoSi2/Si肖特基结的特性。肖特基结由离子注入和快速热退火两步工艺形成。Co离子注入剂量为3×1017ion/cm2,注入电压25kV。快速热退火温度为850°C,时间为1min。应用I-V和C-V测量进行参数提取。I-V分析得到势垒高度约为0.64eV,理想因子为1.11,C-V分析得到势垒为0.72eV。最后依据实验结果对工艺提出了改进意见。 展开更多

关键词 肖特基结 势垒高度 电流-电压特性 电容-电压特性

在线阅读 下载PDF 职称材料

InP基RTD特性的数值模拟研究 被引量：1

11

作者 王伟 孙浩 +2 位作者 孙晓玮 徐安怀 齐鸣 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期317-322,332,共7页

采用基于非平衡格林函数法(Non-equilibrium Green’s function,NEGF)量子输运模拟器WinGreen对InP基共振隧穿二极管(RTD)的输运特性进行了计算模拟,分析了Ga0.47In0.53As/AlAs以及富In组份势阱双势垒结构几何参数、散射参数、发射区和... 采用基于非平衡格林函数法(Non-equilibrium Green’s function,NEGF)量子输运模拟器WinGreen对InP基共振隧穿二极管(RTD)的输运特性进行了计算模拟,分析了Ga0.47In0.53As/AlAs以及富In组份势阱双势垒结构几何参数、散射参数、发射区和集电区掺杂浓度以及隔离层厚度对InP基RTD器件I-V特性的影响。模拟结果表明,采用富In组份的势阱有利于降低峰值电压,提高发射区掺杂浓度有利于增大峰值电流密度,而散射则会导致谷值电流增大,影响其负阻特性。 展开更多

关键词 磷化铟基共振隧穿二极管 电流-电压特性 非平衡格林函数法 散射

在线阅读 下载PDF 职称材料

砷注入碲镉汞光电二极管及其电学特性的等效分析

12

作者 李向阳 赵军 +2 位作者 陆慧庆 胡晓宁 方家熊 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期176-179,共4页

通过对碲镉汞材料进行Ａｓ注入以及退火，成功地制备了Ｐ－ｏｎ－Ｎ型光伏器件。器件的截止波长为５．５，黑体探测率Ｄ（５００Ｋ，１Ｋ，１００）可达２．１×１０ｃｍＨｚＷ通过对器件的变温电流－电压关系的测量，利用等效电路... 通过对碲镉汞材料进行Ａｓ注入以及退火，成功地制备了Ｐ－ｏｎ－Ｎ型光伏器件。器件的截止波长为５．５，黑体探测率Ｄ（５００Ｋ，１Ｋ，１００）可达２．１×１０ｃｍＨｚＷ通过对器件的变温电流－电压关系的测量，利用等效电路进行拟合后，我们发现，限制器件优质因子Ｒ。Ａ的主要因素是并联电阻。估计此并联电阻可能由表面漏电和体缺陷引起。 展开更多

关键词 碲镉汞光电二极管 砷注入及退火 电流电压特性

在线阅读 下载PDF 职称材料

AuCl_3/HgI_2与Au/HgI_2接触的I-V特性表征

13

作者 许岗 介万奇 《西安工业大学学报》 CAS 2008年第5期452-455,共4页

利用4155型CVIV测试仪表征了分别采用蒸镀Au、涂敷氯金酸(AuCl3溶液)作为电极材料时HgI2晶体I-V特性.测试表明,采用Au电极和AuCl3电极所测量HgI2晶体的电阻率分别为6×1011Ω.cm和8.1×1011Ω.cm,欧姆接触特性值b为0.8341和1.02... 利用4155型CVIV测试仪表征了分别采用蒸镀Au、涂敷氯金酸(AuCl3溶液)作为电极材料时HgI2晶体I-V特性.测试表明,采用Au电极和AuCl3电极所测量HgI2晶体的电阻率分别为6×1011Ω.cm和8.1×1011Ω.cm,欧姆接触特性值b为0.8341和1.0291.分析认为溅射Au工艺中的温度升高和真空度造成晶体表面质量下降,使Au/HgI2欧姆接触特性较差.AuCl3电极本质上是氯金酸分解产生Au单质并形成电极.由于电极制备工艺没有显著影响晶体表面质量,使AuCl3/HgI2具有良好的欧姆接触特性. 展开更多

