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电化学C-V测量AlGaInP LED外延片中载流子浓度的分布 被引量:1
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作者 文尚胜 王朝阳 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期85-87.9,共4页
在实验的基础上,总结了电化学C-V的一些测试经验,提出了一种适用于测量AIGaInP LED外延片中载流子浓度纵向分布的电解液——0.5 mol HCI溶液.综合利用平带电位值(F.B.P)、耗散因子和测量电流等3个测量判据,合理选取测量电压、腐蚀电流... 在实验的基础上,总结了电化学C-V的一些测试经验,提出了一种适用于测量AIGaInP LED外延片中载流子浓度纵向分布的电解液——0.5 mol HCI溶液.综合利用平带电位值(F.B.P)、耗散因子和测量电流等3个测量判据,合理选取测量电压、腐蚀电流等测量参数,获得了速度快、重复性好和数据准确可靠的测试效果. 展开更多
关键词 载流子浓度 ALGAINP LED外延片 电解液 电化学电容-电压测量 平带电位值 耗散因子 发光二极管
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(CoFe)Se_(2)@NC超级电容器电极材料的制备及其电化学性能 被引量:1
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作者 李宽 肖倩 +5 位作者 卞梓垚 李凯楠 赵匡健 曹海静 朱燕艳 方泽波 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2022年第2期133-139,共7页
金属-有机框架(MOF)衍生的过渡金属硒化物和多孔碳纳米复合材料具有巨大的储能优势,是应用于电化学储能的优良电极材料。采用共沉淀法制备CoFe类普鲁士蓝(CoFe-PBA)纳米立方,并通过静电组装在CoFe-PBA上包覆聚吡咯(PPy)得到CoFe-PBA@PPy... 金属-有机框架(MOF)衍生的过渡金属硒化物和多孔碳纳米复合材料具有巨大的储能优势,是应用于电化学储能的优良电极材料。采用共沉淀法制备CoFe类普鲁士蓝(CoFe-PBA)纳米立方,并通过静电组装在CoFe-PBA上包覆聚吡咯(PPy)得到CoFe-PBA@PPy;通过在400℃氮气中退火并硒化成功制备了氮掺杂的碳(NC)包覆(CoFe)Se_(2)的(CoFe)Se_(2)@NC纳米复合材料,并对其结构和形貌进行了表征。以(CoFe)Se_(2)@NC为电极制备了超级电容器,测试了其电化学性能,结果表明,在电流密度1 A/g时超级电容器的比电容达到1047.9 F/g,在电流密度5 A/g下1000次循环后具有良好的循环稳定性和96.55%的比电容保持率。由于其性能优越、无毒、成本低和易于制备,未来(CoFe)Se_(2)@NC纳米复合材料在超级电容器中具有非常大的应用潜力。 展开更多
关键词 超级电容 纳米材料 复合材料 共沉淀 金属-有机框架(MOF) 电化学储能
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γ-Mo_2N电极的浸渍-煅烧法制备及其表征 被引量:1
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作者 朱云贵 李学良 +2 位作者 张进 何建波 鲁道荣 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 2001年第2期170-173,共4页
运用 XRD、SEM、循环伏安法等现代测试手段 ,对浸渍 -煅烧法制备的 γ-Mo2 N电极进行了表征。结果表明 ,浸渍 -煅烧法制备γ-Mo2 N电极的关键是对升温速率、煅烧温度与时间、冷却方式的选择 ;浸渍干燥温度对极膜的均匀性及极膜与基体的... 运用 XRD、SEM、循环伏安法等现代测试手段 ,对浸渍 -煅烧法制备的 γ-Mo2 N电极进行了表征。结果表明 ,浸渍 -煅烧法制备γ-Mo2 N电极的关键是对升温速率、煅烧温度与时间、冷却方式的选择 ;浸渍干燥温度对极膜的均匀性及极膜与基体的附着性有显著的影响 ;在优化条件下制备的 γ-Mo2 N电极 ,电化学电容特征显著 ,充放电过程动力学可逆性、稳定性与重现性好。 展开更多
关键词 浸渍-燃烧 循环伏安 氮化钼电极 升温速率 锻炼温度 电化学电容
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C-V法研究温度对GaN基蓝光二极管pn结的影响 被引量:3
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作者 王春安 符斯列 +3 位作者 刘柳 丁罗城 李俊贤 鲍佳怡 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第10期1417-1424,共8页
采用C-V法,根据C-2-V曲线和C-3-V曲线,并结合C-V幂律指数k,分析了T=25~-195℃温度范围内,温度变化对Ga N基蓝光发光二极管pn结类型的影响。实验结果表明:当T为25℃和-50℃时,C-2-V呈明显的线性关系,同时幂律指数k为0. 5,说明该温度范... 采用C-V法,根据C-2-V曲线和C-3-V曲线,并结合C-V幂律指数k,分析了T=25~-195℃温度范围内,温度变化对Ga N基蓝光发光二极管pn结类型的影响。实验结果表明:当T为25℃和-50℃时,C-2-V呈明显的线性关系,同时幂律指数k为0. 5,说明该温度范围内的pn结类型为严格的突变结;而温度降低至-100℃时,k值变为0. 45,说明pn结类型开始发生变化;当温度继续降低至-150℃和-195℃时,幂律指数k分别为0. 30和0. 28,说明pn结类型已经发生了变化,变为非突变非缓变结。造成这一现象的原因是低温导致的载流子冻析效应,以及晶体的缺陷和界面态形成的局域空间电荷区在低温环境下,影响了pn结原来的空间电荷分布,并改变了pn结类型。 展开更多
