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双槽电化学腐蚀法制备多孔硅的孔隙率研究 被引量:5
1
作者 房振乾 胡明 窦雁巍 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2007年第2期230-232,236,共4页
采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅,主要研究了腐蚀条件及硅基体掺杂浓度对多孔硅孔隙率的影响,并且结合原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)技术对所制备的多孔硅的表面形貌和断面形貌进行了分析表征。研究发现,通过合理的选择工艺参... 采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅,主要研究了腐蚀条件及硅基体掺杂浓度对多孔硅孔隙率的影响,并且结合原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)技术对所制备的多孔硅的表面形貌和断面形貌进行了分析表征。研究发现,通过合理的选择工艺参数,可以制备具有特定孔隙率的多孔硅薄膜,可广泛的应用于微电子机械系统(MEMS)技术中。 展开更多
关键词 多孔硅 双槽电化学腐蚀法 腐蚀条件 掺杂浓度 孔隙率
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电化学腐蚀法测试冷弯薄壁型钢的残余应力 被引量:2
2
作者 李成玉 刘德富 《三峡大学学报(自然科学版)》 CAS 2001年第4期301-304,共4页
主要探讨了用电化学腐蚀测试冷弯薄壁型钢残余应力的实施方法 ,并对冷弯卷边角钢的残余应力用这种方法进行了测试
关键词 电化学腐蚀法 残余应力 薄壁型钢 测试 钢结构
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双槽电化学腐蚀法制备多孔硅的研究
3
作者 张萍 娄利飞 +1 位作者 柴常春 杨银堂 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2007年第6期740-742,共3页
论述了多孔硅的特点和制备方法,简单介绍双槽电化学腐蚀法的特点,并采用双槽电化学腐蚀法成功制备了多孔硅。多孔硅的扫描电镜(SEM)照片表明,孔径尺寸小,均匀性好,腐蚀结构规则。实验结果表明,衬底导电类型影响着多孔硅的制备条件。
关键词 牺牲层 多孔硅 双槽电化学腐蚀法
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基于电化学法的银针尖可控制备 被引量:1
4
作者 魏玉叶 蔡微 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第3期270-276,共7页
银针尖在扫描探针显微术和针尖增强拉曼光谱等前沿领域中受到了广泛的关注,但目前使用环状阴极电化学腐蚀出的银针尖尖端"宝塔"状结构较为普遍。本文以制备具有规则几何形状的银针尖为目标,分析了银针尖电化学腐蚀的原理,并... 银针尖在扫描探针显微术和针尖增强拉曼光谱等前沿领域中受到了广泛的关注,但目前使用环状阴极电化学腐蚀出的银针尖尖端"宝塔"状结构较为普遍。本文以制备具有规则几何形状的银针尖为目标,分析了银针尖电化学腐蚀的原理,并结合场效应管快速关断电路和皮安计搭建了银针尖的电化学制备装置。考虑到电化学腐蚀中阴极电极的形状对电解液中电场分布的影响,在实验中着重于不同阴极电极形状对银针尖几何形状的制备实验结果进行了研究。并对不同的电化学制备条件,例如,改变不同的电解液浓度以及不同参考电压所获得的实验结果进行了对比。最后总结出一种采用锥筒形阴极电极来制备具有规则几何形状的银针尖的简便可行方法。 展开更多
关键词 银针尖 电化学腐蚀法 针尖增强
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电化学制备P型硅基二维光子晶体优化参数 被引量:1
5
作者 张晚云 季家榕 +2 位作者 袁晓东 叶卫民 朱志宏 《电化学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期377-381,共5页
利用光刻技术与碱性腐蚀等工艺预写晶格图样,采用电化学腐蚀方法在P〈100〉型硅基底制备二维大孔硅光子禁带结构.结果表明:在预写有晶格图样的P〈100〉型硅基底上由电化学阳极氧化制备的二维大孔硅,其孔洞的生长速率、深宽比及表/侧面... 利用光刻技术与碱性腐蚀等工艺预写晶格图样,采用电化学腐蚀方法在P〈100〉型硅基底制备二维大孔硅光子禁带结构.结果表明:在预写有晶格图样的P〈100〉型硅基底上由电化学阳极氧化制备的二维大孔硅,其孔洞的生长速率、深宽比及表/侧面形貌与电解质配比方案及阳极电流密度均密切相关.在优化的电化学工艺参数下得到的空气洞阵列,具有近乎完美的二维四方晶格,晶格常数为3.8μm,孔洞直径约3.0μm,孔洞深宽约90μm,深宽比达30.该方法可用于制备在中红外或近红外波段具有完全二维光子带隙的光子晶体. 展开更多