关键词 碘化汞 金 氯化金 电极 电压-电流特性

在线阅读 下载PDF 职称材料

有机静电感应三极管(OSIT)静态工作特性的解析 被引量：2

14

作者 薛严冰 王东兴 赵闻蕾 《大连铁道学院学报》 2003年第3期47-51,共5页

在分析SIT器件电流-电压特性的理论基础上,对由有机半导体材料酞氰铜制作的有机SIT进行了静态特性的测试,通过对测试曲线进行数据拟合与解析,得出一系列OSIT在不同偏压条件下,电流-电压的表达式,数据解析结果表明,有机SIT器件的静态特... 在分析SIT器件电流-电压特性的理论基础上,对由有机半导体材料酞氰铜制作的有机SIT进行了静态特性的测试,通过对测试曲线进行数据拟合与解析,得出一系列OSIT在不同偏压条件下,电流-电压的表达式,数据解析结果表明,有机SIT器件的静态特性同无机SIT器件静态特性的理论分析基本相符。 展开更多

关键词 有机静电感应三极管 OSIT 静态工作特性 电流-电压特性 有机半导体 酞氰铜 数据解析

在线阅读 下载PDF 职称材料

InSb单元及线列器件I-V特性失效分析

15

作者 史梦然 史梦思 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期205-208,共4页

InSb单元及线列器件广泛应用于中波红外探测器的研制。InSb器件I-V中测筛选既可以有效地检测出适于装配使用的合格芯片,还可对前道工艺存在的问题实现有效监控和反馈。本文采用半导体参数分析仪对InSb单元及线列器件进行I-V测试,对日常... InSb单元及线列器件广泛应用于中波红外探测器的研制。InSb器件I-V中测筛选既可以有效地检测出适于装配使用的合格芯片,还可对前道工艺存在的问题实现有效监控和反馈。本文采用半导体参数分析仪对InSb单元及线列器件进行I-V测试,对日常测试中出现的I-V失效进行归纳,并对典型失效情况进行了失效原因分析,发现影响探测器芯片直流特性的主要因素是表面漏电。 展开更多

关键词 INSB 光电二极管 电流-电压特性 失效分析

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于Ⅰ-Ⅴ特性分析的晶硅光伏组件故障诊断 被引量：25

16

作者 马铭遥 张志祥 +3 位作者 刘恒 云平 刘芳 张兴 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期130-137,共8页

该文针对实际电站中的光伏组件故障,实地调研并收集多晶硅光伏组件中的一些常见故障类型,建立光伏电池的反偏模型,分析光伏组件失配下Ⅰ-Ⅴ输出特性的原因,测试不同故障类型光伏组件的Ⅰ-Ⅴ特性曲线,重点分析了玻璃碎裂组件Ⅰ-Ⅴ特性出... 该文针对实际电站中的光伏组件故障,实地调研并收集多晶硅光伏组件中的一些常见故障类型,建立光伏电池的反偏模型,分析光伏组件失配下Ⅰ-Ⅴ输出特性的原因,测试不同故障类型光伏组件的Ⅰ-Ⅴ特性曲线,重点分析了玻璃碎裂组件Ⅰ-Ⅴ特性出现凸函数特征的原因,提取不同故障组件的故障特征,提出一种基于Ⅰ-Ⅴ特性的光伏组件故障在线诊断方法。该方法通过填充因子(FF)诊断老化,高低辐照度下开路电压比诊断电势诱导衰减(PID),根据I-V曲线的凹凸性检测台阶区间以及该区间内Ⅰ-Ⅴ曲线上的点到台阶段检测直线的最大距离诊断热斑和玻璃碎裂故障。进一步结合优化器验证了该方法具有较高的准确率,有很高的实际应用价值。 展开更多

关键词 光伏组件 故障检测 电流电压特性 特征提取 故障诊断

在线阅读 下载PDF 职称材料

以硅为衬底的ZnO p-n结的制备及其结构、光学和电学特性 被引量：4

17

作者 许小亮 杨晓杰 +4 位作者 谢家纯 徐传明 徐军 刘洪图 施朝淑 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期295-299,共5页