关键词 GaN基蓝光二极管 pn结特性 电容-电压 幂律关系
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CV法测试电阻率的稳定性研究
5
作者 陈涛 李明达 +1 位作者 李杨 边娜 《科技创新与应用》 2016年第33期12-12,共1页
文章采用化学气相沉积(CVD)方法,生长N/N+型硅外延片;试验中采用电容-电压方法,通过金属汞与硅外延片表面接触形成肖特基势垒,测试势垒电容并转换为外延层载流子浓度和电阻率,实现对外延层电阻率的测量。在此过程中,我们采用H2O2水... 文章采用化学气相沉积(CVD)方法,生长N/N+型硅外延片;试验中采用电容-电压方法,通过金属汞与硅外延片表面接触形成肖特基势垒,测试势垒电容并转换为外延层载流子浓度和电阻率,实现对外延层电阻率的测量。在此过程中,我们采用H2O2水浴处理硅外延片表面,形成10~15魡的氧化层,并对比分析了装汞量、吸附汞真空压力以及水平校准方式对电阻率测试结果的影响。 展开更多
关键词 硅外延片 电容-电压 势垒电容
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CV法测试电阻率的稳定性研究 被引量:1
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作者 居斌 陈涛 《科技创新与应用》 2017年第6期45-46,共2页
本文采用化学气相沉积(CVD)方法,利用平板式外延炉,在5英寸<111>晶向,2×10-3Ω·cm重掺As衬底上,生长N/N+型硅外延片;试验中采用电容-电压方法,利用汞探针CV测试仪,通过金属汞与硅外延片表面接触形成肖特基势垒,测试势... 本文采用化学气相沉积(CVD)方法,利用平板式外延炉,在5英寸<111>晶向,2×10-3Ω·cm重掺As衬底上,生长N/N+型硅外延片;试验中采用电容-电压方法,利用汞探针CV测试仪,通过金属汞与硅外延片表面接触形成肖特基势垒,测试势垒电容并转换为外延层载流子浓度和电阻率,实现对外延层电阻率的测量。在此过程中,我们采用H2O2水浴处理硅外延片表面,形成10~15?的氧化层,并对比分析了氧化温度、氧化反应时间、H2O2浓度对电阻率测试结果的影响。 展开更多
关键词 硅外延片 电容-电压 势垒电容
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伏——法特性测量装置
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作者 李定宣 《广东电子》 1996年第1期27-30,共4页
关键词 半导体器件 电容 电压 测量装置 -特性
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对低温下制得的CdS薄膜电学性质的研究 被引量:2
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作者 陈婷婷 王瑞林 +3 位作者 姜春萍 赵北君 朱世富 王育伟 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期746-748,共3页
采用化学水浴沉积法研究在低温条件下以及硫尿浓度不同的溶液中生长出的硫化镉薄膜的电学性质。采用X-射线衍射(XRD)仪确定退火后的样品是六方相,在(002)、(112)和(004)方向优势生长;使用紫外-可见分光光度计发现各样品的光学性质符合... 采用化学水浴沉积法研究在低温条件下以及硫尿浓度不同的溶液中生长出的硫化镉薄膜的电学性质。采用X-射线衍射(XRD)仪确定退火后的样品是六方相,在(002)、(112)和(004)方向优势生长;使用紫外-可见分光光度计发现各样品的光学性质符合硫化镉作为窗口材料的要求;利用原子力显微镜发现各样品的晶粒形状、均匀性和致密性差异较大;利用化学工作站进行样品的电容-电压测试发现,各样品的掺杂浓度差异很大,其中有的样品掺杂浓度为1.2×1017cm-3,这样的掺杂浓度适合制造光电器件。 展开更多
关键词 CDS薄膜 化学水浴沉积(CBD) 电容-电压测试
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太阳电池工艺中链式扩散与管式扩散对比研究 被引量:1
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作者 王星谕 蔡昭 +1 位作者 张光春 李果华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期855-859,共5页
简要介绍链式和管式扩散的基本原理,并通过实验,给出扩散后硅片表面磷浓度、pn结结深、方阻不均匀度和电池片电性能等方面的对比分析,验证相比于管式扩散,链式扩散所具有的优劣势。链式扩散在拥有提高产量、降低生产成本和减少环境污染... 简要介绍链式和管式扩散的基本原理,并通过实验,给出扩散后硅片表面磷浓度、pn结结深、方阻不均匀度和电池片电性能等方面的对比分析,验证相比于管式扩散,链式扩散所具有的优劣势。链式扩散在拥有提高产量、降低生产成本和减少环境污染的优势条件下,虽然开路电压略有降低,但电池片光电转换效率仍能和采用传统管式扩散工艺制备的电池片相持平,技术水平已适用于大规模产业化生产。 展开更多
关键词 太阳电池 链式扩散 磷酸 电化学电容-电压(ecv)
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