关键词 大孔硅 光子晶体 制备 电化学腐蚀法 参数 优化
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一种氮氧化物气体传感器元件的制备方法
6
《低温与特气》 CAS 2013年第5期54-54,共1页
申请(专利)号:201210400849.9公开(公告)日:2013.03.27申请(专利权)人:天津大学 摘要:本发明公开了一种氮氧化物气体传感器元件的制备方法,步骤为:(1)对n型单面抛光的单晶硅片进行清洗;(2)采用双槽电化学腐蚀法在硅... 申请(专利)号:201210400849.9公开(公告)日:2013.03.27申请(专利权)人:天津大学 摘要:本发明公开了一种氮氧化物气体传感器元件的制备方法,步骤为:(1)对n型单面抛光的单晶硅片进行清洗;(2)采用双槽电化学腐蚀法在硅片的抛光表面制备孔径尺寸在50~200nm的硅基孔洞有序多孔硅,腐蚀液为6%一8%的氢氟酸水溶液,施加的腐蚀电流密度为115~135mA/cm2,腐蚀时间为5—25min;(3)再将多孔硅置于超高真空对靶磁控溅射设备的真空室,制备基于硅基孔洞有序多孔硅的氮氧化物气体传感器元件。本发明的制备方法简单,灵活可调,工艺条件较少,易于控制;提供了一种可在室温及极低浓度(0.1×10-6)下具有高灵敏度、高选择性、快速响应/恢复特性、重复性好的氮氧化物气体传感器元件。 展开更多
关键词 传感器元件 制备方 氮氧化物 气体 电化学腐蚀法 单晶硅片 腐蚀电流密度 天津大学
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氢等离子体气氛中退火多孔硅的表面和光荧光特性 被引量:3
7
作者 陈松岩 谢生 +4 位作者 何国荣 刘宝林 蔡加法 陈丽荣 黄美纯 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期77-80,共4页
用电化学腐蚀法制备了多孔硅 (PS) ,在氢等离子体气氛中不同温度下对多孔硅样品进行了退火处理 ,并进行了光致发光 (PL)谱和原子力显微镜 (AFM)表面形貌的测量。不同退火温度给PS表面形态带来较大变化 ,也影响了其PL谱特性。在退火的样... 用电化学腐蚀法制备了多孔硅 (PS) ,在氢等离子体气氛中不同温度下对多孔硅样品进行了退火处理 ,并进行了光致发光 (PL)谱和原子力显微镜 (AFM)表面形貌的测量。不同退火温度给PS表面形态带来较大变化 ,也影响了其PL谱特性。在退火的样品中观察到的PL谱高效蓝光和紫光谱带 ,我们认为主要源于量子限制发光峰和非平衡载流子被带隙中浅杂质能级所俘获而引起的辐射复合所产生的。在 42 0~ 45 0℃退火处理的多孔硅的PL谱上观察到了一个未见诸于报道的紫光新谱带 ( 3 .2 4eV ,3 82nm) ,其发光机理有待于进一步研究。 展开更多
关键词 多孔硅 氢等离子体 电化学腐蚀法 紫光发射 蓝光发射 原子力显微镜 热退火
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多孔硅电学特性研究 被引量:3
8
作者 房振乾 胡明 +1 位作者 刘博 宋阳 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期9-13,17,共6页
采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅材料,形成了Pt/多孔硅/P+型单晶硅/多孔硅/Pt的样品微结构。主要研究了腐蚀条件及氧化后处理对这一微结构横向I-V特性的影响。结果表明该微结构横向I-V特性主要由多孔硅层的电学特性所决定,呈现出非整流... 采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅材料,形成了Pt/多孔硅/P+型单晶硅/多孔硅/Pt的样品微结构。主要研究了腐蚀条件及氧化后处理对这一微结构横向I-V特性的影响。结果表明该微结构横向I-V特性主要由多孔硅层的电学特性所决定,呈现出非整流的欧姆接触特性。 展开更多
关键词 多孔硅 双槽电化学腐蚀法 I-V特性 欧姆接触
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多孔硅研究的发展 被引量:5
9
作者 王晓静 李清山 《液晶与显示》 CAS CSCD 2003年第6期421-427,共7页
