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电化学C-V法研究掺硅GaAs材料载流子浓度的分布: 1; 作者徐继平程凤伶《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期2347-2351,共5页; 电化学C-V法是当前测量化合物半导体载流子浓度纵向分布的非常重要的方法。本文采用电化学C-V法研究了MOCVD生长的掺硅GaAs多层薄膜的载流子浓度的面分布和纵向分布,并对测试结果进行分析。研究表明电化学C-V法测得的载流子浓度数据可... 展开更多; 关键词电化学c-v MOCVD GAAS 载流子浓度; 在线阅读下载PDF 职称材料

用电化学C－V技术研究Ga　In　P／GaAs异质结界面特性被引量：1: 2; 作者朱文珍《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第4期56-58,共3页; 本文用电化学Ｃ－Ｖ剖面技术研究了接近器件结构的ｎ－ｎＧａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ／ＧａＡｓ同型异质结的界面特性，测量了载流子浓度分布，用多项式逐段拟合的方法，计算得到异质结界面电势差ＶΦ为４９１ｍｅＶ，界面固定电荷σ为－４... 展开更多; 关键词异质结界面导带差电化学c-v GAINP 砷化镓; 在线阅读下载PDF 职称材料

InP基异质结界面暗电流C-V测试分析: 3; 作者林琳刘英斌 +2 位作者陈宏泰王晶崔琦《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第9期769-771,779,共4页; 采用电化学C-V测试方法,测量分析了InP/InGaAs/InP外延结构的I-V特性,对异质结界面的电学性质进行了表征和分析。采用LP-MOCVD生长技术,对不同界面生长条件的三种样品进行了I-V和XRD测试,得到了InP向InGaAs界面转换采用中断生长、InGaAs... 展开更多; 关键词暗电流电化学c-v I-V特性异质结界面; 在线阅读下载PDF 职称材料

InGaAs/InP材料的Zn扩散技术被引量：4: 4; 作者刘英斌陈宏泰 +2 位作者林琳杨红伟郑晓光《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第7期610-612,共3页; 使用MOCVD反应室进行了InGaAs和InP材料上的Zn扩散工艺条件研究。通过控制扩散温度、扩散源浓度和扩散时间三个主要工艺参数,研究了InGaAs/InP材料的扩散系数和扩散规律,获得了优化的扩散条件。试验表明,该扩散工艺符合原子扩散规律,扩... 展开更多; 关键词金属有机化学气相淀积锌扩散退火电化学c-v 光电探测器; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名电化学C-V法研究掺硅GaAs材料载流子浓度的分布: 1; 作者徐继平程凤伶; 机构有研半导体材料有限公司; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期2347-2351,共5页; 文摘电化学C-V法是当前测量化合物半导体载流子浓度纵向分布的非常重要的方法。本文采用电化学C-V法研究了MOCVD生长的掺硅GaAs多层薄膜的载流子浓度的面分布和纵向分布,并对测试结果进行分析。研究表明电化学C-V法测得的载流子浓度数据可以为研究掺硅GaAs半导体材料载流子浓度工艺优化和改进提供重要指导依据。; 关键词电化学c-v MOCVD GAAS 载流子浓度; Keywords electrochemical capacitance-voltage MOCVD GaAs carrier concentration; 分类号 O484.5 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用电化学C－V技术研究Ga　In　P／GaAs异质结界面特性被引量：1: 2; 作者朱文珍; 机构中国科学院半导体所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第4期56-58,共3页; 文摘本文用电化学Ｃ－Ｖ剖面技术研究了接近器件结构的ｎ－ｎＧａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ／ＧａＡｓ同型异质结的界面特性，测量了载流子浓度分布，用多项式逐段拟合的方法，计算得到异质结界面电势差ＶΦ为４９１ｍｅＶ，界面固定电荷σ为－４．４６×１０１１ｃｍ－２，并推算出导带差△Ｅｃ为１２６ｍｅＶ，相应于△Ｅｃ＝０．２８△Ｅｇ。; 关键词异质结界面导带差电化学c-v GAINP 砷化镓; 分类号 TN304.052 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名InP基异质结界面暗电流C-V测试分析: 3; 作者林琳刘英斌陈宏泰王晶崔琦; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第9期769-771,779,共4页; 文摘采用电化学C-V测试方法,测量分析了InP/InGaAs/InP外延结构的I-V特性,对异质结界面的电学性质进行了表征和分析。采用LP-MOCVD生长技术,对不同界面生长条件的三种样品进行了I-V和XRD测试,得到了InP向InGaAs界面转换采用中断生长、InGaAs向InP界面转换采用As/P直接切换的优化生长方式。用逐层化学腐蚀的方法,对比分析了I-V特性与XRD测试结果的关系,论证了I-V测试结果的有效性,指出了表征异质结界面电学质量的简洁方法。; 关键词暗电流电化学c-v I-V特性异质结界面; Keywords dark current electrochemical C- V I- V characteristic heterojunction interface; 分类号 TN304.055 [电子电信—物理电子学] TN307 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名InGaAs/InP材料的Zn扩散技术被引量：4: 4; 作者刘英斌陈宏泰林琳杨红伟郑晓光; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第7期610-612,共3页; 文摘使用MOCVD反应室进行了InGaAs和InP材料上的Zn扩散工艺条件研究。通过控制扩散温度、扩散源浓度和扩散时间三个主要工艺参数,研究了InGaAs/InP材料的扩散系数和扩散规律,获得了优化的扩散条件。试验表明,该扩散工艺符合原子扩散规律,扩散现象可以用填隙-替位模型解释。样品经过快速退火过程,获得了极高的空穴浓度。InP的空穴浓度达到7.7×1018/cm3,而InGaAs材料达到7×1019/cm3。在优化的扩散条件下,Zn扩散的深度和浓度精确可控,材料的均匀性好,工艺重复性好,能够应用于光电探测器或其他器件。; 关键词金属有机化学气相淀积锌扩散退火电化学c-v 光电探测器; Keywords MOCVD Zn diffusion anneal electro-chemical c-v photo detector; 分类号 TN305.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	电化学C-V法研究掺硅GaAs材料载流子浓度的分布	徐继平程凤伶	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2016	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	用电化学C－V技术研究Ga　In　P／GaAs异质结界面特性	朱文珍	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	1996	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	InP基异质结界面暗电流C-V测试分析	林琳刘英斌陈宏泰王晶崔琦	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	InGaAs/InP材料的Zn扩散技术	刘英斌陈宏泰林琳杨红伟郑晓光	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	4	在线阅读下载PDF 职称材料