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题名一种基于新的偏置电路的低电压带隙基准电压源设计
被引量：5
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作者
张朵云
罗岚
唐守龙
吴建辉
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机构
东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心
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出处
《电子器件》
EI
CAS
2006年第1期169-171,222,共4页
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文摘
通过设计带隙基准电压源中共源共栅电流镜的偏置电路以实现低电源电压工作。该偏置电路原理是利用一个始终工作在线性区的MOS管来使共源共栅电流镜的两个级联管均工作在饱和区边缘提高输出电压摆幅,从而降低电源电压。电路基于Chartered0.25μmN阱CMOS工艺实现,Hspice仿真结果与分析计算结果相符。基于这种偏置电路所设计的带隙基准电压源最低工作电压仅为2V,温度系数为12×10-5/℃,电源抑制在频率为1～10kHz时为-98dB,1MHz～1GHz时为-40dB。
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关键词
带隙基准电压源
共源共栅
偏置电路
输出电压摆幅
低电源电压
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Keywords
band-gap voltage reference
cascode
bias circuit
output voltage swing
low supply voltage
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名基于位线循环充电SRAM模式的自定时电路设计
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作者
马晨
刘博楠
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机构
四川大学电气信息学院
四川大学计算机学院
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出处
《现代电子技术》
2010年第17期199-201,共3页
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文摘
随着集成电路的密度和工作频率按照摩尔定律所描述的那样持续增长,使得高性能和低功耗设计已成为芯片设计的主流。在微处理器和SoC中,存储器占据了大部分的芯片面积,而且还有持续增加的趋势。这使存储器中的字线长度和位线长度不断增加,增加了延时和功耗。因此,研究高速低功耗存储器的设计技术对集成电路的发展具有重要意义。对SRAM存储器的低功耗设计技术进行研究,在多级位线位SRAM结构及工作原理基础上,以改善SRAM速度和功耗特性为目的,设计了基于位线循环充电结构的双模式自定时SRAM,其容量为8K×32 b。
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关键词
低位线电压摆幅
双模式自定时
复制电路
时序控制
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Keywords
voltage swing of low bit line
dual mode self-timed control
copy circuit
time-sequence control
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分类号
TN710-34
[电子电信—电路与系统]
TP274
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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题名ADI公司36V低噪声精密放大器
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出处
《电子产品世界》
2005年第08B期25-26,共2页
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文摘
美国模拟器件公司（Analog Devices，Inc，简称,ADI），推出据称业界唯一一款36V低噪声精密放大器AD8675，该器件具有2．5nV／√Hz的电压噪声谱密度和满电源电压摆幅输出，适用于自动测试设备（ATE）、分析仪表和工业控制等需要高信号电压和低噪声的工业应用。采用ADI公司的Polar沟道隔离制造工艺生产的双电源AD8675，据称功耗比同类放大器降低30％，输入偏置电流降低75％，温度漂移减小65％。
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关键词
精密放大器
ADI公司
低噪声
美国模拟器件公司
DEVICES
自动测试设备
电压摆幅
噪声谱密度
POLAR
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分类号
TN722
[电子电信—电路与系统]
TN792
[电子电信—电路与系统]
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