多年来,人们对多孔硅的制备方法、微结构特征及其化学成分、发光特性以及发光机制等方面做了深入的研究和探讨,文章对这几个方面的研究工作做了介绍,并对目前的研究状况和应用研究中存在的问题进行了分析。制备出均匀性好、发光效率高... 多年来,人们对多孔硅的制备方法、微结构特征及其化学成分、发光特性以及发光机制等方面做了深入的研究和探讨,文章对这几个方面的研究工作做了介绍,并对目前的研究状况和应用研究中存在的问题进行了分析。制备出均匀性好、发光效率高、性质稳定、机械强度较高的多孔硅是促进其实用化进程的基本途径。人们对多孔硅进行大量研究的目的主要在于获得硅发光集成装置,另外多孔硅的应用研究也体现在光电子器件、光学器件和传感器件3个方面。多孔硅在微电子学、晶片机械加工、生物工艺学等领域也具有潜在的应用价值。 展开更多
关键词 多孔硅 发光特性 发光机制 发光效率 光电子器件 电化学腐蚀法 化学腐蚀 晶体机构
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n型多孔硅的制备及其光致发光性能 被引量:1
10
作者 宋晓岚 喻振兴 +3 位作者 程蕾 吴长荣 张泰隆 邓大宝 《中南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期1229-1233,共5页
采用双槽电化学腐蚀法于光照条件下在n型单晶硅片衬底上制备多孔硅(n-PS);在室温下,采用500~700 nm范围内荧光光谱和扫描电镜(SEM)测试系统研究光照、腐蚀时间、电解液含量、腐蚀电流密度及单晶硅掺杂含量等对n-PS的形成、结构形貌... 采用双槽电化学腐蚀法于光照条件下在n型单晶硅片衬底上制备多孔硅(n-PS);在室温下,采用500~700 nm范围内荧光光谱和扫描电镜(SEM)测试系统研究光照、腐蚀时间、电解液含量、腐蚀电流密度及单晶硅掺杂含量等对n-PS的形成、结构形貌和光致发光性能(PL)的影响。研究结果表明,通过光照,能获得具有均匀孔分布和良好发光特性的n-PS,在约600 nm处产生较强荧光峰;随腐蚀时间、HF含量和电流密度增加,PL峰位先发生蓝移,而后又出现红移;PL发光性能呈先增强后减弱变化趋势,分别在腐蚀时间为20 min、HF含量为6%和电流密度为60 mA/cm2时峰强出现极大值;而提高掺杂含量,PL性能降低。 展开更多
关键词 n型多孔硅 双槽电化学腐蚀法 光照条件 光致发光性能
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微传感器制备中多孔硅牺牲层技术的研究
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作者 娄利飞 李跃进 +1 位作者 杨银堂 汪家友 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2008年第2期187-189,共3页
采用双槽电化学腐蚀法成功的制备了多孔硅,从多孔硅的SEM照片中发现,孔径尺寸小,均匀性好,腐蚀深度大(超过100μm),在极稀的弱碱溶液中就可以得到去除,然后对双槽化学腐蚀法中腐蚀时间及电流对腐蚀速率的影响进行了研究,最后进一步探讨... 采用双槽电化学腐蚀法成功的制备了多孔硅,从多孔硅的SEM照片中发现,孔径尺寸小,均匀性好,腐蚀深度大(超过100μm),在极稀的弱碱溶液中就可以得到去除,然后对双槽化学腐蚀法中腐蚀时间及电流对腐蚀速率的影响进行了研究,最后进一步探讨了多孔硅外貌与硅衬底晶向之间的关系。 展开更多
关键词 多孔硅 牺牲层 MEMS 双槽电化学腐蚀法
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用于MEMS封装的纳米多孔硅气敏特性分析
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作者 许高斌 杨业汕 +1 位作者 马渊明 陈兴 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2014年第2期89-93,共5页
摘要:采用双槽(自制)电化学腐蚀法在P型单晶硅表面制备多孔硅(PS)层,利用AFM技术分析多孔硅的表面形貌。研究分析了电流密度为20~60mA/cm2时,多孔硅的孔径、孔深和孔隙率,并分析测试了多孔硅对高浓度乙醇的气敏特性。结果表... 摘要:采用双槽(自制)电化学腐蚀法在P型单晶硅表面制备多孔硅(PS)层,利用AFM技术分析多孔硅的表面形貌。研究分析了电流密度为20~60mA/cm2时,多孔硅的孔径、孔深和孔隙率,并分析测试了多孔硅对高浓度乙醇的气敏特性。结果表明,在不同的电流密度腐蚀下,孔径都在10nm左右;随着电流密度的增加,多孔硅的孔深和孔隙率增大且腐蚀的均匀性较好。当电流密度大于40mA/cm2后,腐蚀的均匀性开始变差,灵敏度波动较大。通过对多孔硅气体吸附灵敏度的分析,在电流密度为40mA/cm^2时,对各浓度的乙醇气体的灵敏度相对稳定,均值达到2.24X10^6kΩ,因此该类样品更适用于MEMS高真空封装的纳米吸气剂。 展开更多