分别在n型半绝缘Si、弱n (n )以及强n (n+ )型Si片 (1 0 0 )面上用射频磁控反应溅射法和直流磁控反应溅射法制备了p型ZnO薄膜以及ZnO同质p n结。其中在生长p型ZnO时 ,反应室中通以过量的氧。对上述p型和n型ZnO薄膜进行了X射线衍射测量 ,... 分别在n型半绝缘Si、弱n (n )以及强n (n+ )型Si片 (1 0 0 )面上用射频磁控反应溅射法和直流磁控反应溅射法制备了p型ZnO薄膜以及ZnO同质p n结。其中在生长p型ZnO时 ,反应室中通以过量的氧。对上述p型和n型ZnO薄膜进行了X射线衍射测量 ,在 34.1°附近得到了 0 .3°左右半峰全宽的ZnO(0 0 2 )衍射峰。ZnO薄膜的原子力显微镜图像上可见六角型的自组装结构。阴极射线荧光的测量显示了位于 390nm的紫外特征峰。用I V特性仪测量了上述ZnOp n结原型器件的I V电学输运曲线 ,其正向显示了约为 1 .1V的阈值 ,与日美科研人员用直流溅射和扩散法制备的ZnOp n结相似 。 展开更多

关键词 氧化锌 P-N结 硅 电流-电压特性

在线阅读 下载PDF 职称材料

光伏阵列I-V特性曲线测量误差分析与修正方法 被引量：3

18

作者 杨振宇 苏建徽 +1 位作者 汪海宁 张健 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第5期210-216,共7页

光伏电站内光伏阵列的现场I-V测量可以评估当前系统发电性能和阵列状态,但现场的传输线路阻抗会使I-V测量产生误差,影响了评估的准确性,不利于光伏电站运维决策。该文分析测量线路阻抗和环境参数对常规动态电容I-V测量方法的影响机理,... 光伏电站内光伏阵列的现场I-V测量可以评估当前系统发电性能和阵列状态,但现场的传输线路阻抗会使I-V测量产生误差,影响了评估的准确性,不利于光伏电站运维决策。该文分析测量线路阻抗和环境参数对常规动态电容I-V测量方法的影响机理,并进行仿真验证。根据误差影响机理和测量回路等效模型,提出一种双电容组合I-V特性测量方法,并研制样机进行实验验证。实验结果表明,该测量方法可有效消除线路分布参数对光伏阵列I-V测量的影响,提高测量精度。 展开更多

关键词 光伏阵列 电流电压特性 分布参数 双电容

在线阅读 下载PDF 职称材料

交流接触器I-U特性及直流运行

19

作者 杜宗喜 《物理实验》 北大核心 2003年第12期23-26,共4页

分析了交流接触器I-U特性,并设计了附属电路,使交流接触器线圈可通直流电运行.

关键词 交流接触器 电流-电压特性 直流运行 交流吸合 交流释放 交流电源 直流电源

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于S-V特性分析的晶硅光伏组件阴影遮挡故障诊断 被引量：16

20

作者 马铭遥 王海松 +2 位作者 马文婷 张志祥 张兴 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第9期64-72,共9页

针对广泛使用的晶硅光伏组件,通过Simulink建立太阳电池双二极管精确仿真模型,对实际应用中最常见的光伏组件阴影遮挡故障进行多种工况的仿真验证。根据I-V曲线拐点、台阶、曲线下积分面积(S)下降的特征,提出一种基于S-V曲线特性的光伏... 针对广泛使用的晶硅光伏组件,通过Simulink建立太阳电池双二极管精确仿真模型,对实际应用中最常见的光伏组件阴影遮挡故障进行多种工况的仿真验证。根据I-V曲线拐点、台阶、曲线下积分面积(S)下降的特征,提出一种基于S-V曲线特性的光伏组件阴影遮挡故障的在线诊断方法。该方法建立S-V曲线,根据S-V曲线分叉点位置可判断光伏组件遮挡情况,通过整体积分面积进而判断遮挡比例。对温度、辐照度进行折算,使该方法在全工况下适用。结合光伏组件功率优化器验证该诊断方法有较高的准确率,并且可准确地判断阴影遮挡面积,具有很高的实际应用价值。 展开更多

关键词 光伏组件 电流电压特性 故障检测 阴影遮挡故障 S-V特征

在线阅读 下载PDF 职称材料