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GaAs基霍尔传感器的研究进展
被引量：
2
1
作者
董健方
彭挺
+2 位作者
高能武
金立川
钟智勇
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第8期561-571,590,共12页
霍尔传感器作为磁传感器的重要成员,广泛应用于汽车电子和无线通信等电子系统。与以第一代半导体材料硅、锗等为基底的霍尔传感器相比,Ga As基霍尔传感器具有更高的磁场分辨率、灵敏度和稍好的温度特性。概述了Ga As材料在霍尔传感器领...
霍尔传感器作为磁传感器的重要成员,广泛应用于汽车电子和无线通信等电子系统。与以第一代半导体材料硅、锗等为基底的霍尔传感器相比,Ga As基霍尔传感器具有更高的磁场分辨率、灵敏度和稍好的温度特性。概述了Ga As材料在霍尔传感器领域的优势及霍尔单元形状的研究进展;综述了采用外延工艺制备的单外延结构的Ga As基霍尔传感器和异质结构的Ga As基霍尔传感器的研究进展;详细介绍了电压偏移消除技术的研究进展,包括结构的优化、正交对消补偿和旋转电流技术;最后对Ga As基霍尔传感器的发展趋势进行了展望。
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关键词
霍尔传感器
砷化镓(GaAs)
异质结
磁场传感器
电压偏移消除技术
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职称材料
题名
GaAs基霍尔传感器的研究进展
被引量：
2
1
作者
董健方
彭挺
高能武
金立川
钟智勇
机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
成都海威华芯科技有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第8期561-571,590,共12页
基金
国家自然科学基金重点项目(61734002)
四川省应用基础研究重大前沿项目(2017JY0002)
文摘
霍尔传感器作为磁传感器的重要成员,广泛应用于汽车电子和无线通信等电子系统。与以第一代半导体材料硅、锗等为基底的霍尔传感器相比,Ga As基霍尔传感器具有更高的磁场分辨率、灵敏度和稍好的温度特性。概述了Ga As材料在霍尔传感器领域的优势及霍尔单元形状的研究进展;综述了采用外延工艺制备的单外延结构的Ga As基霍尔传感器和异质结构的Ga As基霍尔传感器的研究进展;详细介绍了电压偏移消除技术的研究进展,包括结构的优化、正交对消补偿和旋转电流技术;最后对Ga As基霍尔传感器的发展趋势进行了展望。
关键词
霍尔传感器
砷化镓(GaAs)
异质结
磁场传感器
电压偏移消除技术
Keywords
Hall sensor
GaAs
heterojunction
magnetic sensor
voltage offset cancellation technique
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
TP212.41 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAs基霍尔传感器的研究进展
董健方
彭挺
高能武
金立川
钟智勇
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018
2
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