关键词 多孔硅(PS) 纳米吸气剂 电化学腐蚀法 气敏特性 灵敏度
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多孔硅制备中醇对形貌的影响
13
作者 袁明辉 刘顺顺 +1 位作者 赵堤 张益彬 《太赫兹科学与电子信息学报》 2014年第4期505-507,共3页
实验研究了无光照情况下多孔硅制备中不同单羟基正醇对形貌的影响。实验结果表明,随着醇碳链的增长,多孔硅孔密度减小,枝杈变长,枝杈的尖端变得尖锐。在孔的生长过程中,十字枝杈首先沿着晶格方向快速生长,然后晶格方向的生长速率减小,... 实验研究了无光照情况下多孔硅制备中不同单羟基正醇对形貌的影响。实验结果表明,随着醇碳链的增长,多孔硅孔密度减小,枝杈变长,枝杈的尖端变得尖锐。在孔的生长过程中,十字枝杈首先沿着晶格方向快速生长,然后晶格方向的生长速率减小,而非晶格方向则持续生长直到空穴耗尽。本实验增进了对硅溶解动力学中醇作用机理的理解。 展开更多
关键词 多孔硅 电化学腐蚀法 单羟基正醇
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基于纳米针尖反射靶的X射线显微系统
14
作者 宋健 牛耕 +3 位作者 刘俊标 赵伟霞 马玉田 韩立 《电子显微学报》 CAS CSCD 2016年第4期293-297,共5页
本文利用电化学腐蚀方法制备出曲率半径<100 nm的钨针尖,并在FEI Quantum 600型扫描电镜(SEM)中作为反射靶材以搭建微焦点X射线显微系统。通过SEM发射电子束轰击纳米钨针尖,以减少电子束和靶材的物理作用区域,进而减小X射线源的光斑... 本文利用电化学腐蚀方法制备出曲率半径<100 nm的钨针尖,并在FEI Quantum 600型扫描电镜(SEM)中作为反射靶材以搭建微焦点X射线显微系统。通过SEM发射电子束轰击纳米钨针尖,以减少电子束和靶材的物理作用区域,进而减小X射线源的光斑尺寸,实现高分辨率的X射线显微成像。采用线对卡来评价系统的最佳成像分辨率,实验结果表明:系统在加速电压30 k V、电子束束流120 n A、SEM的工作距离5 mm、放大倍数为100倍、探测器采集时间为180 s的条件下,可以获得优于1μm的分辨率图像。 展开更多
关键词 纳米针尖制备 低能X射线显微技术 无损检测 电化学腐蚀法
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304L/SA516Gr70不锈钢复合板焊接接头的耐蚀性研究 被引量:4
15
作者 陈忱 王少刚 俞旷 《石油化工腐蚀与防护》 CAS 2012年第1期9-13,共5页
采用化学浸泡和电化学腐蚀测试技术,研究分别采用ER316L和ER309L焊丝作为过渡层填充材料焊接获得的304L/SA516Gr70不锈钢复合板接头的耐点蚀性能。结果表明,两种接头在质量分数5%FeCl3溶液和质量分数10%FeCl3溶液中的腐蚀速率都很小,未... 采用化学浸泡和电化学腐蚀测试技术,研究分别采用ER316L和ER309L焊丝作为过渡层填充材料焊接获得的304L/SA516Gr70不锈钢复合板接头的耐点蚀性能。结果表明,两种接头在质量分数5%FeCl3溶液和质量分数10%FeCl3溶液中的腐蚀速率都很小,未发生明显的点蚀现象。在质量分数15%FeCl3溶液中,ER316L接头的腐蚀速率要小于ER309L接头,且通过显微镜观察发现其腐蚀坑大小也明显小于ER309L接头。室温下,在质量分数3.5%NaCl溶液中几种接头和304L母材的自腐蚀电流大小顺序依次为:ER309L接头>ER316L接头>304L母材,两种接头的耐点蚀性能只略低于304L母材,能够满足工程结构对复合板接头的耐蚀性要求。 展开更多
关键词 不锈钢复合板焊接接头点腐蚀化学浸泡电化学腐蚀
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扫描隧道显微镜探针针尖的制作
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作者 姜宇 徐送宁 《中国高新技术企业》 2008年第9期87-87,共1页
扫描隧道显微镜探针针尖的加工方法有好多,最主要的是电化学腐蚀法、机诫成形法和粒子束刻蚀法等。本文利用不同方法制作出针尖,并探讨了针尖的制作技巧。
关键词 扫描隧道显微镜 针尖 电化学腐蚀法 机诫成形 粒子束刻蚀
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