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题名使用密闭空腔阻挡层的CVD石墨烯鼓泡法转移
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作者
黄旸
邓世桂
郭伟玲
孙捷
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机构
北京工业大学电子信息与控制工程学院
瑞典查尔姆斯理工大学微技术与纳米科学系
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第9期695-699,共5页
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基金
北京市自然科学基金面上项目(4152003)
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文摘
采用传统电化学鼓泡法转移的石墨烯破洞和褶皱较多。提出了一种改进型电化学鼓泡法转移大面积化学气相沉积石墨烯的技术。转移过程中,利用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)框和薄片在石墨烯和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)支撑层的上方形成了一个密闭空腔。此空腔阻挡了水和H+离子对PMMA的直接透过,从而不会在石墨烯的上下表面产生H2气泡,致使石墨烯产生破洞和褶皱,甚至发生断裂。通过扫描电子显微镜、原子力显微镜、喇曼光谱检测石墨烯形貌和结构,并制备场效应晶体管测量石墨烯载流子迁移率。结果表明,使用该方法转移的石墨烯几乎没有破损,具有很好的均匀性,其载流子迁移率约为4 500 cm2·V-1·s-1,高于未做阻挡层处理而转移的同类石墨烯样品。
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关键词
石墨烯
化学气相沉积(CVD)
电化学鼓泡法
转移
密闭空腔
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Keywords
graphene
chemical vapor deposition （CVD）
electrochemical bubbling
transfer
encapsulated air cavity
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分类号
TN304.18
[电子电信—物理电子学]
TN304.055
[电子电信—物理电子学]
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