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题名一种用于改善IGBT开关过冲的主动栅极控制技术
被引量：2
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作者
谢海超
王学梅
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机构
华南理工大学电力学院
中国电源学会
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出处
《电源学报》
CSCD
北大核心
2024年第4期280-291,共12页
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基金
国家自然科学基金资助项目(51577074)。
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文摘
绝缘栅双极型晶体管IGBT(insulated gate bipolar transistor)的广泛应用对其开关性能提出了很高的要求,传统的栅极驱动CGD(conventional gate drive)对IGBT开关过程中的电压和电流过冲调节效果有限,主要因其降低过冲总是以牺牲开关时间和开关损耗为代价。基于此,提出1种新的主动栅极驱动AGD(active gate drive)控制方法,用于抑制IGBT开关过程中产生的电流和电压过冲,其原理是在IGBT高di/dt和dv/dt阶段主动调节驱动电压,减小电流和电压的变化率,从而抑制电流和电压过冲。实验结果表明,相比传统驱动方法,所提方法可在基本不降低开关速度和不增加开关损耗的同时,显著降低IGBT开关过程中的电流和电压过冲。
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关键词
绝缘栅双极型晶体管
主动栅极驱动
电压和电流过冲
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Keywords
Insulated gate bipolar transistor(IGBT)
active gate drive(AGD)
voltage and current overshoots
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分类号
TM46
[电气工程—电器]
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