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550 V无电压折回逆导型横向绝缘栅双极晶体管器件设计
1
作者
杨瑞丰
《电子产品世界》
2020年第9期73-75,79,共4页
逆导型横向绝缘栅双极晶体管(RC-LIGBT)由于高电流密度、小封装成本等优点,成为了功率器件领域内主流器件之一,然而其会受到电压折回现象的不利影响。本文提出了一种基于绝缘体上硅技术的RCLIGBT器件,将续流二极管集成在位于埋氧层下的...
逆导型横向绝缘栅双极晶体管(RC-LIGBT)由于高电流密度、小封装成本等优点,成为了功率器件领域内主流器件之一,然而其会受到电压折回现象的不利影响。本文提出了一种基于绝缘体上硅技术的RCLIGBT器件,将续流二极管集成在位于埋氧层下的衬底,利用埋氧层的隔离特性实现了IGBT与续流二极管之间的电学隔离,进而实现了完全消除电压折回现象。仿真结果显示:在几乎相同的耐压和反向导通能力下,由于更小的器件尺寸,本文提出的器件获得了更高的电流密度;本文器件的导通压降与关断损耗分别相比于传统器件降低14.4%和62.2%,实现了更好的导通压降与关断损耗的折中。
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关键词
逆导型横向绝缘栅双极晶体管
电压折回现象
绝缘体上硅
导通压降
关断损耗
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职称材料
题名
550 V无电压折回逆导型横向绝缘栅双极晶体管器件设计
1
作者
杨瑞丰
机构
电子科技大学电子科学与工程学院
出处
《电子产品世界》
2020年第9期73-75,79,共4页
文摘
逆导型横向绝缘栅双极晶体管(RC-LIGBT)由于高电流密度、小封装成本等优点,成为了功率器件领域内主流器件之一,然而其会受到电压折回现象的不利影响。本文提出了一种基于绝缘体上硅技术的RCLIGBT器件,将续流二极管集成在位于埋氧层下的衬底,利用埋氧层的隔离特性实现了IGBT与续流二极管之间的电学隔离,进而实现了完全消除电压折回现象。仿真结果显示:在几乎相同的耐压和反向导通能力下,由于更小的器件尺寸,本文提出的器件获得了更高的电流密度;本文器件的导通压降与关断损耗分别相比于传统器件降低14.4%和62.2%,实现了更好的导通压降与关断损耗的折中。
关键词
逆导型横向绝缘栅双极晶体管
电压折回现象
绝缘体上硅
导通压降
关断损耗
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
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被引量
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1
550 V无电压折回逆导型横向绝缘栅双极晶体管器件设计
杨瑞丰
《电子产品世界》
2020
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